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视听资料索引（一）播控中心系统与设备６８４业务用摄像机入门（２）匕子才ａ（日），１９９５．２，ｐ６８～７１６８５业务用ＨＤＴＶ摄像机ＫＨ－１００匕子才ａ（日），１９９５．２．Ｐ４２～４７６８６电视摄像的基础匕子才Ｑ（日）．１９９５．２，ｐ２０～２６６...     

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视听资料索引（一）播控中心系统与设备９７３注视宽屏幕电视机的普及动向匕守才ａ（日），１９９５．１０，Ｐ２８～３１９７４宽屏幕电视机的种类与特征匕于才对日），１９９５．１０，Ｐ３２～３８９７５宽屏幕画面的制作问题匕子才０（日），１９９５．１０，Ｐ４４～...     

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视听资料索引（一）播控中心系统与设备４９０超宽频带６０万像素３ＣＣＤ摄像机ＨＫ－３７７／３７７Ｐ放送技术（日），１９９４．８，Ｐ５９～６４４９１索尼的ＢＶＰ－７００系列摄像机放送技术（日），１９９４．８，Ｐ６５～７０４９２日立ＳＫ－２０００系列数字摄...     

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视听资料索引（一）据控中心系统与设备９３３索尼、松下公司家用数字摄录机匕子才ａ（日），１９９５．９，Ｐｌｌ３～１１６９３４数字电视的误差检测及处理ＳＭＰＴＥ（英），１９９５．１０，Ｐ６６２～６６５９３５基本的数字声音测试技术ＳＭＰＴＥ（英），１９９５...     

AlGaAs／InGaAs功率PHEMT用异质材料的计算机优化与器件实验结果

借助一新的工艺模拟与异质器件模型用ＣＡＤ软件──ＰＯＳＥＳ（Ｐｏｉｓｓｏｎ－ＳｃｈｒｏｅｄｉｎｇｅｒＥｑｕａｔｉｏｎＳｏｌｖｅｒ），对以ＡｌＧａＡｓ／ＩｎＧａＡｓ异质结为基础的多种功率ＰＨＥＭＴ异质层结构系统（传统、单层与双层平面掺杂）进行了模拟与比较，确定出优化的双平面掺杂ＡｌＧａＡｓ／ＩｎＧａＡｓ功率ＰＨＥＭＴ异质结构参数，并结合器件几何结构参数的设定进行器件直流与微波特性的计算，用于指导材料生长与器件制造。采用常规的ＨＥＭＴ工艺进行ＡｌＧａＡｓ／ＩｎＧａＡｓ功率ＰＨＥＭＴ的实验研制。对栅长０．８μｍ、总栅宽１．６ｍｍ单胞器件的初步测试结果为：ＩＤｓｓ２５０～４５０ｍＡ／ｍｍ；ｇｍ０２５０～３２０ｍＳ／ｍｍ；Ｖｐ－２．０－２．５Ｖ；ＢＶＤＳ５～１２Ｖ。７ＧＨｚ下可获得最大１．６２Ｗ（功率密度１．０Ｗ／ｍｍ）的功率输出；最大功率附加效率（ＰＡＥ）达４７％。     

空间电荷限制电流法对a—Si：H隙态密度的测量

本文介绍了用于测量ａ－Ｓｉ：Ｈ隙态密度的空间电荷限制电流（ＳＣＬＣ）法，并报道了采用此方法对ＰＥＣＶＤ方法制备的ａ—Ｓｉ：Ｈ材料隙态密度的测量结果。对ｎ＋ａ—Ｓｉ：Ｈ／ａ—Ｓｉ１Ｈ／ｎ＋ａ—Ｓｉ：Ｈ结构的样品，测量得到费米能级上０．１６ｅＶ间的欧态密度分布为１０１５～１０１８（ｃｍ－３ｅＶ－１）。     

半导体长波长异质结构材料光压谱测试探讨

本文介绍了ＩｎＰ、ＩｎＧａＡｓ、ＩｎＧａＰ、ＩｎＧａＡｓＰ等的光压港（ＰＶＳ）。并把ＩｎＧａＡｓＰ（在特定组份下）的ＰＶＳ与ＦＦＴ—ＰＬ谱进行了比较；分析和讨论了ＰＶＳ测试的局限性和复杂性；指出了对多层异质结构材料，只有把器件结构、外延工艺、ＥＣＶ测试等结合起来，才可能正确地理解ＰＶＳ给出的测试结果。     

