晶体三极管的结构代用方法和使用注意事项

一、晶体三极管的结构晶体三极管由三个区二个PN结构成。因为三极管的二个PN结可有两种组合方式,即NPN型[图1—a]和PNP型[图1—b]中间一层叫做基区,左边一层叫发射区,右边一层叫集电区。基区与发射区之间的PN结叫发射结。集电区与基区的PN结叫集电结。从这三个区引出三个电极分别叫基极b、发射极e、集电     

MP3/MP4播放器常用三极管及场效应管介绍(上)

一、三极管1.三极管的概念、图形符号、标识及分类半导体三极管也称为晶体三极管,可以说它是电子电路中最重要的器件。它的最主要功能是电流放大和开关作用。顾名思义,三极管具有三个电极。二极管是由一个PN结构成的,而三极管由两个PN结构成,共用的一个电极称为三极管的基极(用字母b表示),其他的两个电极称为集电极(用字母c表示)和发射极(用字母e表示)。根据组合方式的不同,形成NPN型三极管和PNP型三极管。这两种类型的三极管从工作特性上可互相弥补,所谓OTL电路中的对管就是由PNP型和NPN型配对使用。     

场效应管的结构与检测

场效应管按结构可分为:结型场效应管(JFET)、绝缘栅场效应管(IGFET);按导电沟道可分为:N型沟道、P型沟道场效应管;按栅极数目可分为:单栅、双栅场效应管。一、结型场效应管1.结型场效应管的结构原理、类型及符号结型场效应管的内部结构如图1所示。在N型半导体两侧是两个高掺杂的P型区,从而构成了两个PN结(又称耗尽层),在两个耗尽层的中间形成一条导电沟道。两侧P型区相连接,引出一个称为栅极(G)的控制极;在N型半导体上下两端分别图2两种结型场效应管的符号图3常见结型管的外形和管脚排列引出漏极(D)和源极(S)。它与普通三极管相比较…     

用万用表测试场效应管

一、相关基本知识目前场效应管的种类很多,但大体上可分为两大类:一类是结型场效应管;另一类是绝缘栅场效应管(通常简称为MOS场效应管,而MOS是英语“M(金属)—O(氧化物)—S(半导体)”的缩写。与晶体三极管有PNP和NPN两种极性类型一样,场效应管也根据其导电沟道(所谓沟道,就是电流通道)所采用的半导体材料的不同,又可分为N型沟道和P型沟道两种。     

从电子、家用电器元器件到基本电路(廿八)

(5)场效应管与晶体三极管的比较: ①晶体三极管在正常放大工作状态,其发射结为正向偏置,输入端需要向信号源吸取电流,其输出电流的大小是与输入信号电流成正比,所以,晶体三极管实质上是电流(基极电流)控制元件,其输入电阻一般都比较低;而场效应管的输入端,有的是一个反向偏置的PN结(如结型),有的是绝缘层的两侧(如绝缘栅型),其输入端基本上不需要从信号源中吸取电流,只要求有电压的变化,即仅利用栅极电压的变化来控制漏极电流(晶体三极管集电极电流是由基极电流控制),因     

万用表在手机维修中的“万用”

2、三极管的测试片状三极管外观如图6。1)已知PNP或NPN和三个电极，判断三极管好坏用数字表上的“hFE”档测试很简单，但对PCB板上的三极管来说就非常麻烦，需将管从板上焊下，再焊上三条腿，最好的测试方法就是将三极管当成两个背靠背的二极管，用测二极管的两个方法进行测试。     

什么是PN结? 有何特性?

用特殊工艺把P型和N型半导体结合在一起后,在它们交界面上所形成的特殊带电薄层,称做PN结,如图1所示。由图可知,PN结在P型材料(称为P区)一侧带负电,在N型材料(称为N区)一侧带正电,形成一个内电场。该电场的方向由N区指向P区。     

μPA74HA／μPA75HA双三极管阵列IC参数

μPA74HA与μPA75HA是NEC（日电）公司的双三极管阵列集成电路,其外形如图1所示。所谓三极管“阵列”,就是指同一芯片中集成有多个特性相同（或特性互补）的三极管。μPA74HA是NPN型低频低噪声双三极管阵列,而μPA75HA是与之对应的PNP型双三极管阵列,两芯片的内部结构、     

电子维修中晶体三极管的代换技巧

在维修家用电器或工业设备中的电子线路时,经常需要更换已经损坏的晶体三极管(以下简称三极管)。在很多情况下,由于找不到原型号的三极管,只能用其他型号三极管代换。笔者根据多年来的维修经验,谈谈三极管的代换技巧。 1.一般代换原则 (1)用相同材料(通常指锗、硅两种半导体材料)和相同极性(通常指PNP、NPN两种极性)的三极管代换。     

基础——从电子、家用电器元器件到基本电路(十)

