碳化硅功率器件高密度互连技术研究进展

相比于硅,SiC材料因具有宽禁带、高导热率、高击穿电压、高电子饱和漂移速率等优点而在耐高温、耐高压、耐大电流的高频大功率器件中得到了广泛应用。传统的引线键合是功率器件最常用的互连形式之一。然而,引线键合固有的寄生电感和散热问题严重限制了SiC功率器件的性能。文章首先介绍了硅功率器件的低寄生电感和高效冷却互连技术,然后对SiC功率器件互连技术的研究进行了综述。最后,总结了SiC功率器件互连技术面临的挑战。     

MEMS器件封装技术

MEMS器件体积小,造价低,是未来传感器的发展方向,随着MEMS技术进步,惯性MEMS传感器、中等角频率传感器分辨率高且低成本的惯性组件,用于测量导弹姿态的偏航角和旋转滚动速率。MEMS器件中,封装技术极为重要性,坚固耐用的惯性MEMS器件,除集成技术外封装成为另一个核心,我们对封装技术进行探讨研究,旨在提高MEMS器件的可靠性。     

新型封装技术应对汽车智能功率器件设计挑战

用于汽车动力传动系统和引擎控制的功率半导体器件必须能够耐受恶劣的环境。对于半导体IC来说，最高结温Tjmax是关键因素。阻断能力（Blocking capability）栅极阈值电压（gate threshold voltage）及其它重要的特性参数均受Tjmax所限制。超出Tjmax是大部分失效事故的主要原因。如果考虑到汽车应用中的高工作温度．加上许多汽车应用中功率器件必须在能量吸收模式下工作（这是其它功率设计很少见到）的事实，这就成为了一个相当大的设计挑战。所有这些都要求功率半导体对热限制、热管理有充分透彻的理解，才能为汽车市场提供所需的产品可靠性。     

科锐推出芯片型碳化硅功率器件助力高效电力电子模组

正日前,碳化硅(SiC)功率器件领域的市场领先者科锐公司宣布推出业界首款符合全面认证的可应用于电力电子模组的裸芯片型及芯片型碳化硅MOSFET功率器件。科锐碳化硅ZFET~(TM)MOSFET器件和二极管适用于高阶电力电子电路,与传统硅器件相比,可实现更高的能源效率。     

塑封功率器件封装失效分析技术研究

功率器件是工业生产中一类重要的基础器件,其质量及可靠性水平深受广大学者关注。文章通过对功率器件封装形式、失效诱因及国内外专家学者对功率器件塑封封装失效的研究进展进行总结,希望能够为相关分析研究提供参照。     

大功率LED封装基板技术与发展现状

散热是大功率LED封装的关键技术之一,散热基板的选用直接影响到LED器件的使用性能与可靠性.文章详细介绍了LED封装基板的发展现状,对比分析了树脂基板、金属基板、陶瓷基板、硅基板的结构特点与性能.最后预测了今后大功率LED基板的发展趋势及需要解决的问题.     

碳化硅量产新一代功率器件产业化加速

在电能的产生、输送和分配过程中,电力传送效率和使用效率至关重要。当前,电力传输功率器件主要是基于硅材料,由于发展了30年,硅材料的物理性能已经发掘殆尽。碳化硅作为半导体界公认的一种未来的材料,具有巨大的发展潜力。     

金刚石基板多芯片功率组件用SiC功率芯片封装

高温电子封装需要功率开关器件、元源元件及材料均能经受高达30012的工作环境温度。以往情况下，传统硅基电子器件在工作温度高于150℃时其电性能就会出现欠缺。90年代初，出现一种市售绝缘体上硅技术(即HTMOS^TM)，该技术可使器件达到至少5年、225℃的工作寿命以及300℃、少于5年的工作寿命。除了碳化硅(SiC)之外，在技术水平上之后再未出现过能经受超过300℃工作环境温度的其它别的功率器件材料。尽管SiC功率器件仍未达到商品化的程度，但十分明显，SiC技术对需要在高温环境下工作的功率电子封装设计策略将会产生影响。     

电力电子器件封装模块的散热特性

以传统电力电子器件封装模型为基础,介绍了大功率电力电子器件热量传递机理、失效原因。阐述了电力电子器件的主要外部散热方式及发展现状。最后基于有限元软件ANSYS为平台,通过改变电力电子器件内部结构,包括芯片间距、衬板厚度、铜底板厚度,分析了内部结构芯片散热的影响。通过测试发现,当芯片分布均匀时,散热效果最好,导热系数较高的材质,芯片散热效果较为理想。在小范围内,芯片结温随底铜板厚度增加而下降,之后芯片结温随厚度增加而升高。