GaInP材料生长及其性质研究

用Ｘ光双晶衍射、Ｈａｌｌ和光致发光研究了ＭＯＣＶＤ生长的ＧａｘＩｎ１－ｘＰ（ｘ＝０．４７６～０．５０５）外延层．发现Ｇａ组分随Ｖ／Ⅲ比的增大略有下降，认为是由于Ｇａ－Ｐ键比Ｉｎ－Ｐ键强所造成的．７７Ｋ下电子迁移率达３３００ｃｍ２／（Ｖ·ｓ）．Ｇａ０．５Ｉｎ０．５Ｐ的载流子浓度随生长温度升高、Ｖ／Ⅲ比的增大而降低，提出磷（Ｐ）空位（Ｖｐ）是自由载流子的一个重要来源．１７Ｋ下ＰＬ峰能和计算的带隙最大相差１１３ｍｅＶ，这可能与ＧａＩｎＰ中杂质或缺陷以及其中存在有序结构有关．     

用光热偏转谱拟合计算研究非晶硅缺陷态及其稳定性

通过光热偏转谱（ＰＤＳ）研究了衬底温度对用超高频辉光放电（ＶＨＦ－ＧＤ）制备的ａ－Ｓｉ：Ｈ光学特性的影响，考虑了电子在缺陷态的相关统计，数字拟合各样品在不同亚稳状态下ＰＤＳ次带吸收谱（０．８￣１．７ｅＶ），获得带尾态，光能隙，缺陷态分布及相关能等电子态结构参数。结果表明，缺陷态分布随光照时间向能隙深处移动，相关能增加，在电中性条件下，用迭代法求出费米能级与电导率，与实验结果吻合较好，分析讨论所用计     

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视听资料索引２２５以格式划分的视频编辑系统６ｙ才ａ（日）１９９３．８Ｐ３２—３５２２６低成本小规模编辑系统的现状匕守才ｕ（日）１９９３．８Ｐｍ。３８２２７视频编辑系统的组建实例与注意事项〔宁ｈａ（日）１９９３．８Ｐ３９—４９２２８组建小规模视频编辑系...     

nc-Si∶H/c-Si量子点二极管中的共振隧穿特性分析

采用常规ＰＥＣＶＤ工艺，在Ｎ型单晶硅（ｃ－Ｓｉ）衬底上沉积薄层纳米Ｓｉ（ｎｃ－Ｓｉ）膜，并进而制备了ｎｃ－Ｓｉ∶Ｈ／ｃ－Ｓｉ量子点二极管．在１０～１００Ｋ温度范围内实验研究了该结构的σ－Ｖ和Ｉ－Ｖ特性．结果指出，当反向偏压为－７～－９Ｖ时，无论在σ－Ｖ还是在Ｉ－Ｖ特性曲线上都观测到了近乎等间距的量子化台阶，此起因于在ｎｃ－Ｓｉ∶Ｈ膜中具有无序排布且粒径大小不一的Ｓｉ微晶粒中，由于微晶粒中能级的量子化而导致的共振隧穿现象．如果进一步改进膜层生长工艺，以制备出具有趋于有序排布、尺寸均匀和粒径更小的Ｓｉ微晶粒的     

NEAX61在No．7信号系统下呼叫接续的过程

ＮＥＡＸ６１在Ｎｏ．７信号系统下呼叫接续的过程天津日电通信技术有限公司卢凤瑜ＮＥＡＸ６１交换机为了实现Ｎｏ．７信号系统，在硬件方面，增加了信号处理机架（ＣＣＳＰ），包括信号处理机（ＣＳＰ）和公共信道信号模块（ＣＣＳＭ）。同时在服务中继模块（ＳＶＴＭ）...     

