投影光刻机工件台的压力-真空平衡气足研究

主要介绍投影光刻机工件台的压力 -真空平衡气足设计 ,对压力 -真空平衡气足的径向压力分布、最大刚度、最佳气膜间隙以及承载能力进行了分析 ,并给出了气足结构参数的优化设计     

100nm步进扫描投影光刻机工件台、掩模台的发展

阐述了100nm步进扫描投影光刻机工件台、掩模台的功能与构成，并通过对国内外100nm步进扫描投影光刻机工件台、掩模台的技术现状的分析，总结出了100nm步进扫描投影光刻机工件台、掩模台所包含的各项关键技术，为100nm步进扫描投影光刻机工件台、掩模台的研制奠定了基础。     

步进扫描投影光刻机工件台和掩模台的进展

着重介绍了当前国外步进扫描投影光刻机的工件台和掩模台的发展状况，并对套刻精度和整机精度进行了分析。     

0.35μm分步重复投影光刻机气浮工件台研究

本文阐述了气浮工件台的组成、工作原理及控制方法 ,对影响气浮工件台重复定位精度的各种因素做了详细的介绍     

一种测量光刻机工件台方镜不平度的新方法

提出一种新的步进扫描投影光刻机工件台方镜不平度测量方法。以方镜平移补偿量与旋转补偿量为测量目标,使用两个双频激光干涉仪分别测量工件台在x和y方向的位置和旋转量;将方镜不平度的测量按照一定的偏移量分成若干个序列,每一个序列包括对方镜有效区域的若干次往返测量;根据所有序列的测量结果计算出方镜的旋转补偿量;为每一个序列建立临时边界条件,并据此计算出每一序列所测得的方镜粗略平移补偿量;采用三次样条插值与最小二乘法建立每一个序列间的关系,以平滑连接所有测量序列得到精确的方镜平移补偿量。结果表明,该方法用于测量方镜平移补偿量,测量重复精度优于2.957 nm,测量旋转补偿量,测量重复精度优于0.102μrad。     

PTFE快速定位系统研究

介绍了采用压力 -真空平衡气足作支承、PTFE材料作导轨的工件台的组成 ,并对气足的设计计算进行了讨论。最后给出了所研究的工件台的检测结果。     

硅尖阵列-敏感薄膜复合型阴极真空微电子压力传感器特性的测试

封装、测试了硅尖阵列-敏感薄膜复合型阴极的真空微电子压力传感器，在计算机模拟计算的基础上，对封装好的真空微电子压力传感器进行了实物测试，得出实物测试场发射电流曲线（开启电压低，发射电流曲线与计算机模拟曲线一样，电压45V时发射电流可达到86mA，平均每个硅尖为21μA）、压力特性曲线（呈线性变化，与计算机模拟计算的曲线相近）及灵敏度数据。电压1.5V即可测试并且其压力特性成线性变化，灵敏度为0.3μA/kPa。     

接近式深度光刻机掩模-硅片间的衍射研究

:近年来 ,微型机电系统技术高速发展 ,对作为其基础技术的微细加工设备的需求也越来越大。重点讨论接近式深度光刻机的掩摸和硅片间的衍射 ,其中对掩模与硅片间的夫琅和费衍射和菲涅尔衍射进行了区别 ,并提出了接近深度光刻机掩模-硅片间的衍射应属于菲涅尔衍射 ,同时具体分析单缝型掩模的菲涅尔衍射公式。对深入理解和认识接近式深度光刻机的掩模 -硅片间衍射的物理本质提供了更为方便的研究手段。     

0.8～1μm分步重复投影光刻机主要机构控制系统研制

传输片、预对准、调平及预调焦系统是分步重复投影光刻机的重要组成部分 ,其精度和运行可靠性对分步重复投影光刻机的整机性能指标将产生重大影响。介绍了 0 8～ 1 μm分步重复投影光刻机传输片、预对准、调平及预调焦控制系统的组成及控制软件 ;分析了预对准、机械手上片、调平及预调焦的精度和运行可靠性 ,并给出了研制结果。     

用于光刻机模拟运动的精密工件台宏动定位系统研制

为给步进扫描光刻机的设计研究提供理论指导,解决光刻机工件台宏动定位平台的设计和控制问题,根据工业应用中步进扫描光刻机的运动特点和工作要求,设计了一种H型精密工件台宏动定位系统和同步控制方案。试验结果表明,其各项性能指标均满足设计要求,对指导实际工业应用具有一定的参考价值。     

MEMS圆片级真空封装金硅键合工艺研究

提出一种适用于微机电系统(MEMS)圆片级真空封装的键合结构,通过比较分析各种键合工艺的优缺点后,选择符合本试验要求的金硅键合工艺.根据所提出键合结构和金硅键合的特点设计键合工艺流程,在多次试验后优化工艺条件.在此工艺条件下,选用三组不同结构参数完成键合试验.之后对比不同的结构参数分别测试其键合质量(包括键合腔体泄漏率...     

极紫外光刻真空工件台技术研究

在极紫外光刻系统中,真空工件台的运行精度、速度、加速度以及动态定位和扫描同步性能是影响整机成像质量、套刻精度和产率的重要因素。结合极紫外光刻机的工作原理和发展现状,论述了极紫外光刻机真空工件台系统的特征、组成及其关键技术。     

用SACP技术研究ELID磨削后的单晶硅片表面变质层

利用扫描电镜的选区电子通道花样技术研究了用ＥＬＩＤ磨削技术制作的两种单晶硅片磨削样品的表面变质层的厚度及其结构。结果表明，表面粗糙度依次为９．５ｎｍ和２２．５ｎｍ两种〈１１１〉单晶硅片样品的变质层厚度分别为２．８μｍ和４．８μｍ。     

装片机晶片台运动控制系统的分析

论述了装片机晶片台伺服电机选型计算和运动控制技术,采用伺服电机构成了半闭环反馈控制系统,实现了晶片台的高速、高精度定位控制。