在VLSI方面的竞争

<正> 除以前发表过的日本两家公司研制成256K位动态RAM以外,目前,许多公司也正在研制256K位动态RAM,并取得一定进展。IBM公司已试制了288K位动态RAM芯片;Motorola公司最近也发表了256K×1位动态RAM的一览表,预计样品在年内或83年初出厂,最大存取时间将为100ns,内有再生功能,单元面积84μm~2,芯片面积46.4mm~2;日立也宣布今年秋季将提供样品。东芝公司在批量生产第一代VLSI产品-64K位动态RAM方面一直落后于日立、富士通等公司,据称东芝将通过首先推出1M位RAM来保持它在VLSI方面的竞争能力,他们计     

CMOS存贮器

半导体存贮器取代磁心存贮器而成为存贮器市场的主要主品,可以予见,今后将更迅速地向大容量和高速化方向发展,NMOS RAM领域内,16K的动态存贮器和AK的静态存贮器已经商品化。即使对于将PMOS和NMOS作在同一个片子上的互补器件CMOS RAM领域,也在朝大容量化和高速化进展本公司已生产出1K位的CMOS RAM。研制了目前世界领先的1024字×4位的C~2MOS静态存贮器TC50419,并已作为正式商品,参见表1,图1。     

采用多晶硅位线增大单元电容量的MK4164型64KDRAM

在设计64K位动态RAM时,仅把现有的16K位动态RAM按其原有的几何尺寸缩小的方法是一种使人误入歧途的设计方法。总而言之,16K位动态RAM是在存储器中产量最多的一种器件并且Mstek公司也是其中产量最大的厂家。但是,根据制作16K位动态RAM的经验表明,在设计中照原样模仿16K位动态RAM的方法是一种愚笨的方法。     

发展集成电路必须重视半导体设备

一、引言近二十年来,以集成电路(IC)和微计算机为中心的微电子技术发展十分迅速。集成电路已从小规模集成电路发展到了超大规模集成电路(VLSI)。目前已能大量生产第一代VLSI(16K位静态RAM~*、64K位动态RAM及16位微处理器);科研水平是第二代VLSI(64K位静态RAM、256K位动态RAM及32位微处理器);今年将发表256K位静态RAM。在整个七十年代中,电路的集成度平均每两年提高4倍,每块电路     

MN41256型256k DRAM

半导体存贮器集成度的提高是惊人的,随着每位单价的下降,市场对集成度提高的要求愈来愈强烈。作为1981年开始大量生产的64k位动态RAM(64kDRAM)的下一代产品的256kDRAM现已达到     

兼备VME和PCI优点的vPCI

VME总线和PCI总线 PCI总线是在1991年由Intel公司推出的计算机外设互连总线,以适应32位和64位微型计算机的发展,它的传输速率可达到132(32位)MB/秒至264(64位)MB/秒,目的是取代在1981年由IBM公司开发的ISA的8位微机总线和1984年的AT的16位微机总线,它们的传输速率分别是2MB/秒和8MB/秒。显然,Intel公司     

最近的半导体工艺技术的发展

批量生产的第一代超LSI 以半导体存储器为中心的动态(D)RAM,目前已从16K位发展到64K位,静态(S)随机存取存储器从4K位发展到16K位,完成了对第一代超大规模集成电路器件的开发,经用户试用和确认结果合格,最终进入了实用化阶段。 目前,一部分公司业已发展了256K位动态随机存取存储器,64K位静态随机存取存储器等所谓第2代正式超大规模集成电路器件,由今年春季开始已部分地投入市场。至今为止,仅在2年之中,集成度扩大了四倍,然而,由16K位过渡到64K位器件则需要3.5～4年左右。理由是     

M5K416S型自备刷新功能的64DKRAM器件

1980年,各公司都制作出了64K动态RAM(64K DRAM)样品,1981年将进入批量生产的竞争时代。 三菱电机公司于1979年11月开始提供5V单电流工作的高性能64KDRAM样品,其后又对其规格、特性和质量作了改进,1980年9月制作成功质量与16KDRAM一样的高性能64K DRAM(产品型号:M5K 4164S),并已达到批量生产水平。     

隐含刷新技术在MEK6800D_2中的应用

本文概述MOS动态RAM刷新的一般原理,并介绍一个用国产4K动态存贮器构成的4K×8存贮体,此体采用隐含刷新。     

高速4KCMOS静态RAM

日立制作所研制成功一种4K位CMOS静态RAM,其速度是世界最快的——存取时间为35毫微秒。制作这种存贮器采用的是该公司自己发展的Hi—CMOS工艺:双层多品硅布线技术和2.5微米精细加工技术。这种存贮器的功耗低,适用于fi|小型}11算机的现金存贮器、缓冲存贮器和可编程序存贮器。高     

内含场存贮器的家用VTR

东芝公司研制了内含场存贮器的家用VTR。放静止图象时,不存在时间延迟。减速放像或两倍加速放像时的图象质量良好。也可以接收广播电视的信号以静立图象输出。使转动碰头的装配变得方便容易。场存贮器由标准的动态RAM组成,使用四个64k×4位和两个64k×1位DRAM,用6位的分辩率把复合电视信号作A-D转换。标准频率是彩色载波频率的3倍。     

