多孔硅传感器的研究进展

综述了几种常见的多孔硅传感器的制备方法与敏感特性,并着重对气敏、湿敏、生物敏多孔硅传感器的传感机理做了详细的介绍,论述了多孔硅传感器研究的新动向,展望了它的未来发展.     

基于热绝缘的多孔硅技术及其在微传感器中的应用

介绍了多孔硅的热导率特性以及孔径、孔隙率、热处理等因素对其影响.分析了目前基于热绝缘的多孔硅制备技术发展现状,着重对阶梯电流法和脉冲电流法进行了介绍和比较, 认为脉冲电流法因为其特殊的优势,将在以后的发展中得到更广泛的应用.多孔硅由于其热绝缘特性以及技术优势,已经在微传感器领域得到广泛的应用.     

多孔硅制备及在太阳能电池中的应用研究进展

多孔硅是通过对单晶硅片进行电化学腐蚀或适当的化学腐蚀而形成的一种纳米结构半导体材料。多孔硅纳米材料因其巨大的表面积、可调谐的光学性质和良好的相容性,被广泛应用于电子器件、生物传感、化学传感、药物传递、生物芯片等诸多领域。当前研究的挑战主要在于开发更简单高效的多孔硅纳米材料合成方法以及提高其在实际应用中的表现。综述了多孔硅纳米材料的制备方法及其光致发光在太阳能电池领域中的应用。     

多孔硅后处理研究进展

多孔硅（PS）后处理是一项能提高多孔硅发光效率和使用寿命的前沿技术。目前多孔硅后处理的方法很多，综述了各种后处理方法对PS发光的影响，并对其发展前景做了展望。     

多孔硅基电致发光研究进展

综述了多孔硅电致发光研究进展.阐述了多孔硅液相和全固态电致发光体系及其发光特点,并详细介绍了多孔硅复合体系的制备方法和发光特性.     

金刚石膜在多孔硅发光中的应用

采用微波等离子体化学气相沉积（MPCVD）法成功地在多孔硅上沉积出均匀、致密的金刚石膜。光致发光测量表明,金刚石膜可以有效稳定多孔硅的发光波长和发光强度,具有明显的钝化效应。金刚石膜的这个特点再加上高硬度特性使金刚石膜成为多孔硅的一种潜在的钝化膜。     

多孔硅衬底在RFIC无源器件中的应用

介绍低阻硅基多孔硅作为低损耗衬底在射频集成电路（RFIC）无源器件上的应用，分别讨论了在RFIC中的传输线，移相器和电感等无源器件运用多孔硅衬底后性能和主要参数的改良变化，并从理论上分析变化的原因。多孔硅衬底大大降低了RFIC电路中传输线的损耗，使移相器的工作频率和相移量都发生变化。运用多孔硅衬底，回旋电感的最高Q增加了63％（16．8～27．4），最高响应频率增加了28％（15．2～19．4GHz）。结果表明多孔硅衬底在高频情况下完全能满足RFIC元件的要求。     

多孔硅发光

根据最近几年大量的文献报道,综述了关于多孔硅制备、发光等方面的研究结果,并简要介绍了国内一些单位的工作。     

用于MEMS热敏传感器中绝热层的多孔硅性能研究

利用电化学方法制备了多孔硅,利用显微拉曼光谱法测量多孔硅样品的热导率和多孔硅中的残余应力,利用纳米压入测量仪测量多孔硅显微硬度与弹性模量.研究了多孔硅绝热性能和力学性能与微观结构的关系,认为通过控制制备条件可以得到绝热性能和力学性能满足MEMS热敏传感器结构性能要求的多孔硅.     

