世界第二条8英寸IGBT专业芯片线将在株洲投产

正近日,被业界认为现代变流工业"皇冠上的明珠"的关键技术在中国南车取得产业化突破:公司投资近15亿元的IGBT产业化基地建成并即将投产。这是国内首条、世界第二条8英寸IGBT专业芯片生产线,首期将实现年产12万片8英寸IGBT晶圆,配套生产100万只IGBT模块,真正实现IGBT的国产     

新闻

南车时代电气放彩德国PCIM Europe 2011 2011年5月17～19日,在德国纽伦堡举办的PCIM Europe 2011展会上,南车时代电气下属的电力电子事业部与Dynex有限公司携手亮相,展出了一系列世界领先的大功率半导体器件,其中包括大功率IGBT、6英寸高压晶闸管、功率组件等。南车时代电气今年5月在中国株洲投入了国内首条8英寸IGBT芯片生产线项目。南车时代电气成为了从芯片设计、到模块封装,再到系统应用,国内唯一掌握IGBT成套技术,形成完整产业链的企业。在为期三天的展会中,很多客户对大功率IGBT器件的展示产生了浓厚的兴趣,很多客户在听完相关介绍后及时将目前新建或改造的项目与行业经理及工程师进行充分交流,工程师均——给予详     

国内首条8英寸IGBT芯片生产线将投产

正据中国南车技术专家介绍,高速列车为什么会跑得那么快?牵引控制系统是关键,一个小小的试生产的芯片已经通过了技术专家鉴定,将于2014年6月全线投产,也意味着届时中国高铁将迎来自己的"IGBT芯时代"。中国南车也成为国内唯一一家全面掌握IGBT芯片技术研发、模块封装测试和系统应用的企业。南车时代电气成功并购世界知名半导体企业丹尼克斯公司75%的股权,成为我国轨道交通企业首     

南车奋发振“芯”中国——访株洲南车时代电气股份有限公司电力电子事业部总经理 吴煜东先生

未来十年,高铁、新能源、电动汽车、智能电网将保持每年20%-30%的增长,IGBT作为这些产业的核心元件,成为了众多厂商新的竞争市场。目前中国IGBT市场95%以上的供应商都是外国企业,面对着被国外垄断的市场,国内企业也不甘示弱,积极加大对IGBT技术的研发,打造中国芯,IGBT的国产化将极大提升中国高铁、新能源,电动汽车、智能电网这些产业的国际地位。作为是中国最早开发大功率IGBT的企业之一,南车时代电气电力电子已经掌握IGBT全套技术,实现了IGBT器件的国产化。近日,我们有幸采访到株洲南车时代电气电力电子事业部总经理吴煜东先生(以下简称吴总),一起分享电力电子事业部为打造中国芯所付出的努力和未来的发展大计。     

中国南车成立海外半导体研发中心

近日,中国南车在英国林肯丹尼克斯公司成立了半导体研发中心,并举行了丹尼克斯第一期六英寸IGBT芯片线开通仪式,为实现功率半导体器件世界第一的战略目标奠定了更加坚实的基础。中国南车2008年10月成功收购了丹尼克斯半导体公司,获得了战略性资源,与中国南车现有功率半导体产业形成优势互补。为寻求更大发展,南车确立了功率半导体器件世界第一的战略目标,于2009年底成功完成丹尼克斯公司的     

我国首款复合型智能语音芯片在长虹研发成功

7月8日,长虹和中科院声学所联合宣布:中国首款复合型智能语音芯片由双方合作研发成功。这是继自主开发的等离子屏PDC芯片HMW8238量产之后,长虹在芯片领域的又一项最新成果。"这款智能语音芯片拥有完     

PCIM 2010中国上海展南车时代半导体器件产业化基地正式建成投产，将精彩亮相

近日，PCIM组委会从株洲南车时代得知．南车时代6英寸大功率半导体器件产业化基地建成投产。作为PCIM2010的参展商．也期待着展会期间南车时代的精彩亮相。     

国内12英寸晶圆生产线悄然崛起

全球12英寸晶圆生产线后浪推前浪 不断扩大晶圆尺寸和缩小芯片特征尺寸已经成为推动半导体产业向前发展的两大轮子。12英寸晶圆所容裸芯片数是8英寸晶圆的2．5倍，所以12英寸晶圆比8英寸晶圆节省30％成本，采用12英寸晶圆的每个芯片所耗能量、水量比8英寸少40％。2002年12英寸晶圆制造设备量产，同年全球拥有14条12英寸晶圆生产线；     

南车时代电气精彩亮相中国国际智能电网展

株洲南车时代电气股份有限公司电力电子事业部精彩亮相中国国际智能电网展,在展期三天内,展出了一系列世界领先的大功率半导体器件。作为我国大功率半导体器件技术研发的先驱单位,通过40多年的术业专攻,株洲南车时代电气股份有限公司电力电子事业部已经成为我国最具竞争     

"十五"计划过半时中国IC芯片制造工艺线建设现状

时间天天在飞驰,好像昨天刚制订了集成电路行业“十五”发展计划,眼睛一眨,“十五”计划时间已过去了一半。我国在"十、五"期间要抓紧建设的重要项目中有关IC芯片生产线建设有三个目标:● 建设3～4条6英寸芯片生产线,扩大市场适销对路产品的生产能力;● 建设6～7条(最初提4～5条)8英寸芯片生产线,形成0.35～0.18微米技术产品的生产加工能力;● 建设1～2条12英寸芯片生产线,形成0.18～0.13微米技术产品的生产加工能力。“十五”计划开始前,2000年底我国共有25条4英寸～8英寸芯片生产线:1条8英寸线(上海华虹NEC)、3条6英寸线(北京首钢日电、…     

