喷砂切割的工艺原理及优点

目前,国内大部分半导体硅二极管生产厂家在管芯成型的工艺上,仍一直沿用六十年代陈旧的点黑蜡掩蔽手工腐蚀方法(如图1、图2所示)把形成合适台面硅管芯一个个地分割下来.这种工艺存在着材料利用率低、管芯尺寸一致性差、产品电参数离散性大、化学试剂耗     

功率管管芯测试与成品管测试的两点误差

低频大功率晶体管一般都采用台面三重扩散工艺。在经过十几道工序制成管芯后,要对管芯进行初测,筛选掉不合格的管芯,将合格管芯送烧洁、键合、封装,试制成品管,经老化筛选后,再对成品管进行测试。整个工艺流程中的这两步测试,由于测试对象、测试方法不同以及工艺上的原因,造成两者对h_(FE)参数和BV_(?)参数的测试结果存在误差。本文介绍了这种误差产生的原因及修改方法。     

硅整流二极管管芯的机械切割法——介绍一种提高硅片利用率的办法

在硅台面整流二极管的生产中,常常用点黑蜡、长时间腐蚀的办法把管芯一个个分割开,同时形成合适的台面.这种工艺对硅单晶的利用率和生产效率都很低.我们总结了高频高压硅堆的生产工艺,提出了热浸镀铅锡-机械切割法分割管芯的工艺.这大大提高了硅单晶的利用率和生产效率,降低了成本,取得了一定的经济效益.     

玻璃钝化台面二极管的芯柱腐蚀及其对钝化效果的影响

玻璃钝化台面二极管的钝化效果,与管芯的台面造型、芯柱腐蚀、和钝化玻璃焙烧工艺都有着密切的关系。在管芯台面造型和钝化玻璃焙烧工艺均一定的前提下,本文讨论了芯柱腐蚀对钝化效果的影响。并介绍一种能显著提高钝化后高压率的新的腐蚀液配方和腐蚀方法。     

塑封高压硅堆台面化蚀工艺浅探

TV用塑封高压硅堆因具有体积小、性能稳定、价格经济一系列优点而应用广泛.它是彩电国产化中关键的半导体器件,而化蚀工艺直接影响该产品的质量,掌握好化蚀工艺,才能造出高水平的产品.如何控制好硅堆的台面形状,提高化蚀质量是工艺人员碰到的实际问题.在工作中,遇到一些异常现象.现与同志们探讨如下:TV用塑封高压硅堆管芯一般采用如图1所示方法形成.→烧叠片→分割管芯→焊引线→化蚀→表面保护→图1化蚀前管芯结构如图2     

基于不同自组装单层的酞菁氧钒薄膜晶体管

研究了不同界面修饰层对酞菁氧钒(VOPc)薄膜晶体管性能的影响。通过AFM图谱分析不同界面修饰层上VOPc薄膜的生长行为,通过半导体参数测试仪测试分析不同界面上器件的电学特性。实验结果表明,十八烷基三氯硅烷(OTS-18)修饰后生长的VOPc薄膜,比正辛基三氯硅烷(OTS-8)和苯基三氯硅烷(PTS)修饰后的薄膜晶体尺寸更大、质量更优;基于OTS-18修饰的底栅顶接触型VOPc有机薄膜晶体管,在4种结构器件中具有最高的场效应迁移率(0.51cm2/V·s),相对于未修饰的器件迁移率提高了近40倍。较长的烷基链能够有效地隔绝VOPc分子和二氧化硅之间的相互作用,利于形成大晶粒尺寸、少缺陷的优质薄膜,获得高迁移率的TFT器件。绝缘层表面自组装单分子层的厚度对其上薄膜的生长行为和相应器件的性能影响极为明显,这一结论对有机半导体薄膜生长和器件制备具有指导意义。     

10GHz低噪声GaAs FET

在5cm波段GaAs FET研究的基础上,采用氧离子注入代替化学腐蚀台面作隔离,用普通接触式光刻曝光一金属剥离技术制作0.8～1.μ的栅条,并采用深挖槽等方法,我们已试制出3cm的GaAs FET。这种用生陶瓷管壳封装的器件,在10GHz下,噪声系数N_F=4.7dB、增益G_(N_F)=4.7dB,或者N_F=5.8dB、G_(N_F)=7dB。其管芯照片示于下图。     

用OMVPE法生长的GaAlAs衬底台面导引激光器

我们已研制出衬底台面导引(SMG)激光器,该激光器是在GaAs衬底腐蚀成的台面条形上,用一步金属有机化学汽相外延(OMVPE)法制作的。这种激光器以25mA的阈值,清晰的零次和一次横模工作(取决于台面宽度),并且在设想的近场中,未测量到象散现象。在脉冲和连续波(CW)工作条件下观察到了单纵模工作。这些特征显示了在衬底台面上用外延生长方法,于横向上形成了实数折射率波导。利用光致抗蚀剂掩模,和沿(100)GaAs衬底的[011]和[011]取向的台面进行化学腐     

GaAs/GaAlAs DH激光器的扫描电子显微镜分析

前言用扫描电子显微镜(SEM)的二次电子(SE)、电子束感生电流(EBIC)、阴极萤光(CL)信号分别观查了GaAs/GaAlAs DH激光器管芯的形貌、外延层和结区中的微缺陷;用Ga-Kα分布曲线分析了GaAlAs限制层的Al含量;还分析了近结区光电特性。结果表明:外延层的Al组分均匀,有源区结线平直;发现键合工艺存在三个问题,一是大部分管芯在键合时焊料In从热沉漫延到镜面上,复盖了有源区;二是上引线的欧姆接触处的周围存在接触势垒;其次发现引线工艺造成了管芯的损伤。此外,管芯中有形变孪     

其他激光应用

用TEA CO_2激光诱导四甲基硅烷(TMS)的气相反应,合成了亚微米碳化硅超细粉。基态的TMS并不直接吸收CO_2激光,但可在激光     

通过TRL校准提取管芯S参数的技术

介绍了一种基于TRL法的提取管芯S参数的方法.该方法从TRL校准出发,实际测量得到封装器件的S参数;管芯以外的参量(管壳及键和线)用等效电路表示,最后用微波仿真软件模拟得到管芯S参数.此方法在没有精确的测试夹具条件下,仍可以得到较理想的器件和管芯S参数.实验证明该方法简便、实用性强,可推广应用于不宜直接测量管芯S参数的器件.     

