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介绍了激光加热基座生长晶体技术(LHPG)的特色和最新进展.具体表现在:1) 所生长晶体的尺寸大幅度提高,横截面直径由0.5 mm左右提高到2.5 mm.运用该项技术,成功地进行了人工蓝宝石晶体的生长,并应用于装饰性人工宝石的生产过程中.对直径大于1.0 mm的铁电晶体,已可以系统测量其介电、压电、热释电、热膨胀性质以及电滞回线.2) 通过对LHPG生长装置的改进,使晶体生长的速度大幅提高.莫来石晶体的生长速度可达150 mm/小时.3) 通过对陶瓷源棒组分的调整和对生长温度、气氛的控制,成功地生长出了含有铅元素的晶体PSKNN和PMN-PT,使该方法在开发新型高性能压电换能器和电光器件方面将发挥重要作用.4) 实现了几种晶体共生于一体的共晶型晶体的生长,如微波介电材料MgTiO3-CaTiO3,大大拓宽了该方法的应用领域.5) 成功地生长出Ba(Mg1/3Ta2/3)O3晶体,使晶体生长温度提高到3100°C.(OH9) 相似文献
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本文介绍了组成为Pb_2KNb_5O_(15)(PKN)、Sr_2KNb_5O_(15)(SKN)和Sr_(1-x)Ba_xNb_2O_6(0.25≤x≤0.75)(SBN)的若干钨青铜铁电单晶的生长和应用。这些晶体的室温介电,压电和机电耦合系数是优良的,使它们在铁电和SAW器件应用上有很大价值。 相似文献
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采用改进的激光加热基座法 (LHPG)生长出了位于准同形相界附近的含有 Pb元素的钨青铜结构的铁电晶体 (1- x) Pb2 KNb5O15- x Sr2 Na Nb5O15(PSKNN)。通过调节激光功率和陶瓷源棒中 Pb O的含量 ,有效地控制和补偿了晶体生长过程中 Pb O的挥发。通过选择适当的籽晶 ,可以得到沿 [0 0 1],[10 0 ]和 [110 ]方向生长的 PSKNN晶体。研究了所生长晶体的铁电、介电和压电性质 ,并对其准同形相界进行了初步的讨论。 相似文献
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本文阐述了Ta_2O_5薄膜的各种制备工艺、生长机理及其应用,用超薄Ta_2O_5膜制作的电容器电容量大、可靠性高,这种电容器用于双极式高速存储元件时,可使该元件面积减小到普通元件的1/3,它工作时最长存取时间<5ns。用溅射沉积的Ta_2O_5膜作光波导时,其光传输损耗<1dB/cm。采用S枪结构的磁控溅射技术制备的Ta_2O_5膜光反射率很小,透射率很大且光吸收系数低。它是一种优良的太阳能电池用抗反射(AR)涂层材料。X-轴取向Ta_2O_5膜是一种新型压电材料,用它制作的SAW器件温度稳定性好。另外,Ta_2O_5膜已用于制作湿敏、离子敏元件。 相似文献
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Pb_(1-x)Ba_xNb_2O_6系钨青铜单晶用提拉法由熔体生长而成。测定了其介电、压电和热电特性。如同用热力学现象学所预计的那样,该晶体的介电常数K_α和压电系数d_(15),在相界趋近于四方晶/斜方晶变晶相界时大幅度增大。显然,适用于各种压电器件的晶体主要是组分为处于此相界附近的四方晶相场的晶体。 相似文献
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<正> 前言 钽的Ta_2O_5膜,漏电流小、绝缘强度好、介电系数大(21~25)、化学与热稳定性好;而且阳极氧化膜的厚度可由阳极化电压来控制,其电容量容易调节,所以很早以 相似文献
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Ta2O5 single crystals have been grown by the laser heated pedestal growth (LHPG) technique up to several centimeters length with diameter of 1.1 mm. The crystal, characterized by X-ray diffraction, dielectric measurement, and thermal expansion analysis, has Htri-Wa2O5 symmetry. Dielectric permittivity, loss tangent along [001] and [110] direction were investigated over the temperature range from -180℃ to 100℃. Large dielectric anisotropy in 2O5 single crystal was observed. At room temperature, the dielectric permittivities (1 MHz) along [001] and [110] are 33.2 and 231.9, respectively. The reason of dielectric enhancement in Ta2O5 crystal grown by LHPG was also discussed. 相似文献