新闻

南车时代电气精彩亮相中国国际智能电网展换流阀高压半导体器件生产商株洲南车时代电气股份有限公司电力电子事业部精彩亮相中国国际智能电网展,在展期三天内,展出了一系列世界领先的大功率半导体器     

时代电气牵手飞思卡尔微电子实验室落户株洲

日前，全球领先的半导体供应商飞思卡尔半导体与株洲南车时代电气股份有限公司合作建设的“飞思卡尔一时代电气联合实验室”在株洲成立，这是中国轨道交通领域的第一家微电子实验室。[第一段]     

海力士-意法半导体无锡存储器制造厂正式落成

由海力士和意法半导体公司于2005年4月在无锡合资建设的存储器芯片前端制造厂于近期正式落成。该工厂主要生产8英寸和12英寸的NAND闪存和DRAM芯片。目前,DRAM芯片采用80nm、90nm和110nm制造工艺,90nm和110nm晶圆在8英寸生产线上生产,80nm晶圆在12英寸生产线上生产。2007年中,除     

我国第一片8英寸键合SOI芯片在沪研制成功

中科院上海微系统与信息技术研究所日前宣布,由王曦研究员领导的SOI研究小组,在上海新傲科技有限公司研发平台上,通过技术创新,制备出我国第一片8英寸键合SOI芯片,实现了S01芯片制备技术的重要突破。8英寸SOI晶圆片的成功开发,标志着该研究小组已经掌握了大尺寸键合SOI芯片制备的关键技术,为大尺寸键合SOI芯片的产业化打下了坚实的基础。     

闽台企业联合投资30亿元建设8英寸集成电路芯片项目

日前,从福建省国资委获悉,福顺晶圆科技8英寸集成电路芯片项目在福州正式奠基动工。该项目是闽台对接四大重点项目之一,也是福建省首条8英寸集成电路芯片生产线,占地332亩,总投资30亿元;其中第一期投资10亿元,建成后可年产8英寸集成电路芯片24万片,年产值约9亿元,将弥补福建省高科技产业链中大尺寸集成电路的空白。     

华芯：DRAM芯片与USB3．0主控芯片两大产品推动内存芯片国产化进程

华芯半导体公司是中国领先的存储器芯片设计研发和高端集成电路芯片封装测试企业。公司总部位于济南,下设西安华芯半导体有限公司（存储器研发中心1、SoC研发中心、山东华芯微电子科技有限公司（封装测试事业部）,并在硅谷、慕尼黑和香港设立合作研发中心。2009年5月,华芯半导体成功收购德国奇梦达中国研发中心,自主研制大容量动态随机存储器（DRAM）芯片并成功量产销售;2011年公司研发出USB3．0超高速存储控制SoC芯片;同年,公司在济南建成高端集成电路封装测试生产线。     

焊层空洞对IGBT芯片温度的影响

焊层空洞是造成IGBT模块散热不良的主要因素,基于IGBT的七层结构,建立了IGBT模块封装结构的三维有限元模型并对其进行热分析,研究焊层空洞对IGBT芯片温度的影响。对比了有无焊层空洞时IGBT模块的整体温度分布,分析了空洞类型、空洞大小、空洞形状、空洞数量及空洞分布对IGBT芯片温度分布的影响。研究结果表明:芯片焊层空洞对芯片温度的影响较大,衬板焊层空洞对芯片温度的影响较小;贯穿型空洞对芯片温度的影响要大于非贯穿型空洞;单个空洞越大,IGBT芯片温度越高;相同形状的空洞,处于边角位置比处于焊层内部对芯片温度影响大;多个空洞分布越集中,芯片温度越高;焊层缝隙对芯片温度的影响要小于空洞对芯片温度的影响。因此,在封装过程中应避免出现芯片焊层空洞,以提高IGBT的可靠性。     

应用材料公司与上海集成电路研发中心签署战略合作备忘录 持续支持中国集成电路产业的成长

全球领先的半导体创新设备、服务和软件供应商应用材料公司在"第十届中国国际半导体博览会暨高峰论坛(IC China 2012)"上宣布与上海集成电路研发中心共同签署战略合作备忘录,以进一步加强发展上海集成电路研发中心的12英寸(1英寸=2.54 cm)芯片制造研发平台,持续支持中国集成电路产业技术创新能力的提升。     

技术内核驱动 南车驶上发展快车道——访南车时代电气电力电子事业部总经理吴煜东先生

作为我国大功率半导体器件技术研发的先驱单位,最具竞争实力的大功率半导体器件供应厂商,株洲南车时代电气股份有限公司（简称“南车时代电气”）在上海PCIM2010中国电力电子展览会上精彩亮相。此次展会上,南车时代电气旗下的电力电子部与丹尼克斯半导体有限公司联合带来了最新的半导体科技产品展示,南车时代电气电力电子事业部总经理吴煜东先生在展会现场与本刊记者分享了该公司在电力电子行业的最新动向。     

普瑞光电与东芝公司在8英寸硅基氮化镓LED芯片方面实现突破,获世界级性能

2012年5月10日,普瑞光电公司与东芝公司宣布,在年初两家公司达成合作协议短短几个月后,两家公司共同研发出了行业顶级的8英寸硅基氮化镓LED芯片。该芯片仅1.1mm,在电压低于3.1V、电流为350mA时发射功率达614mW。面对全球液晶面板和照明系统对LED芯片日益增长的需求,普瑞光电与东芝公司将进一步加快在这一领域的研发步伐。