采用1.5gm微细CMOS技术的64kSRAM

近几年来,随着半导体存贮器集成度的提高,高速静态RAM正以16k、64k产品为中心持续地向前发展。为适应不断扩大的应用领域的要求,在其位结构、封装形式等方面产品也会多种多样。另外,通过产品多样化,位成本的降低等,促进了超大型计算机的主存贮器、个人计算机的高速缓冲存贮器等新的、大的应用领域的飞速发展,对高速静态RAM的需求量必将与日激增。     

高速图象应用的4结构和CMOS 256k位动态RAM的研制

在256k×1位结构的标准产品基础上,具有高速存取功能、作图象存贮器应用的64k×1位和32k×8结构等各种各样的第二代256k动态RAM正在研制成功。外围电路采用CMOS结构也很引人注目。不久,这些产品除×1结构之外,将占256k RAM总数的30％。最引人注目的是周期时间小于50ns的静态列式CMOS型,以及供图象应用的双通道64k×4位产品的新应用研究。     

MCM6664型自备刷新功能的64KRAM

一般说来,由于动态随机存取存贮器集成度高,所以价格便宜,但另一方面它必须有对存贮器进行刷新的控制电路等等麻烦的设计。 莫托洛拉公司为了使以前的动态随机存取存贮器(DRAM)更便于使用,在64K动态随机存取存贮器上附加了刷新控制用的引线(参看图1)。这个附加有刷新控制电路的64K动态随机存取存贮器MCM6664采用了HMOS(高性能金属氧化物半导体)工艺,是运用N沟硅栅技术制造的,所以它的存取时间短。并且由于采用+5V单电源,故可减少功耗,还兼有刷新控制功能,可以说MCM6664型64KDRAM是一种具有非常高综合性能的产品。     

单片微计算机作智能转接板

单片微计算机(以下简称单片机),是在一块芯片上包含了中央处理机(CPU)、数据存贮器(64～256字节RAM)、定时/计数器、输入输出(I/O)口及时钟等电路,有的还包含有1～8K字节的程序存贮器(ROM/EPROM).用单片微计算机组成一个专用的微机系统非常方便灵活,而且体积小,可靠性高,价格低廉.鉴于上述优点,它在工业控制、智能仪表中应用很广,本     

多功能EPROM写入器

在微计算机系统中,通常采用两种不同类型的存贮器:易失性存贮器(如随机存取存贮器RAM)和非易失性存贮器(如只读存贮器ROM).ROM可分为制造厂编程和用户编程两种.前者用于固化某些使用中不需变更的程序或数据,后者又分为可擦除和不可擦除两种.其中紫外光可擦的只读存储器(EPROM)由于其使用灵活性而得到广泛的应用. 目前常用的EPROM品种较多,有Intel公司的2708,2716,8755,2732,2764和Motorola公司的TMS2716等.除微机开发系统能写几种型号EPROM外,一般的微型机不具备写EPROM的功能或仅能写某种型号的EPROM.因此,设计一种多功能EPROM写入器,将进一步推动微型机的发展与应用.     

东海0540CM微型计算机和它的高速缓冲技术

东海0540 CM是当今最先进的微机之一,它以新颖的结构、卓越的性能、广泛的适用面和合理的价格,受到广大用户的欢迎。一、性能简介东海0540 CM是一种采用Intel 80386-25微处理器的超级32位微机,主振频率达25MHz,它含有一个i82386-26的高速缓冲控制器,管理64K的静态RAM,使内存的速度跟得上处理器的速度。东海0540 CM支持多达16MB的动态RAM,可满足各种     

日本几家公司发展动态

美国得克萨斯仪器公司(TI)和莫托洛拉公司加强在日本国内市场的销售与技术装备能力.TI在日本已有两个IC生产工厂.目前在东京东北约60公里的茨城县稻敷郡还要开办一个新工厂——制造大规模集成电路(日本TI),预定在1981年投产,生产64K位动态RAM和有关器件.新工厂的规模比现有的工厂要大得多.     

256K动态RAM采用32K×8结构

据《EDN》1983年第25期报道:Mostek公司采用了一项新的处理技术,这项技术可提供存取时间低到100毫微秒。M K4856 256K动态RAM给出的32KX8的编排方式居同类产品之首。它的目标在于不需要大量的固态存贮器的μp基础系统。这种器件适合     

一种256k动态随机存取存贮器

本文介绍一种采用冗余技术的5伏电源电压工作的256k×1位NMOS动态RAM。这种存器使用2.3微米设计规则,存贮单元设计为叠式位线结构,其行节距为6.5微米,读出放大器节距为18微米;硅化钽/多晶硅结构用作第二层多晶硅层,以减少行钱时间常数;存贮电容为60fF,而且采用HiC单元结构,这样使得存贮器具有很好的抗α粒子特性;管芯尺寸为4.66×11.65毫米,采用标准的0.3英寸(7.62毫米)厚的16腿双列直插式管壳封装。这种存贮器以256刷新周期工作,刷新时间为4毫秒;典型的RE/CE存取时间为105/65毫米微秒;工作功耗为250毫瓦,典型的维持功耗小于20毫瓦;这种存贮器与西方电气公司现有的5伏64k存贮器兼容。