超高密度光存储技术

文章从三维体存储和近场光存储两个方向介绍了超高密度光存储技术。三维体存储 包括:体全息数据存储、双光子吸收存储和多层存储。体全息数据存储容量大、寻址快、存储寿命长;双光子吸收存储也属于多层记录存储,存储形式多样,本文以光致色变光存储为例进行讨论。海量存储的另一个研究方向是近场光存储,该技术与传统光存储显著的区别在于:用纳米尺寸的光学探针距记录介质纳米距离实现纳米尺寸光点的记录,从而实现超高密度光存储。文章最后对超高密度光存储发展及应用趋势进行了阐述。     

彩色三波长光存储实验研究

描述了彩色多层光存储原理并建立彩色多层光存储的数学模型,建立了可用于彩色3层光存储研究的实验系统,对780nm、650nm和532nm激光敏感的3种光致变色材料的读写特性进行了研究。结果表明,数学模型与实测曲线比较吻合,其中650nm、532nm材料可作为彩色多层存储的记录介质,而780nm材料交叉串扰大,需改进。实验表明多波长光存储是可行的。     

面向大数据应用的大容量全息光存储技术研究进展

随着信息时代全球数据量爆发式增长，需要存储的数据量与日俱增。面对大数据存储的挑战，全息光存储技术将信息以数据页的形式并行记录在体全息介质中，可以实现大容量数据的存储与高速读写，具有独特优势。本文从全息存储的原理和关键技术入手，详细介绍了面向商业化应用的全息光存储系统和全息光存储介质的研究现状，探讨了实现大容量和长寿命数据存储的技术途径。     

用飞秒激光制作高精度微光学器件的最新研究进展

文中介绍了飞秒激光与透明介质材料相互作用的多种机理和理论,重点综述了飞秒激光在制作波导、光栅及光存储结构等方面的最新研究进展和发展趋势.     

光域存储技术及其应用最新研究进展(本期优秀论文)

光域存储能够为光信号提供光域内的存储而不需经过光-电-光的变换,光域存储技术及基于光域存储的各种全光处理器件成为研究的热点.对准光存储、利用光波导介质和色散介质实现的光域存储技术近两年的最新发展及应用做了论述.     

光致二阶非线性玻璃材料的研究进展

光致二阶非线性功能玻璃材料是近年来最新出现的一类非线性光学材料，并有可能发展成为新的高密度光存储介质．本文综述了光致二阶非线性功能玻璃材料的研究进展，包括光学玻璃纤维及玻璃体材料的光致二阶非线性效应的实验研究、理论模型及其光存储应用．     

数字纸—柔性光介质

数字纸是光存储技术的最新产品,是一种只能写一次的光存储介质,具有很强的柔顺性,数字纸在成本、容量和性能方面具有强烈的吸引力。本文叙述了数字纸的工作原理及其特性,最后介绍了数字纸系统。     

电子俘获得光存储材料的研究进展

电子俘获存储技术是一种新型的存储技术，有望从存储机制方面突破现有的光存储介质的限制，实现大密度稳定可重复擦写存储，文中详细报道了近年来电子俘获光存储材料的研究进展。着重介绍了电子俘获材料光存储机制，以及各种材料的存储特性，并探讨了存在的问题。     

富士公司因P2格式而拓展了专业级视频产品

富士公司在此次NAB展览会上宣布将推出P2格式的存储卡。广播商将新技术与工作现状、磁带介质结合起来，P2介质的增加则完善了富士公司完整的磁带、光存储介质产品系列，也反映了行业范围内已经广泛认可基于闪存的硬件。     

飞秒激光永久光存储的发展及挑战

面向大数据存储,总结当前冷数据存储的主要方式及特点,针对长寿命和高容量的需求,介绍飞秒激光永久光存储的概念和基本存储内涵;围绕透明介质材料体内改性的类型,依次介绍三维光存储和五维光存储的历史发展过程;阐述了当前具有双折射特性的存储单元形成机制,超百层的高密度存储技术,225 kB/s单通道、潜在MB/s多通道的快速直写机制;并从纳米区域的电场连续性边界条件和光学衍射极限出发,展望飞秒激光永久光存储在存储容量和写入速度方面的挑战。     

氧化物记录介质在光存储中的应用及其研究进展

系统总结了用于光存储记录层的氧化物薄膜的存储机理、存储特性以及最新进展,讨论了氧化物掺杂对提高存储性能的影响,指出了氧化物薄膜存在的不足,并探讨了可能的改善途径.在此基础上对存储材料的发展趋势及氧化物材料的研究前景进行了展望.     

