声子色散对量子点中弱耦合极化子光学声子平均数的影响

采用幺正变换和线性组合算符相结合的方法,研究声子色散对抛物量子点中弱耦合极化子电子周围光学声子平均数的影响.计及纵光学(LO)声子抛物色散,导出了量子点中极化子的基态能量和电子周围光学声子平均数随声子色散系数的变化关系.数值计算结果表明基态能量随声子色散系数的增大而减小,电子周围光学声子平均数随声子色散系数的增大而增大.     

抛物量子点中弱耦合极化子声子色散效应

利用线性组合算符和幺正变换相结合的方法,研究了声子色散对抛物量子点中弱耦合极化子性质的影响．计及体纵光学（LO）声子抛物色散,导出了量子点中极化子的基态能量和自陷能随量子点有效受限长度、电子-纵光学声子耦合常数和声子色散系数的变化关系．数值计算结果表明基态能量随声子色散系数的增大而减小,而自陷能随声子色散系数的增大而增大．     

GaN/AlN量子阱中的准受限声子

采用基于宏观介电连续模型的传递矩阵方法研究了任意层纤锌矿量子阱中的准受限声子，得出了任意层纤锌矿量子阱中的准受限声子的本征模解、色散关系；对GaN／A1N单量子阱和耦合量子阱中的准受限声子的色散关系进行了数值计算和讨论。实验发现在阱内的受限行为导致了波矢qe,j的量子化，并且准受限声子的色散随量子阶数m的减小而增强，由色散曲线组成的带随m的增加而变窄。     

应用红外衰减全反射方法研究铌酸锂的电磁耦合场量子的色散曲线

1974年Falge、Nitseh等人发表了应用红外衰减全反射(ATR)方法研究α-石英,K_3Cu(CN)_4等的声子-光子体耦合场量子(Bulk Phonon Polariton)的色散关系。我们利用这个方法研究了铌酸锂(LiNbO_3)这样一个具有多模的激光晶体。先将样品抛光,其光轴C垂直于表面。之后利用P-E580红外光谱仪的ATR附件从4000cm~(-1)到200 cm~(-1)扫描。ATR棱晶选用KRS-5。实验中对不同频率区域要选用不同     

部分填充各向异性介质的圆柱形波导中混合模特性研究

本文首先引入一种新型双向向异性波导结构；给出了这类复杂波导中横向场分量的纵向场表示式以及纵向场分量满足的一组耦合模方程；重点分析了具有不同电磁参数的双各向异性介质中心加载时，金属圆柱形波导中混合模的分裂效应，色散特性和场分布。结果表明，由于多个电磁参数的引入，双各向异性波具有一般各向异性和双各向同性波导结构所没有的新奇特性。     

部分填充双各向异性介质的圆柱形波导中混合模特性研究

本文首先引入一种新型双各向异性波导结构;给出了这类复杂波导中横向场分量的纵向场表示式以及纵向场分量满足的一组耦合模方程;重点分析了具有不同电磁参数的双各向异性介质中心加载时,金属圆柱形波导中混合模的分裂效应,色散特性和场分布。结果表明,由于多个电磁参数的引入,双各向异性波导具有一般各向异性和双各向同性波导结构所没有的新奇特性。     

AH-FDTD方法在工程电磁耦合效应分析中的应用

电磁脉冲可通过对地下工程中的线缆和设备产生耦合，进而产生较大的瞬变电压和电流，导致电气系统出现故障或永久损坏.文中提出采用无条件稳定连带埃尔米特时域有限差分（associated Hermite FDTD，AH-FDTD）方法来分析场对地下工程的电磁耦合问题.建立了两种不同坑道模型（圆形和矩形），采用AH-FDTD方法计算了坑道不同深度、不同被覆层岩土介质（色散和有耗）和不同斜入射角度情况下地下工程中场的分布，分析了不同坑道埋深、不同岩土介质和入射角度等条件下场对坑道工程耦合的影响.研究表明，场对地下坑道工程的耦合与坑道埋深、是否考虑岩土介质的色散性以及入射角度大小有关，而受坑道形状的影响相对较弱.所提AH-FDTD分析方法为防护工程电磁耦合效应研究提供了一种新的途径.     

