现代电力电子器件的发展与现状

本文简单回顾了电力电子技术及电力电子器件的发展过程,介绍了IGBT、IGCT等主流现代电力电子器件的工作原理、现状和发展动态,最后探讨了现代电力电子器件的发展前景。     

浅谈现代电力电子器件的发展

本文简单回顾了电力电子技术及电力电子器件的发展过程，介绍了IGBT、IGCT等主流现代电力电子器件的工作原理、现状和发展动态。最后，探讨了现代电力电子器件的发展展望。     

浅谈现代电力电子器件的发展

本文简单回顾了电力电子技术及电力电子器件的发展过程，介绍了IGBT、IGCT等主流现代电力电子器件的工作原理、现状和发展动态。最后，探讨了现代电力电子器件的发展展望。     

IGBT及其应用

IGBT(Insulated Gate Bipolav Transistors)是隔离栅极双极晶体管的缩写,它是新型电力电子器件的一个重要分支。IGBT于80年代初首先由东芝公司推出,80年代末、90年代初进入实用化,业内专家预测,2000年后IGBT将成为电力电子器件市场的主流产品。据WSTS预测,1998-2002年IGBT的年均增长率为20％,比同类分立器件的年均增长率高10％。IGBT实际上是一种高反压     

双极-MOS功率半导体器件概述

本文描述双极-MOS(BiMOS)功率半导体器件的基本结构和特性。重点介绍新型电力电子器件IGBT和MCT。并对双极晶体管、VDMOS和IGBT的性能进行了比较。     

新型PT IGBT型开关管与MOSFET型开关管的性能比较

引言 　　具有MOS电路易于驱动、低导通损耗等特点的IGBT管目前主要应用于高电压、强电流电力电子领域.新型PTIGBT管将开关损耗与导通损耗协调得更加合理,凭其技术优势已经能够占领目前由MOSFET管统治的高频高效电子器件领域.在工作电压高于300V的各类工业场合,使用IGBT管替代MOSFET管作为开关电源驱动器件已经成为一种趋势.……     

功率MOS器件的结构与性能

电力电子器件的结构决定其性能,而器件的性能又决定电路的性能。根据此原理,本文分析比较了近十年来十种实用的具有新型的功率MOS器件的结构与性能特点,包括：NPT－IGBT、PT－IGBT、SDB－IGBT、Trench MOSFET、Trench IGBT、Cool MOSFET、BiMOSFET、HV－IGBT、HS－IGBT、RB－IGBT。     

SiC电力电子器件研究现状及新进展

由于硅材料本身的限制,传统硅电力电子器件性能已经接近其极限,碳化硅(SiC)器件的高功率、高效率、耐高温、抗辐照等优势逐渐突显,成为电力电子器件一个新的发展方向.综述了SiC材料、SiC电力电子器件、SiC模块及关键工艺的研究现状,重点从材料、器件结构、制备工艺等方面阐述了SiC二极管、金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)、结晶型场效应晶体管(JFET)、双极结型晶体管(BJT)、绝缘栅双极晶体管(IGBT)及模块的研究进展.概述了SiC材料、SiC电力电子器件及模块的商品化情况,最后对SiC材料及器件的发展趋势进行了展望.     

IGBT及其应用

IGBT(Insulated Gate Bipolav Transistors)是隔离栅极双极晶体管的缩写,它是新型电力电子器件的一个重要分支。IGBT于80年代初首先由东芝公司推出,80年代末、90年代初进入实用化,业内专家预测,2000年后IGBT将成为电力电子器件市场的主流产品。据WSTS预测,1998-2002年IGBT的年均增长率为20％,比同类分立器件的年均增长率高10％。IGBT实际上是一种高反压大电流的大功率模块,其耐压可达1500V以上,额定电流可达几百安培,如国际整流器公司推出的GA600GD25S型IGBT,其额定电流为600A,并内置热敏电阻。IGBT汇集了MOS晶体管的电压激励和达林顿功率     

探索节能技术 发展产业之路——北京电力电子新技术研究开发中心

近年来,电力电子技术迅速发展,其应用范围已渗透到国民经济的各个领域。作为国家电力电子器件科研生产基地之一的北京电力电子新技术研究开发中心,在实施新型电力电子器件的“五”科研开发工作中,采取行之有效的举措,取得了令人瞩目的成果。在短短5年时间,就攻下了快速IGBT绝缘栅