半导体器件制造技术(九)

十一、装架工艺装架工艺实际上是一个装配性质的工艺。它的任务是把带有数十个、数百个到上千个管芯(电路)的大硅片切割成只有单个管芯(电路)的小硅片;并挑出性能好的管芯(电路)装配到底盘上,使管芯和底盘之间有一个良好的欧姆接触和一个很好的散热通路。整个装架工艺步骤可分为管芯(电路)测试、划片、烧结、引线键合四步。装架工艺的质量直接和器件的稳定性和可靠性相联系,为了确保器件的稳定性、可靠性,装架工艺的质量问题要充分地重视。     

星状结构对集成电路管芯成品率的影响及其控制措施

一、问题的提出 在生产实践中,我们发现,硅单晶衬底经高温工艺(氧化、锑扩散和外延)后,用西尔(Sirtl)腐蚀剂腐蚀,其表面往往呈现出具有星状结构的滑移线(图1)。在显微镜下观察,沿滑移线有成排的位错蚀坑(图2)。 在我们现行的工艺条件下,这种缺陷出现的几率为60％左右。用具有这种缺陷的外延片生产集成电路时,其管芯成品率较低,且所有好的管芯都集中在晶片的中央部位,在星状线     

氧化前Si_3N_4萃取(吸收)提高管芯成品率的试验

为实现大规模集成必须提高管芯成品率。我们在不掺金的I~2L工艺中,在单晶片和外延片流程上做β值的管芯,长期都没有达到理想的成品率。因此,如何稳定基本工艺,提高管芯成品率,真正实现复杂逻辑功能在单片上集成,这是我们的重要任务。本文提出氧化前硬Si_3N_4背面萃取(吸收)工艺能有效地提高管芯成品率。     

高反压大功率晶体管烧结工艺的改革

本文在分析了3DA58型高反压大功率晶体管,因采用金-锑(Au:Sb=99％:1％)合金真空烧结而造成“微等离子体击穿”之后,提出了一种采用“化学镀镍法”,在管芯背面淀积镍磷合金,同时使用锡-铅-银软焊料,把管芯烧焊在刻有槽或凹坑的F-2管座上,使管芯和     

OTS修饰的不同厚度酞菁铜OTFT的研究

用十八烷基三氯硅烷(OTS)修饰了不同厚度的酞菁铜(CuPc)有机薄膜晶体管器件, 对比酞菁铜厚度为15、40、80 nm的3种器件性能后,得到40 nm的酞菁铜器件具有最高载流子迁移率.分析了OTS修饰的绝缘层表面对器件性能的影响,得到的40 nm厚度酞菁铜器件载流子迁移率为4.3×10-3cm2/V*s, 阈值电压为-9.5 V.     

使用金锡合金焊接微波功率GaAs MESFET管芯

微波功率GaAsMESFET的结构是在半绝缘砷化镓衬底上外延生长n型薄层砷化镓,然后在其上做源、漏欧姆接触和肖特基势垒栅.我们通过管芯侧面和背面金属化实现了大面积源接地.器件对管芯焊接工艺的基本要求是:(1)低温焊接;(2)导电导热性能良好;(3)可靠性高;(4)成品率高等等.我们曾经试用工艺比较成熟的银浆烧结(烧结温度是370℃),但是发现部分管芯特性变坏和焊接不牢、热阻大、串联电阻大以及工艺重复性差等问题.经过分析,我们认为高的导热率和高的电导率是     

用于X波段宽带VCO的体效应管芯研制成功

<正>研制了一种以渡越畴模式工作的连续波体效应二极管管芯,管芯为n~+-n-n~(++)GaAs台式镀金热沉结构。在设计研制中特别考虑了:(1)正确选择并严格控制管芯工作的中心频率;(2)设计工作电压于负微分电导较大区域;(3)准确控制工作电流;(4)控制管芯电容,以保证VCO的调谐带宽。     

电子数字程序控制线切割在器件制备工艺中的应用

一、引言 随着电子技术的飞跃发展,对半导体分立器件的电学性能和可靠性要求越来越高。同时,提高器件的生产效率、降低成本、减少原材料的消耗等是一个十分重要的问题。目前国内有些单位采用电子数字程序控制线切割机切割多片叠层的高压硅堆管芯,但对单片管芯的切割尚无成功的报导。本文将讨论在采用台面工艺的高频整流、电源整流、阻尼、升压等硅二极     

热敏电阻在发光二极管热阻测量中的应用

文章介绍了用热敏电阻测量发光二极管热阻的实验装置和原理.把微小尺寸热敏电阻封装在发光二极管管芯支架上,用一次指数衰减函数拟合封装在发光二极管管芯支架上的热敏电阻R-T阻温曲线.通过测量微小尺寸热敏电阻电阻,计算发光二极管管芯温度以及发光二极管的热阻.该实验方法原理简单、明了,数据处理方便,结果可信.