平板状双轴旋电磁手征波导中的耦合模理论

本文严格分析了一种新型双轴旋电磁手征波导中耦合模的传输特性。首先，给出了这种双各向异性手征波导中各横向场分量的纵向场分量表示式，由此得到了纵向场分量的耦合模方程，以及平板状双轴旋电磁手征波导中的色散方程。用数值方法研究了它的色散和截止特性，特别考察了双各向异性和手征性引起的波模分裂，转换效应。     

纤锌矿GaN/ZnO量子阱中的界面声子

根据介电连续模型和单轴晶体模型,运用传递矩阵的方法研究了纤锌矿量子阱中的界面声子,并且计算和讨论了纤锌矿GaN/ZnO单量子阱和耦合量子阱中的界面声子的色散关系.计算结果表明纤锌矿晶体的各向异性对界面声子模有大的影响:界面声子模出现在两个能量区域中,分别是:[停琓Zno,鵽,TGaN]和[停琇Zno,鵽,TGaN];界面声子随波数q⊥的减小色散越发明显、随波数q⊥增大分别趋近于54.32 meV和86.56 meV两个定值;当波数q⊥值非常小时,出现界面声子的色散消失现象,消失部分将穿越界面声子的能量区域转化为准受限声子或半空间声子.     

非对称高斯势量子点中LO声子自发辐射率的研究

本文在偶极近似下,基于费米黄金规则,采用LL P-Pekar幺正变换变分法研究了双参 量非对称高斯势量子点(QD)中体纵光学(LO)声子的自发辐射率,并讨论了它的单参量抛 物势近似,数值结果表明:声子自发辐射率w随电声耦合强度α、色散系数η 的增加而减小,随高 斯势阱深V₀的增加而增大;声子自发辐射率w随高斯势阱宽L的变化呈现非对称“高斯分布”并受到电声 耦合强度α、色散系数η和高斯势阱深V₀的显著影响;选用双参量非对称高斯势VG描写QD中电子的受 限效应能够反映声子自发辐射的更多量子化特性,而其单参量抛物势VP近似给出的结果较为简单和粗糙。     

电子及杂质离子-LO声子耦合对柱形量子线中杂质态的影响

采用有效质量近似和变分方法,同时考虑电子-约束型体纵光学声子(LO)及杂质离子-LO声子耦合,计算了有限深柱形量子线中杂质的极化效应。计算得到杂质结合能及声子贡献随量子线半径的关系。结果表明由电子-LO声子相互作用引发的极化效应的行为与杂质离子-LO声子相互作用引起的屏蔽效应相反,两种效应最终使杂质的结合能降低。     

基于Agrawal模型的双绞线受扰机理与场线配置

电磁环境日益复杂,电磁兼容性问题涌现,各类干扰对传输线信号传输造成的影响不容忽视。基于经典场线耦合Agrawal模型,结合时域有限差分法(FDTD)对双绞线(TWP)各场线参数的电磁耦合效应进行定量计算,为减少受扰的场线配置提出指导性意见。总结了各参数对双绞线电磁耦合效应的具体影响：线长会影响端接负载处的选频特性;节距影响较小,较小的节距会减小耦合;距地高度会显著影响电磁耦合,且高度越高耦合越强;决定入射方式的入射角、方位角和极化角对电磁耦合效应均有不同程度的影响,通过电场切向分量切片图可知,对某一角的分析需要考虑到其余两角的影响。双绞线传输线的电磁耦合效应与场线参数密切相关,各参数均有不同程度的影响,借助本文模型的计算与对结果的分析,可获得有效的低受扰双绞线传输线配置。     

n层耦合量子阱中的极化光学声子振动:电-声子相互作用哈密顿

在介电连续近似下，推导和讨论了任意层的耦合量子阱系统中的受限纵光学(LO)声子模与界面光学(IO)声子模．为了描述受限纵光学声子的振动，采用了一个正确的LO声子势函数，同时，为了处理系统中的界面光学声子，采用了行列式解线性方程组的方法，得到了量子化的LO与IO声子场以及它们的电-声子相互作用哈密顿．本项工作可以看作是对以前一些工作的普遍化，它提供了一种解决声子效应对多层耦合量子阱系统影响问题的统一方法．     

