三星将大批量生产30纳米DDR3DRAM内存芯片

三星电子近日称,30纳米DDR3DRAM内存芯片已经适合消费者使用,准备应用到产品中。2GBDDR3内存芯片耗电量比用50纳米生产技术制造的内存芯片的耗电量减少了30％,生产成本效率提高了一倍多。三星用于笔记本电脑、台式电脑和服务器的2GBDDR3内存芯片只使用1．5伏或1．35伏电源。     

4Gb DDR3 DRAM芯片

三星电子公司开发出首款使用50nm制造工艺生产的4Gb DDR3 DRAM芯片。     

三星启动20纳米工艺芯片生产线投资百亿美元

三星电子近日宣布,已经启动了一条全新的存储芯片生产线,此举有可能加剧半导体市场供应过剩的局面,并打击规模较小的竞争对手。三星称,新的生产线采用20纳米工艺,是业内最大、最先进的存储芯片生产设施。虽然这种工艺会将生产成本提升50％左右,但却可以在一个芯片中整合更多的电路,因此可以降低芯片体积、价格,     

三星开发出全球最小DRAM内存芯片 速度提升10%

三星电子20日宣布,公司已开始通过第二代10纳米级制程工艺量产DRAM内存芯片。三星称,公司使用第二代10纳米级工艺生产出了8Gb DDR4芯片,此芯片为'全球最小'的DRAM芯片,扩大了领先对手的优势。在半导体业务的推动下,三星今年的营业利润有望创下纪录。与第一代10纳米级工艺相比,第二代工艺的产能提高30%。     

华芯：DRAM芯片与USB3．0主控芯片两大产品推动内存芯片国产化进程

华芯半导体公司是中国领先的存储器芯片设计研发和高端集成电路芯片封装测试企业。公司总部位于济南,下设西安华芯半导体有限公司（存储器研发中心1、SoC研发中心、山东华芯微电子科技有限公司（封装测试事业部）,并在硅谷、慕尼黑和香港设立合作研发中心。2009年5月,华芯半导体成功收购德国奇梦达中国研发中心,自主研制大容量动态随机存储器（DRAM）芯片并成功量产销售;2011年公司研发出USB3．0超高速存储控制SoC芯片;同年,公司在济南建成高端集成电路封装测试生产线。     

智能手机越来越多使用DRAM芯片 IHS iSuppli

IHS iSuppli近日发布的报告指出，随着智能手机变得越来越复杂，制造商们正转向使用DRAM芯片。     

三星成立子公司跨入芯片代工行业

韩国三星电子公司资深官员日前表示，公司计划今年年底它的代工芯片子公司的产能将增加1倍，将成为一个打入代工芯片业务参与有效竞争的新对手。三星电子公司的子公司三星半导体公司的目标是：将采用客户需要的最先进的制造方法——通过和IBM公司、特许半导体公司的半自动技术联盟，获得最先进的45nm制造工艺。三星电子公司美国子公司新的技术副总裁Ana Hunter说：“我们将专注于90nm和90nm以下的制造工艺，     

三星首家量产40nm级工艺4GbDDR3绿色内存芯片

三星电子宣布,该公司已经在业内第一家使用40nm级别工艺批量生产低功耗的4GbDDR3内存芯片。这种内存芯片支持1．5V和1．35V两种工作电压,可组装成16／32GBRDIMM服务器内存条或者8GBSO—DIMM笔记本内存条,性能1．6Gbps,功耗相比于上一代产品降低35％,能为数据中心、服务器系统或者高端笔记本节省大量能源。     

三星成功流片全球第一颗20nm工艺试验芯片

三星电子日前宣布，已经成功实现了20nm工艺试验芯片的流片，这也是迄今为止业内最先进的半导体制造工艺。三星电子此番利用了美国加州电子设计自动化企业Cadence Design Systems提供的一体化数字流程RTL—to—GDSII。     

三星再投5亿美元在西安建厂

韩国三星电子日前宣布．将再次投资5亿美元在西安建设一个产品包装和测试工厂。三星是全球最大的手机、内存芯片和电视机生产商。该公司正在进行拓展客户多样化的努力，     

三星开发多芯片封装技术 可集成多种闪存

三星电子宣布首先开发成功8晶粒多芯片封装技术。这种技术将应用于高性能移动设备，例如3G手机以及越来越多的超小型移动设备。     

激光技术支持三星WSP技术

三星最新的晶圆级堆叠封装（WSP）包含4块512Mb DDR2 DRAM芯片，藉以提供容量2GB的高密度内存。利用TSV处理的2GB DRAM，三星还能开发出首款基于高级WSP技术的4GB DIMM。     

三星加大半导体制程技术研发力度

韩国三星公司最近显著加大了逻辑芯片制造技术的研发力度,该公司最近成立了新的半导体研发中心,该中心将与三星现有的内存芯片制程技术研发团队一起合作,进行新半导体材料、晶体管结构以及高性能低功耗半导体技术的研发。另一方面,三星旗下的芯片厂除了正在积极准备45nm制程芯片的量产,同时作为IBM技术联盟的一员,也在积极研发下一代32nm／28nm制程技术．     

三星成功流片全球第一颗20nm工艺试验芯片

三星电子日前宣布,已经成功实现了20nm工艺试验芯片的流片,这也是迄今为止业内最先进的半导体制造工艺。三星电子此番利用了美国加州电子设计自动化企业Cadence Design Systems提供的一体化数字流程RTL-to-GDSII。这套基于Encounter的流程和方法完全能够满足三星20 nm试验芯片从IP集成到设计验证的复杂需求,包括En-     

三星宣布投产40纳米8Gb融合闪存芯片

三星电子宣布,采用40nm工艺的Flex—OneNAND融合式闪存芯片已经投产,容量也达到了8Gb。Flex—OneNAND是三星在2007年研发成功的一种新型闪存技术,将单层SLCNAND和多层MLCNAND整合在了一块硅片上,有利于减少     

海力士-意法半导体无锡存储器制造厂正式落成

由海力士和意法半导体公司于2005年4月在无锡合资建设的存储器芯片前端制造厂于近期正式落成。该工厂主要生产8英寸和12英寸的NAND闪存和DRAM芯片。目前,DRAM芯片采用80nm、90nm和110nm制造工艺,90nm和110nm晶圆在8英寸生产线上生产,80nm晶圆在12英寸生产线上生产。2007年中,除     

内存芯片封装技术的发展

本文主要介绍了国际上内存芯片封装技术的现状以未来的发展等．