低压MOCVD外延生长InGaAsP／InP应变量子阱材料与器件应用

本文报道用低压有机金属化合物化学气相淀积（ＬＰ－ＭＯＣＶＤ）外延生长ＩｎＧａＡｓＰ／ＩｎＰ应变量子阶材料，材料参数与外延条件的关系，量子阱器件的结构设计及其器件应用．用所生长的材料研制出宽接触阈值电流密度小于４００Ａ／ｃｍ２（腔长４００μｍ），ＤＣ－ＰＢＨ结构阈值７～１２ｍＡ的１．３μｍ量子阱激光器和宽接触阈值电流密度小于６００Ａ／ｃｍ２（腔长４００μｍ），ＤＣ－ＰＢＨ结构阈值９～１５ｍＡ的１．５５μｍ量子阶激光器以及高功率１．３μｍ量子阱发光二极管和ＩｎＧａＡｓＰＩＮ光电探测器．     

高开关比（I_（on）／I_（off））a－Si TFT

本文报道了采用倒置交错结构（Ｔａ／（Ｔａ２Ｏ５）ＳｉＮｘ／ｉｎ＋ａ－Ｓｉ／Ａ１）的ＴＥＴ矩阵研究结果．其关态电流（Ｉ_ｏｆｆ（－５Ｖ））在５—７×１０￣－１４Ａ（对Ｗ／Ｌ＝１０），开态电流Ｉ_ｏｎ（Ｚ０Ｖ）大于１０μＡ，Ｉ_ｏｎ／Ｉｏｆｆ在１０８量级，场效应迁移率可达０．７９ｃｍ２／Ｖ．ｓ．     

LD纵向泵浦Nd：S－VAP晶体激光特性研究

Ｎｄ：Ｓ—ＶＡＰ晶体是一种新型激光工作物质。我们通过纵向ＬＤ泵浦Ｎｄ：Ｓ－ＶＡＰ晶体研究了它的激光特性，得到基横模（ＴＥＭ００）输出，泵浦阈值为１１ｍｗ，斜效率为２６．７％。     

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视听资料索引３９１索尼ＢｅｔａｃａｍＳＰ１０００ＰＲＯＵＶＷ系列录像机（日），１９９３．１２，Ｐ６０—６６３９２Ｄ－２复合格式磁带录像标准ＳＭＰＴＥ（英），１９９３．１２，Ｐ１１６０—１１６３３９３Ｄ－２复合格式——磁带标准ＳＭＰＴＥ（英），１９９３...     

N型GaN的持续光电导

本文报道了金属有机物化学气相外延（ＭＯＶＰＥ）生长的未人为掺杂和掺Ｓｉｎ－ＧａＮ的持续光电导（ＰｅｒｓｉｓｔｅｎｔＰｈｏｔｏｃｏｎｄｕｃｔｉｖｉｔｙ——ＰＰＣ）．在不同温度下观察了光电导的产生和衰变行为．实验结果表明,未人为掺杂和掺Ｓｉｎ－ＧａＮ的持续光电导和黄光发射可能起源于深能级缺陷,这些缺陷可以是ＶＧａ空位、ＮＧａ反位或者ＶＧａ－ＳｉＧａ络合物．和未人为掺杂样品Ａ相比,样品Ｂ中因Ｓｉ的并入导致ＧａＮ中的深能级缺陷增加,提高了ＧａＮ中黄光发射,使持续光电导衰变减慢,但实验未发现黄光的加强和光电导衰变特     

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视听资料索引（一）播控中心系统与设备７５８东京广播公司（ＴＢＳ）新大楼的数字传送系统（演讲稿）放送技术（日），１９９５．３．Ｐ６１～６５７５９ＴＢＳ广播中心完成全数字传输系统ＡＢＵ技术评论（英），１９９４．１１～１２．Ｐ３～１３７６０马来西亚电视台的...     

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视听资料索引（一）播控中心系统与设备１０４１池上２００万像素ＨＤＴＶ摄像机调制度特性的模拟（日），１９９５．１２，Ｐ８６～９１１０４２松下数字摄录机ＮＶ－ＤＪ１（日），１９９５．１２，Ｐ５８～６２１０４３摄像入门──第十二讲（预提摄像）（日），１９９...     

Ar~＋激光辐照对GaAs（100）表面硫钝化的影响

本文用Ｃ－Ｖ法、金相腐蚀法、Ｘ光电子谱（ＸＰＳ）、俄歇电子谱（ＡＥＳ）研究ＧａＡｓ表面硫钝化膜和激光辐照硫化的效果．