离子束辅助沉积碳膜抑制栅电子发射的研究

本文利用离子束辅助沉积方法在钼栅极的表面镀上一层碳膜，采用模拟二极管的方法测量阴极活性物质Ba、BaO蒸发沉积在镀碳钼栅与纯钼栅表面后的电子发射性能。测量结果表明，镀碳钼栅的电微量显著减少，依据XPS、电子探针对钼栅极表面阴极发射物的分析结果，初步探讨了离子束辅助沉积碳膜抑制栅电子发射的机制。     

离子束辅助沉积碳膜抑制栅电子发射研究

本文利用离子束辅助沉积方法在钼栅极的表面镀上一层碳膜 ,采用模拟二极管的方法测量阴极活性物质Ba、BaO蒸发沉积在镀碳钼栅与纯钼栅表面后的电子发射性能 .测量结果表明 ,镀碳钼栅的电子发射量显著减少 .依据XPS、电子探针对钼栅极表面阴极发射物的分析结果 ,初步探讨了离子束辅助沉积碳膜抑制栅电子发射的机制     

离子束刻蚀位相型Ronchi光栅研究

本文报道了采用紫外光刻和离子束刻蚀方法制作位相型Ｒｏｎｃｈｉ光栅的工艺技术，并对其衍射特性进行了讨论，同时给出实验结果。     

用离子束辅助淀积多层薄膜技术合成Co—Si化合物薄膜的研究

本文通过离子束辅助淀积与真空淀积多层膜技术相结合，淀积合成Ｃｏ－Ｓｉ薄膜，ＲＢＳ和ＸＲＤ分析表明：在无离子束轰击条件下利用电子束蒸镀Ｃｏ／Ｓｉ多层膜，得到的是由ａ－Ｃｏ与非晶Ｓｉ组成的薄膜，薄膜与Ｓｉ（１１１）基底及多层膜各层之间没有明显的相互扩散，而用复合方法镀制的薄膜与Ｓｉ基底以及各层之间都产生了混合和扩散，并已有Ｃｏ２Ｓｉ，ＣｏＳｉ相生成，７５０℃退火３０分钟后，无轰击样品只在硅基底与薄膜界     

离子束刻蚀位相型Ronchi光栅研究

本文报道了采用紫外光刻和离子束刻蚀方法制作位相型Ｒｏｎｃｈｉ光栅的工艺技术，并对其衍射特性进行了讨论，同时给出实验结果。     

离子束刻蚀正交位相型Ronchi光栅研究

本文报道了采用紫外光刻和离子束刻蚀方法制作正交位相互Ｒｏｎｃｈｉ的工艺技术,并讨伐春衍射效率,给出公式及实验结果。     

基于InOx纳米岛／C的栅控薄膜电子发射阴极

介绍了基于InOx纳米岛／C的栅控薄膜电子发射阴极,并对其制备工艺和发射性能进行讨论。引入射频溅射的ZnO作为通道层,并在其上沉积InOx纳米岛以及无定型碳薄膜层。InOx纳米岛状结构引入了InOx／C复合活性层的不均匀性;在栅极以及源漏极电压的作用下,当有足够的传导电流通过InOx／C复合层时,通过电流热效应作用,复合层的某些导电通道被烧断,形成电子发射区域。本结构可以通过栅极电压来控制传导电流的有无,从而控制阴极电子发射的有无。     

平面栅型FED的模拟研究

采用ANSYS有限元分析软件对平面栅型场致发射显示器（FED）的阴极表面电场进行了模拟分析。通过研究栅极宽度、阴栅间隙及阴极宽度对阴极表面电场分布的影响．结果表明平面栅型FED为边缘发射型器件,阴极宽度的改变对阴极表面电场整体影响明显．而阴栅间隙是影响阴极边缘电场分布的主要因素。     

MIM结构薄膜应变栅的工艺研究

阐述了采用直接沉积法制作MIM结构薄膜应变栅的工艺方法 ,对制备过程中所遇到的难点进行了分析并提出相应的解决方法 ,对所制作的薄膜应变栅式称重传感器进行了性能测试。     

硒化锌基底8～12 μm高性能增透膜的研究

为了提高硒化锌基底的透过率以及膜层的机械强度,对硒化锌基底上高性能的红外宽带减反射膜的设计与制备工艺进行了研究。介绍了红外宽带减反射膜的膜料选择、膜系的设计以及采用离子束辅助沉积该膜系的过程．给出了用该方法制备的8-12μm波段宽带减反射膜的实测光谱曲线,其峰值透过率高达99％以上,在设计波段范围内平均透过率大于98％,膜层附着性能好,光机性能稳定。这对于红外光学系统的应用具有十分重要的意义。     

The development of biaxial alignment in yttria-stabilized zirconia films fabricated by ion beam assisted deposition

Yttria-stabilized zirconia (YSZ) films were deposited using ion assisted, electron beam deposition (IBAD) on Pyrex, quartz, Hastelloy, and polycrystalline zirconia substrates. Film orientation was studied as a function of IBAD fabrication conditions. Film texture from several populations of biaxially aligned grains has been observed. The ion beam is shown to induce biaxial alignment of all grain orientations. Specifically, grains with (200), (311), and (111) normal to the substrate surface are biaxially aligned. The ion beam induces biaxial alignment at all angles of incidence, not just those corresponding to YSZ channeling directions. The development of (200) biaxial alignment on Pyrex is examined as a function of thickness. Biaxially aligned IBAD YSZ films were deposited on amorphous and polycrystalline substrates without active heating. Biaxial alignment development with IBAD is shown to be consistent with a previously proposed growth and extinction model.     