层状多孔ZnO厚膜的制备及其气敏性能研究

由片状材料的定向自组装得到的层状结构可以使膜具有良好的取向性和特殊的物理化学性能。通过对ZnSO4.7H2O在150℃进行水热反应合成出高径厚比的碱式硫酸锌薄片,然后将这种大面积的薄片组装成一定厚度的自持膜并进一步热处理成具有多孔结构的层状ZnO厚膜。通过对600℃、700℃和800℃热处理得到的材料进行XRD及SEM分析,研究了其成分及多孔结构的产生过程,并结合气敏测试结果证明由烧结温度所带来的多孔结构的变化确实会对其气敏性能造成一定的影响。对不同气体进行的气敏性能测试表明,这种层状多孔ZnO结构是一种理想的气敏传感材料,特别适合用于检测H2S气体。     

A Hierarchically Porous Carbon Fabric for Highly Sensitive Electrochemical Sensors

The hierarchically porous carbon fabrics with controlled conductivity and hydrophilicity have been fabricated by dual templating method of soft templates nested on hard templates. A non‐woven fabric coated with a solution of F127/resol has been carbonized for the synthesis of both macro‐porous structures of 10–15 µm in diameter having meso‐porous carbon structures of 4–6 nm, respectively. After carbonization treatment, not only conductivity is significantly improved, the hierarchically porous carbon also shows superhydrophilicity or water‐absorbing nature due to mild hydrophilic material and its dual scale roughness. The porous carbon becomes conductive with resistivity widely tuned from 5.4 × 10³ Ωm to 3.1 × 10^?3 Ωm by controlling the carbonization temperature. As the increased wettability for organic liquids could lead organic molecules deep into carbonized fabrics, the sensitivity of hierarchically porous carbon fabrics benefits the detection for methanol(CH₃OH) or hydrogen peroxide (H₂O₂). This new design concept of hierarchically porous structures having the multi‐functionality of high wettability and conductivity can be highly effective for electroanalytical sensors.

     

聚硅氧烷转化制备硅氧碳多孔陶瓷的研究进展

硅氧碳多孔陶瓷耐高温,密度低,比强度高,比表面积大,热导率低,介电性能优良,应用前景广阔。聚合物前驱体转化法已成为颇具前景的陶瓷材料制取手段。文章在简要介绍聚硅氧烷的基础上,从聚硅氧烷热解前、热解过程中以及热解后不同阶段形成特定的孔结构出发,重点阐述了通过聚硅氧烷热解制备硅氧碳多孔陶瓷的工艺研究现状,并提出了亟待解决的问题。     

碳化硅表面改性和光学镜面加工的研究现状

为了获得满足光学应用要求的碳化硅光学镜面, 通常采取碳化硅表面改性和改进光学镜面加工的方法. 碳化硅表面改性的主要方式是在碳化硅表面镀致密化涂层. 本文介绍了在碳化硅表面化学气相沉积碳化硅和物理气相沉积硅两种碳化硅表面改性技术, 并对碳化硅光学镜面加工的研究现状进行了综述.     

多孔性吸声材料的研究进展

本文阐述了吸声材料在实际使用中的地位和意义,简单介绍了多孔吸声材料的种类及其性能特点.详细介绍了多孔泡沫吸声材料,其内容涉及泡沫金属材料的制备工艺、吸声性能和影响因素,以及泡沫塑料、泡沫玻璃和复合泡沫材料的特性、用途、研究进展和应用现状.     

电偶腐蚀法制备多孔硅的研究EI

用电偶腐蚀法制备多孔硅,主要研究了铂电极的优化制备工艺以及腐蚀条件对多孔硅厚度的影响,并且结合SEM,AFM等测试手段对所制备的多孔硅的表面形貌进行了分析。实验发现,在相同的腐蚀条件下,多孔硅的厚度随铂电极的厚度以及铂电极与腐蚀硅片的面积比的增大而增大。     

多孔硅基体系发光特性研究进展

综述了多孔硅基复合体系发光特性的研究进展，阐述了多孔硅基体系及其发光特性，详细介绍了影响多孔硅基体系发光特性的因素和制备多孔硅基体系的方法，并讨论了多孔硅基体系的发光机理。最后综述了目前有待于进一步深入研究的问题及发展趋势。     

Porous Silicon-Based Sensors: Prospects and Challenges

In this paper the various applications of porous silicon as sensors, namely vapor and pressure sensors, have been discussed. The advantages of the porous silicon sensors over existing sensors have also been indicated. Suitable signal conditioning schemes for porous silicon based sensors using discrete circuits and its corresponding FPGA implementation have been discussed. Finally, the challenges of commercialization of the porous silicon based sensors have also been highlighted.