12位1O MS/s CMOS流水线A/D转换器的设计

文中介绍了一种六级12位10Msample/sCMOS流水线A／D转换器的设计。该设计方案采用了双差分动态比较器结构,保证了处理模拟信号的精度与速度;采用冗余编码技术,进行数字误差校正,减小了多种误差敏感性,避免了由于余量电压超限而导致的失码,并降低了采样／保持电路和D/A转换电路的设计难度。     

12位10MS／sCMOS流水线A／D转换器的设计

文中介绍了一种六级12位10Msample/s CMOS流水线A/D转换器的设计。该设计方案采用了双差分动态比较器结构,保证了处理模拟信号的精度与速度;采用冗余编码技术,进行数字误差校正,减小了多种误差敏感性,避免了由于余量电压超限而导致的失码,并降低了采样/保持电路和D/A转换电路的设计难度。     

一种3.3 V 9位50 MS/s CMOS流水线A/D转换器

设计了一种3.3 V 9位50 MS/s CMOS流水线A/D转换器。该A/D转换器电路采用1.5位/级,8级流水线结构。相邻级交替工作,各级产生的数据汇总至数字纠错电路,经数字纠错电路输出9位数字值。仿真结果表明,A/D转换器的输出有效位数(ENOB)为8.712位,信噪比(SNR)为54.624 dB,INL小于1 LSB,DNL小于0.6 LSB,芯片面积0.37 mm2,功耗仅为82 mW。     

一种高线性度14位40 MS/s流水线A/D转换器

设计了一个14位40 MHz、100 dB SFDR、1.8 V电源电压的流水线A/D转换器(ADC).采用增益自举密勒补偿两级运放,可在保证2 Vpp差分输出信号摆幅的前提下获得130dB的增益,有效地减小了运放有限增益的影响;同时,采用冗余位编码技术和动态比较器,降低了比较器失调电压的设计难度和功耗.该设计采用UMC 0.18 μm CMOS工艺,芯片面积为2mm×4 mm.仿真结果为:输入满幅单频9 MHz的正弦信号,可以达到100 dB SFDR和83.8 dBSNDR.     

一种10位10 MS/s自补偿SAR A/D转换器

基于SMIC 0.18 μm CMOS工艺,设计了一种10位自补偿逐次逼近(SAR)A/D转换器芯片。采用5+5分段式结构,将电容阵列分成高5位和低5位;采用额外添加补偿电容的方法,对电容阵列进行补偿,以提高电容之间的匹配。采用线性开关,以提高采样速率,降低功耗。版图布局中,使用了一种匹配性能较好的电容阵列,以提高整体芯片的对称性,降低寄生参数的影响。在输入信号频率为0.956 2 MHz,时钟频率为125 MHz的条件下进行后仿真,该A/D转换器的信号噪声失真比(SNDR)为61.230 8 dB,无杂散动态范围(SFDR)达到75.220 4 dB,有效位数(ENOB)达到9.87位。     

低功耗10位100MHz流水线A/D转换器设计

介绍了一个10位100 MHz,1.8 V的流水线结构模/数转换器（ADC）,该ADC运用相邻级运算放大器共享技术和逐级电容缩减技术,可以大大减小芯片的功耗和面积。电路采用级联1个高性能前置采样保持单元和4个运放共享的1.5位/级MDAC,并采用栅压自举开关和动态比较器来缩减功耗。结果显示,在输入频率达到奈奎斯特频率范围内,整个ADC的有效位数始终高于9位。电路使用TSMC 0.18μm 1P6 M CMOS工艺,在100 MHz的采样频率下,功耗仅为45 mW。     

14位20 MS/s CMOS流水线A/D转换器

介绍了一种14位20 MS/s CMOS流水线结构A/D转换器的设计.采用以内建晶体管失配设置阈值电压的差分动态比较器,省去了1.5位流水线结构所需的±0.25 VR两个参考电平;采用折叠增益自举运算放大器,获得了98 dB的增益和900 MHz的单位增益带宽,基本消除了运放有限增益误差的影响;采用冗余编码和数字校正技术,降低了对比较器失调的敏感性,避免了余差电压超限引起的误差.电路采用0.18 μm CMOS工艺,3.3 V电源电压.仿真中,对频率1 MHz、峰值1 V的正弦输入信号的转换结果为:SNDR 85.6 dB,ENOB 13.92位,SFDR 96.3 dB.     

一种10位50 MSPS CMOS流水线A/D转换器

介绍了一种CMOS流水线结构高速高精度A／D转换器，该器件具有50MHz工作频率和10位分辨率。设计采用双采样技术，提高了有效采样率；由于运用了冗余数字校正技术，可以采用低功耗的动态比较器。对转换器的单元结构进行了优化，并对主要电路进行了分析。     

一种应用于SOC的4位超高速CMOSFlash A/D 转换器

介绍了一种应用于片上系统超高速4位快闪式A/D转换器的设计。该转换器采用0.18μm CMOS工艺。其特点是采用一种基于反相器的阈值电压比较器(TIQ)阵列替代传统Flash结构中的模拟电路部分。仿真结果显示,该4位A/D转换器在2 GSPS的速度和1.8 V的工作电压下,功耗仅为9.80 mW。     

一种2.5 V 1-MS/s 12位逐次逼近A/D转换器

设计了一种低功耗、中速中精度的单端输入逐次逼近A/D转换器,用于微处理器外围接口。其D/A转换器采用分段电容阵列结构,有利于版图匹配,节省了芯片面积;比较器使用三级前置放大器加锁存器的多级结构,应用了失调校准技术;控制电路协调模拟电路完成逐次逼近的工作过程,并且可以控制整个芯片进入下电模式。整个芯片使用UMC 0.18μm混合模式CMOS工艺设计制造,芯片面积1 400μm×1 030μm。仿真结果显示,设计的逐次逼近A/D转换器可以在2.5 V电压下达到12位精度和1 MS/s采样速率,模拟部分功耗仅为1 mW。     