碳纳米管场发射阴极电泳法制备及场发射特性研究

采用电泳沉积法在玻璃基板上成功制备出碳纳米管场发射阴极,采用扫描电子显微镜观察薄膜表面形貌,并对制备的碳纳米管阴极进行场发射测试.实验结果表明电泳2 min沉积的碳纳米管薄膜均匀连续且具有较好的场发射特性,其开启电场为3.1 V/μm,当外加电场强度为11.5 V/μm时场发射电流密度达到11.33 mA/cm2,经过10 V/μm的电场激活处理后样品具有较好的场发射稳定性.     

ZnSe基底7～14μm波段宽带增透膜

简要叙述了7～14μm波段红外增透膜的膜料选择以及硒化锌基底上高性能红外增透膜的设计和工艺研究。介绍了离子辅助沉积技术沉积该膜的的工艺过程。给出了用该方法制备的7～14μm波段宽带减反射膜的实测光谱曲线,其峰值透过率高达98%以上,在设计波段范围内平均透过率大于97%,膜层附着性能好,光机性能稳定。这对于红外光学系统的应用具有十分重要的意义。     

锗基底3～5μm和8～12μm双波段红外增透膜研究

文中简要叙述了双波段(3～5μm 和8～12μm) 红外增透膜的膜料选择以及锗基底上红外双波段增透膜的设计与镀制,介绍了离子束辅助沉积技术制备该薄膜的过程。提出了采用脉冲真空电弧离子镀技术镀制无氢类金刚石膜作为红外增透膜的保护膜,并讨论了镀制类金刚石膜后,镀膜元件的光谱特性。     

薄膜衬底电极CNT阴极制备及场发射性能研究

采用电泳沉积(EPD,electrophoretic deposition)法在不同薄膜衬底电极上制备碳纳米管(CNT,carbon nanotube)场发射阴极.采用场发射扫描电子显微镜(FESEM)对其进行表面形貌表征,结果表明,EPD可以制得CNT均匀分布的场发射阴极.场发射测试结果表明衬底电极对CNT阴极的场发...     

纳米碳管场致发射冷阴极的研究

以热化学气相沉积法较容易地制备得到场发射冷阴极。在导电性较好的金膜上蒸镀镍点,以此作为热化学气相沉积反应的基底,首先高纯氢气被通入石英管中作为保护性气体,同时起到还原催化剂的作用;然后通人乙炔气体,在700℃下在镍催化剂颗粒上乙炔发生裂解反应,实现纳米碳管的生长,并进行了场致发射特性实验研究,发射电流密度可达1．29A／cm^2,获得较大发射电流密度。     

Structural and optical properties of AlxGa1-xN/AlyGa1-yN multiple quantum wells for deep ultraviolet emission

The AlxGa1-xN/AlyGa1-yN multiple quantum well (MQW) structure for deep ultraviolet emission has been grown on sapphire by metal organic chemical vapor deposition (MOCVD).High resolution X-ray diffraction (HRXRD), atomic force microscopy (AFM), and cath-odoluminescence (CL) are used to characterize the structural and optical properties of MQWs, respectively.Clear step flows can be observed in the AFM image indicating a two-dimensional growth model.There are many cracks on the surface of the MQW structure because of the high tensile stress.HRXRD shows multiple satellite peaks to the 2rid order.The HRXRD simulation shows that the MQW period is about 11.5 nm.The emission peak of AlxGa1-xN/AlyGa1-yN MQWs is about 295 nm in the deep ultraviolet region from the CL spectra.     

电泳沉积纳米金刚石涂层场发射阴极工艺研究

采用电泳沉积(EPD)制备薄膜的方法,在金属钛片上均匀地涂覆纳米金刚石涂层,经真空热处理,制成场发射阴极.该文主要研究了不同的电泳液配方、电泳电压及电泳时间对涂层制备的影响.实验结果表明,粘度系数较大的电泳液及较低的电泳电压下适当延长电泳时间有利于改善涂层的均匀性和致密性;典型样品开启电场为5.5 V/μm,在20 V/μm场强下的电流密度达到169 μA/cm~2.发光测试表明,发光点密度较大且均匀分布,发光稳定,亮度较高.用X-射线衍射(XRD)和扫描电子显微镜(SEM)对样品的成份及形貌进行了分析,结合其场发射测试结果,解释了样品性能的差异和变化.     

四针状纳米ZnO在场致发射显示器的应用研究

以高温气相氧化法制备的四针状纳米ZnO作为场致发射材料,采用浆料印刷和烧结的方法将其制备成场致发射阴极基板.将阴极板和荧光屏封装成5×25.4 mm二极结构的场致发射显示器,进行了场致发射特性实验,实现了稳定的场致电子发射及简单字符显示.该二极结构ZnO-FED的开启场强为1.5 V/μm,当场强为5.3 V/μm时,发射电流密度可达5.11 μA/cm2.通过实验测定场增强因子约为6 772,表现出了好的场致电子发射性能.实验结果表明了四针状纳米ZnO纳米材料是一种很好的场致发射阴极材料.