Ni-5%W合金基带的电化学抛光

为改善Ni-5%W合金基带表面质量,以磷酸-硫酸和添加剂为电解液,采用均匀实验设计方法进行电解抛光,利用原子力显微镜对样品表面形貌进行表征,并用DPS(Data Process System)软件对抛光结果进行逐步回归优化。结果表明,在室温下,采用磷酸(85%)、硫酸(98%)和有机添加剂,以体积比为4∶3∶3的抛光液抛光效果较好,抛光后基带表面均方根粗糙度在25μm×25μm范围内可降低到5nm以下。     

国产Ni-5%W合金基带电化学抛光工艺优化研究

采用均匀实验设计方法,研究了Ni-5%W合金基带在磷酸-硫酸及添加剂体系中的电化学抛光工艺条件,利用DPS(Data Processing System)软件对抛光工艺进行逐步回归优化,同时根据回归后的特征方程组进行实验验证,并用金相显微镜、原子力显微镜对基带表面形貌进行表征。结果表明,通过两次回归拟合,在25μm×25μm范围内,基带表面均方根粗糙度可降低到3 nm以下,且实验值与预报值相对误差为2.36%。     

激光选区熔化316L不锈钢电解抛光工艺

采用绿色环保的氯化钠-乙二醇电解抛光液对激光选区熔化技术(SLM)制备的316L不锈钢样件进行电解抛光,以改善其表面品质。探究了抛光的电流密度、温度和时间对表面粗糙度及微观形貌的影响。结果表明：当电流密度为2.7 A/cm²,抛光时间为10 min,抛光温度为80°C时,可获得镜面效果,表面粗糙度(Ra)低至0.768μm。     

低轮廓电解铜箔制备工艺参数的优化

采用直流电沉积法制备了低轮廓电解铜箔，在仅以明胶作为添加剂的情况下研究了钛基体(阴极)表面粗糙度、电流密度、硫酸质量浓度、铜离子质量浓度、电解液温度等工艺参数对铜箔表面形貌及粗糙度的影响。确定最佳的工艺条件为：钛基体表面粗糙度(Rz)1～2μm，电流密度4.0 A/dm²，硫酸100 g/L，铜离子60 g/L，电解液温度37°C。所得铜箔表面形貌良好，粗糙度(Rz)小于1.8μm。     

Ni-5at.%W合金基带阳极极化行为的研究

研究了Ni-5at.%W合金基带在磷酸-硫酸及有机添加剂体系中的阳极极化行为。结合扫描电镜(SEM)、X射线光电子能谱(XPS)分析,对不同阳极极化电位区间基带表面微观形貌和相组成进行了讨论。在低电位区,电极上主要析出的是Ni(OH)2、Ni3(PO4)2及NiSO4晶体层;在高电位区,电极表面主要形成的是Ni2O3高价氧化物膜。     

硫酸–甲醇体系钨电解抛光的可行性研究

以硫酸–甲醇酸性体系作为电解液,对钨箔进行电解抛光研究。抛光后钨的表面均方根粗糙度和反射率的测试结果表明,该体系完全适用于金属钨的电化学抛光。对钨的阳极溶解行为进行了分析,讨论了溶液组成、槽电压、温度和搅拌速率对电抛光后钨表面粗糙度的影响。初步确定了金属钨电解抛光的工艺参数为:硫酸与甲醇的体积比1∶7,槽电压15～22 V,温度15～25°C,搅拌速率10 m/s。     

硫酸-甲醇体系钨电解抛光的可行性研究

以硫酸-甲醇酸性体系作为电解液,对钨箔进行电解抛光研究.抛光后钨的表面均方根粗糙度和反射率的测试结果表明,该体系完全适用于金属钨的电化学抛光,对钨的阳极溶解行为进行了分析,讨论了溶液组成、槽电压、温度和搅拌速率对电抛光后钨表面粗糙度的影响.初步确定了金属钨电解抛光的工艺参数为:硫酸与甲醇的体积比1:7,槽电压15～22V,温度15～25℃,搅拌速率10m/s.     

硫酸-磷酸-铬酸电化学抛光对钼片表面状态的影响

以硫酸-磷酸-铬酸体系为电解液,对钼片进行电化学抛光。通过测定阴极极化曲线,研究了抛光过程中电压和电流之间的关系。表征了抛光前后钼片的微观形貌、粗糙度和尺寸等。在2.0 A/cm~2下对钼片电化学抛光30 s,可得到均匀平整、无明显坑点的表面,粗糙度由抛光前的0.20μm降至0.05μm。通过严格控制抛光时间可有效保证样品的几何尺寸精度。     

脉冲参数对TC4钛合金电化学抛光的影响

采用脉冲电源对TC4钛合金进行电化学抛光，研究了电压、脉冲频率和占空比对抛光效果的影响。结果表明，TC4钛合金的表面粗糙度和材料去除率随着脉冲频率增大而呈先减小后增大的变化趋势；随着电压或占空比增大，TC4钛合金的表面粗糙度先减小后增大，材料去除率增大。在温度20℃、极间距4 cm、电压25 V、脉冲频率1 000 Hz及占空比40%的条件下电化学抛光6 min后，TC4钛合金的材料去除率为23.85μm/min，表面粗糙度(Ra)从初始的6.21μm降到0.84μm，表面平整均匀。     

铜及铜合金电化学抛光

在酸性条件下对紫铜进行了电化学抛光,其工艺流程主要包括:除油,活化,电化学抛光和真空干燥.采用正交试验,讨论了抛光液中各组分及各工艺参数对抛光效果的影响,得出了最佳配方和工艺条件:30%硫酸 60%磷酸 5%去离子水 5%添加剂(即3%乙醇 1.8%尿素 0.2%苯并三氮唑),温度45℃,电流密度40A/dm2.