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High dielectric constant (high-k) thin Ta/sub 2/O/sub 5/ films have been deposited on tensilely strained silicon (strained-Si) layers using a microwave plasma enhanced chemical vapour deposition technique at a low temperature. The deposited Ta/sub 2/O/sub 5/ films show good electrical properties as gate dielectrics and are suitable for microelectronic applications. The feasibility of integration of strained-Si and high-k dielectrics has been demonstrated. 相似文献
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(Ta2O5)0.92(TiO2)0.08介电陶瓷的激光烧结改性研究 总被引:2,自引:0,他引:2
采用CO2 激光对 (Ta2 O5) 0 .92 (TiO2 ) 0 .0 8陶瓷的烧结改性进行了系统研究 ,分析了改性微观机理。所制备的陶瓷试样比普通炉烧试样的介电常数值提高了约 3倍 ,平均值约为 4 5 0 ,同时具有良好的热稳定性。通过X射线衍射相结构分析 ,确定激光烧结陶瓷试样中存在H -TiTa18O47高温相 ,采用金相和扫描电镜的分析方法 ,首次获得了陶瓷试样的 3D显微结构信息 ,激光烧结试样具有与普通炉烧试样明显不同的显微结构特征。相结构及显微结构的差异应是激光烧结试样介电性能改善的主要原因。 相似文献
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采用传统固相反应法制备了BiVO_4掺杂的Ba_3Ti_5Nb_(5.84)Ta_(0.16)O_(28)陶瓷,研究了所制陶瓷的烧结性能、介电性能以及结构。BiVO_4的添加使Ba_3Ti_5Nb_(5.84)Ta_(0.16)O_(28)陶瓷的烧结温度从1275℃显著降低到了900℃,介电常数及介电损耗略有提高。其中,掺杂有5.0%(质量分数)BiVO_4的Ba_3Ti_5Nb_(5.84)Ta_(0.16)O_(28)陶瓷在950℃保温烧结3h后具有较好的微波介电性能:ε_r=31.5,Q·f=4338GHz,τf=36.2×10~(–6)/℃。 相似文献
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采用聚合物前驱体法制备了单一铋系层状钙钛矿相SrBi2Ta2O9粉体,研究了不同烧成温度对SrBi2Ta2O9陶瓷相结构和介电、铁电性能的影响。结果表明,随着烧成温度的升高,晶粒沿c轴择优取向趋势增强;不同烧成温度下陶瓷介电常数和损耗均随频率升高而降低,1000℃时陶瓷有最大介电常数和较小的损耗,且陶瓷有较大的剩余极化值和较小的矫顽电场,分别为3.884μC/cm2和25.37kV/cm。不同Ca掺杂量掺杂后,SrBi2Ta2O9陶瓷的介电常数、损耗和剩余极化值均显著降低。 相似文献
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利用反应溅射的方法沉积Ta2O5高介电薄膜,研究了溅射过程中氧气与氩气的体积流量比Ψ(O2:Ar)对薄膜电学性能的影响。结果表明,制备的薄膜退火后为多晶态四方结构的β-Ta2O5。随着Ψ(O2:Ar)的增大,薄膜的沉积速率逐渐减小,积累电容逐渐增大,等效氧化层厚度逐渐减小,平带电容增大,氧化层中可动离子电荷密度逐渐减小。当Ψ(O2:Ar)=6:5时,所沉积Ta2O5薄膜的相对介电常数r最大,为38.32;当Ψ(O2:Ar)=2:5时,漏电流密度最小,仅为7.7×10–7A/cm2。 相似文献