原子与双模腔相互作用系统中光场的量子特性

研究双模间存在耦合情况下,二能级原子与双模腔场相互作用系统中光场的压缩效应、反聚束效应和亚泊松分布等量子特性。通过对两模间耦合系数取不同值时Mandel Q函数演化曲线的比较,讨论了两模间耦合系数对光子统计分布的影响。研究结果表明,光场呈现出反聚束效应和亚泊松分布,以及两模间呈现反关联等量子特性,但光场不呈现压缩效应;另一方面,随两模间耦合系数的增大,光场的亚泊松分布效应减弱。     

考虑电子与表面光学声子相互作用的极性晶体膜量子比特

基于线性组合算符法和变分法,讨论了极性晶体膜中电子与表面光学声子(SO)耦合强、与体纵光学声子(LO)耦合弱的电子-声子相互作用系统的量子比特及其声子效应.当膜中电子处于基态和第一激发态的叠加态,电子的概率密度在空间做周期性振荡.结果表明振荡周期随耦合强度的增加而减小,随极化子振动频率的增加而增大.考虑电子与SO声子的相互作用,极化子振动频率发生变化,引起电子概率密度发生改变.     

非对称量子点中强耦合磁极化子的性质

采用线性组合算符和幺正变换方法研究了非对称量子点中强耦合磁极化子的性质。导出了非对称量子点中强耦合磁极化子的振动频率和基态结合能随量子点的横向和纵向有效受限长度、磁场的回旋频率和电子-声子耦合强度的变化关系。数值计算结果表明:非对称量子点中强耦合磁极化子的振动频率和基态结合能随量子点的横向和纵向有效受限长度的减小而迅速增大,表现出奇特的量子尺寸效应。振动频率和基态结合能随回旋频率的增加而增大,随电子-声子耦合强度的增加而增大。     

非对称量子点中强耦合束缚极化子的性质

采用线性组合算符和幺正变换方法研究库仑场对非对称量子点中强耦合极化子性质的影响。导出了非对称量子点中强耦合束缚极化子的振动频率、基态能量和基态结合能随量子点的横向和纵向有效受限长度,库仑束缚势和电子-声子耦合强度的变化关系。数值计算结果表明:非对称量子点中强耦合束缚极化子的振动频率、基态能量和基态结合能随量子点的横向和纵向有效受限长度的减小而迅速增大,表现出新奇的量子点的量子尺寸效应。基态能量随库仑束缚势和电子-声子耦合强度的增加而减小,振动频率和基态结合能随电子-声子耦合强度和库仑束缚势的增加而增大。     

纤锌矿InxGa1-xN/GaN量子阱中的界面声子模

采用赝原胞模型计算讨论纤锌矿InxGa1-xN混晶性质;基于宏观介电连续模型的传递矩阵方法研究任意层纤锌矿量子阱中的界面声子,得出任意层纤锌矿量子阱中的界面声子的本征模解和单量子阱的色散关系,并对InxGa1-xN/GaN单量子阱界面声子的色散关系进行了数值计算和讨论。结果表明,纤锌矿InxGa1-xN混晶中的E1声子和A1声子都表现为单模行为;在对称非应变单量子阱GaN/InxGa1-xN/GaN中,界面声子频率随x的变化呈线性关系。     

柱形量子点中量子比特的消相干时间

通过求解柱形量子点的能量本征方程,得到极化子的基态和第一激发态的本征能量以及本征波函数,进而根据基态和第一激发态构造一个量子比特。数值计算讨论了消相干时间与色散系数、电子-体纵光学声子耦合强度、柱形量子点的半径及柱高的变化关系。     

Mollow谱线与电磁诱导透明和吸收的叠加

对双耦合场作用下的Λ型三能级系统的透明和吸收特性进行了理论研究。在二能级系统中,强耦合场和探测场同时作用于激发态能级和基态能级之间,探测吸收曲线上出现Mollow谱线。在激发态能级和基态的另一精细结构能级之间引入另一个耦合场,构成Λ型三能级系统。在这个双耦合Λ型三能级系统中,出现了一些新的量子相干现象。结果表明,探测吸收谱线中不仅有Mollow现象,还出现了电磁诱导透明(EIT)和电磁诱导吸收(EIA)。分析了EIT和EIA的位置随双耦合场参数的变化规律,并用缀饰态理论做出了解释。