四、晶体二极管 1.基本概念晶体二极管是用半导体材料制成的,因此也称半导体二极管。常用的半导体材料就有锗和硅两种。各种晶体二极管都是利用硅或锗的“P型”(“空穴”是主要载流子)半导体材料和“N型”(“电子”是主要载流子)半导体材料制成的。在“P型”半导体和“N型”半导体相结合的地方,形成一个叫做“PN结”的特殊薄层(见图73所示)。“PN结”的最基本的特性就是它对电     

帧输出电路STA441C的代换

日立等型号彩电的输出电路均使用STA441C,其内部结构如图1所示。从图1中可以看出,它由两个NPN型中功率硅三极管和两个硅二极管组合在一起,它们没有任何连接。STA441C损坏时,会造成光栅成一条水平亮线。     

半导体光敏管应用电路

半导体光敏管主要有光敏二极管、光敏三极管,如2CU79型光敏二极管、ZL型硅光敏三极管、3PV912型光敏三极管等。光敏三极管的外形如图1(a)。半导体光敏管所用的材料一般有:硅、锗、磷化铟、砷镓化锌     

几款光电池控制电路

光电池,又叫太阳能电池,它是一种把光能直接转换成电能的半导体器件。当光线照射到光电池上时,它能产生一定的电动势。实际上,光电池是一个大面积的PN结。在PN结两边引出两条电极引线(正极和负极),在光线的照射下,用万用表的直流电压档就可测量出光电池的空载电压值。光电池的用途颇多,这里列举数例经典电路以飨读者。一、光电池——锗管电路光电池的电路图形符号如图1(a)所示。文字符号为BP。常见的光电池外形如图1(b)所示。光电池是功率输出型器件,使用时可直接取其电压或电流输出信号,用于锗晶体管的基极,如图1(c)所示。因锗管发射结…     

可控硅的检测

由可控硅的内部结构(如图)可知,在正常情况下,控制极(G)与阴极(K)之间是一个PN结,具有PN结的特性。用万用表欧姆挡的黑表笔接G,红表笔接K,阻值较小(相当于PN结的正向导通电阻),黑、红表笔交换测量,阻值为无穷大(PN结的反向电阻值)。除此之     

MOS场效应管工作原理简介

MOS场效应管也被称为MOSFET．即Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor（金属氧化物半导体场效应管）的缩写,有耗尽型和增强型之分。增强型MOS场效应管（C-MOS管）内部结构如图1所示,分为NPN型和PNP型,NPN型常称为N沟道型,PNP型常称为P沟道型。N沟道的场效应管源极和漏极接在N型半导体上,P沟道的场效应管源极和漏极接在P型半导体上。     

晶体管快速挑选器

这里介绍一个简易的晶体管快速挑选器,它能快速挑选小功率NPN型或PNP型晶体三极管,适合学校无线电小组和爱好者自已动手制作。     

晶体管复合运用应注意的两个问题

在电子维修和电子制作中,有时需要将两只或三只晶体管复合成为一只高β值的等效晶体管使用。本文简要谈一谈晶体三极管复合运用时两个应注意的问题,参看图1、2、3。复合三极管VT由两只三极管VT1和VT2复合而成,现假定VT1、VT2均为硅半导体三极管,假定VT1、VT2的b、e结导通电压为0.7V,假定c、e饱和导通时的饱和压降V_(ces)均为0.5V(实际上,V_(ces)在0.3     

GaInP类异质结提升GaInP/GaInAs/Ge太阳电池效率的研究

基于不同有序度的GalnP材料制备出高/低带隙的发射区/基区结构被称之为同材料类异质结结构,其产生的特殊能带结构可以提高太阳电池效率.通过生长条件的优化,验证了GaInP材料的有序度变小,材料带隙从优化前1.868 eV提高到1.898 eV.采用该工艺条件制造了具有对应有序度的GalnP材料,分别作为GaInP/GaInAs/Ge三结太阳电池顶子电池的发射区/基区.测试结果表明,与参照电池比较,新结构太阳电池光照电流电压(LIV)特性参数在电流密度方面获得了明显的提高.     

北京837-1型老旧彩电电源故障和场自激综合故障检修过程

故障现象:开机"三无"。检修过程:该机为转修机,是典型的东芝—Ⅱ型电源电路和场对管输出电路,一个为PNP型三极管;另一个为NPN三极管。虽然为35cm(14英寸)老旧彩电,电路却具有代表性。用户向我演示故障现象,反复按电源     

电子缺水报警器

在工业生产过程中,经常采用水来冷却机器并需要监测水管中水的流动情况。 本文介绍的电子缺水报警器具有工作稳定可靠、体积小、制作简单及安装方便等特点。缺水时,报警器能可靠及时报警,以便通知操作人员处理。 工作原理:报警器的电路原理如附图所示,由PNP型三极管V_1和NPN型三极管V_2分别组成两级开关电路。使电极浸入被监测管道的水中,当管道中有水时,由于水的导通作用,使V_1和V_2的基射结均处于反向偏置状态,V_1和V_2