高密度光学信息存储的最新进展

本文介绍高密度光信息存储的最新进展,阐述在光折变材料上全息存储的多波长、多角度、多相位记录和读取方法,噪声的改善和全息图的寿命;双光子吸收在聚焦光束扫描存储技术中的应用;近场光学记录方法,光纤探针的研制以及孔径介质间距控制。最后讨论了光存储材料的发展。     

三甲川菁染料绿光高密度光存储研究

利用旋涂法制备了三甲川菁染料掺杂高分子薄膜,室温下采用波长为532nm、数值孔径为0.65聚焦物镜的绿光存储装置研究了该染料薄膜的光存储特性。结果表明,三甲川菁染料薄膜在420nm～590nm区域内有两个吸收峰,可作为与532nm绿光半导体激光器相匹配的光存储材料。在激光功率为15mW、刻录速度1m/s的条件下,得到了记录线宽约600nm、反射率对比度为21%的结果。     

光记录通道的眼图分析

本文在一维光记录读出信号模型的基础上，分别对脉冲位置调制（ＰＰＭ）记录和脉冲宽度调制（ＰＷＭ）记录读出信号眼图的高度进行分析，从而发现适合两种记录方式的游长度受限码（ＲＬＬ）该方法可论证：（２，７）码适用于ＰＰＭ格式，而（１，７）码适合于ＰＷＭ格式。     

An overview of optical data storage technology

Optical techniques for data storage have advanced rapidly during the last decade. Optical data storage presents many unique advantages, notably the high storage density and low access time, not attainable by conventional recording techniques. The special features of optical recording, the proposed materials and techniques, the components for optical storage as well as some representative optical bit-by-bit and holographic recording systems are reviewed. It is noted that in spite of the lack of widespread commercial success of the optical recording at the present, some unique devices have been successfully demonstrated. The knowledge accumulated in the development of optical data storage should be useful for many recent Applications such as video recording. It is expected that when the conventional magnetic memory technology reaches its limit, optical storage technology should be a competitive contender for the next generation data storage.     

可擦重写相变光盘的研究进展

文章综述了可擦重写相变光盘的研究进展，简单介绍了其记录原理、记录性能和记录材料，重点叙述了相变光盘今后的发展趋势。     

高密度光存储实现途径分析

随着光存储技术的发展,如何提高光盘存储密度备受关注.应用信道分析的方法,讨论了影响存储密度的因素和参量,提出光学系统分辨本领及光存储机理是其中最重要的因素.分别从缩短波长、增大数值孔径、超分辨以及缩小记录点、复用记录点及增加存储维度等角度总结了提高系统分辨能力、改变存储机理以提高光盘存储密度的途径.     

光海量存储的现状及发展趋势

给出了光存储与其它主流存储技术的区别及其技术特点,分析了构成光海量存储系统的途径,并简要分析了它们的主要工作原理及技术特点.在此基础上,扼要分析了现有提高存储器存储密度的思路及关键技术,给出当前国际先进水平的技术指标.介绍了国际光存储市场的现状及其市场预测.     

偶氮染料掺杂薄膜光记录性能研究

利用旋涂法 (Spin Coating)制备了新的含氮原子的杂环偶氮染料掺杂高分子聚甲基丙烯酸甲酯 (PMMA)薄膜。室温下测试了该偶氮染料在溶液和薄膜态的吸收光谱和薄膜态的反射光谱。研究了薄膜的光谱性质和短波长光记录性能。该薄膜在 4 0 0～ 550nm波长范围内具有强的吸收和反射光谱。短波长光盘静态测试结果表明 ,用低功率Ar 激光 (514 5nm)写入时 ,薄膜在写入前后的反射率变化较大。     

用3D-FDTD法分析用于近场光存储的光纤探针电磁波传输特性

提高近场光存储的存储信息密度的关键主要在于掌握近场存储光纤探针的透光率、近场光斑直径尺寸以及场梯度等近场物理量。采用三维时域有限差分 (3D FDTD)法分析了可用于近场光存储的光纤探针尖的光学性质 ,对不同类型光纤的近场光场分布进行了数值计算 ,给出结果并进行比较 ,从光学性质的角度对其在近场光存储中的应用加以讨论。完全镀膜光纤尖在极近场处的光斑可获得 10nm的尺寸 ,远小于传统光纤光学聚焦的光斑尺寸大小。