一种低功耗14位10MS/s流水线A/D转换器

基于0.6μm BiCMOS工艺,设计了一个低功耗14位10MS/s流水线A/D转换器.采用了去除前端采样保持电路、共享相邻级间的运放、逐级递减和设计高性能低功耗运算放大器等一系列低功耗技术来降低ADC的功耗.为了减小前端采样保持电路去除后引入的孔径误差,采用一种简单的RC时间常数匹配方法.仿真结果表明,当采样频率为10MHz,输入信号为102.5kHz,电源电压为5V时,ADC的信噪失真比(SNDR)、无杂散谐波范围(SFDR)、有效位数(ENOB)和功耗分别为80.17dB、87.94dB、13.02位和55mW.     

一种低功耗12位30 MHz流水线A/D转换器

设计了一种12位30 MHz 1.8 V流水线结构A/D转换器,该A/D转换器采用相邻级运算放大器共享技术和逐级电容缩减技术,其优点是可以大大减小芯片的功耗和面积.电路采用级联一个高性能前置采样保持单元和五个运放共享的1.5位/级MDAC,并采用栅压自举开关和动态比较器来降低功耗.结果显示,该ADC能够工作在欠采样情况下,有效输入带宽达到50 MHz.在输入频率达到奈奎斯特频率范围内,整个ADC的有效位数始终高于10.4位.电路使用TSMC 0.18 μm 1P6M CMOS工艺,在30 MHz全速采样频率下,电路功耗仅为68 mW.     

99.1 mW 12位40 MSPS流水线A/D转换器

设计并实现了一种12位40 MSPS流水线A/D转换器,并在0.18 μm HJTC CMOS工艺下流片.芯片工作电压为3.3 V,核心部分功耗为99.1 mW.为优化ADC功耗,采用多位/级的系统结构和套筒式运放结构,并采用逐级按比例缩小的设计方法进一步节省功耗.测试结果表明,A/D转换器的DNL小于0.46 LSB,INL小于0.86 LSB;采样率为40 MSPS时,输入19.1 MHz信号,SFDR超过80 dB,SNDR超过65 dB.     

一种用于10位100 MSPS流水线A/D转换器的CMOS线性采样开关

分析了影响CMOS模拟开关性能的主要因素，针对10位100 MHz采样频率A／D转换器对输入信号动态特性的要求，设计了一种适合在3．3V电源电压下工作的CMOS全差分自举开关采样电路。基于0．35μm标准CMOS数模混合工艺，在Cadence环境下采用Hspice对电路进行了模拟。模拟结果显示，其无杂散动态范围达到95 dB，满足了A／D转换器采样保持电路对输入信号高动态范围的要求，也保证了电路的可靠性。     

9位50 MSPS流水线结构A／D转换器研究

提出了一个采用三级流水线技术的9位50 MSPS A/D转换器,具体分析了其内部结构,给出了在OrCAD/PSpice 10.5下的仿真结果和动态测试结果;对设计流水线A/D转换器的关键问题进行了讨论,分析了引入流水线技术的优点和缺点.     

一种改进型8位50 MSPS流水逐次逼近A/D转换器

通过理论分析和实验仿真,提出了一种基于流水线技术的逐次逼近型ADC,分析了电路原理和电路结构;阐述了如何通过流水结构来提高逐次逼近型ADC的性能.相关测试表明,设计的A/D转换器最高转换速度为50 MSPS;在0.5 MHz输入信号下的信噪谐波比为45.7 dB,在4.0 MHz输入信号下的信噪谐波比为31.6 dB.     

新型低功耗8位250 MSPS 3级Flash A/D转换器

为了降低A/D转换器（ADC）的功耗和面积,基于Flash ADC原理,利用分级比较方式,减少ADC比较器数目,并源自全新的基准区间选通逻辑模块,替代MDAC和残差放大单元;针对8位分辨精度,提出了一种新型3级Flash ADC架构,并依此结构,设计实现了一个8位250 MSPSADC。0.35μm/3.3 V AMS Si-CMOS工艺模型和版图验证结果表明,在实现250 MSPS前提下,DNL〈±0.4 LSB,INL〈±0.5 LSB;Nyquist频率下,SFDR为59.2 dB,功耗85 mW,面积1.20mm×8 mm。对比同类ADC,功耗与面积指标明显占优。该系统架构可望应用于高速低功耗混合信号处理电路的研究和开发。     

一种40 MSPS 10位流水折叠分级式A/D转换器

探讨和研究基于流水线(Pipelined)技术的折叠分级式A/D转换器(ADC),理论分析了它的原理和一般结构,给出了一个具体结构的ADC框图和具体的折叠电路,并得出了实际制作的ADC的测试图。该折叠分级式ADC的输入频率可达到1 MHz,2级折叠电路产生的高2位加上子ADC产生的8位,使A/D转换器可达到10位的分辨率,采样率最大为40 MSPS。     

10位100 MHz CMOS流水线A/D转换器

介绍了一种10位100 MS/s流水线A/D转换器的设计方法,采用增益提升技术,实现了增益为100 dB和单位增益带宽为1.2 GHz的高性能跨导运算放大器.改进了系统的延时单元,能够准确地锁存输出信号,减少噪声的影响.仿真结果表明,整个系统的有效位数提高了0.5位.整个系统基于TSMC 0.18 μm CMOS工艺进行仿真,结果表明,整个电路的各个工艺角在温度为-20℃～85℃下均能满足100 MHZ采样率流水线A/D转换器的要求.