电涡流检测之脉冲涡流线圈的初步研究

随着电磁理论及其实验的不断发展与完善,促进了涡流检测等无损检测与评估技术的不断发展。在理论上,分析了脉冲涡流线圈中电涡流强度与检测距离以及电涡流强度和输入频率之间的关系。通过试验,分析了激励脉冲的频率、占空比因素对脉冲涡流检测系统的影响。对采集得到的数据进行分析,可以发现感应电压信号的面积差与检测距离有密切的关系,证明了采用脉冲涡流技术检测的可行性。     

叠加型高压重频微秒脉冲电源研究

针对水污染领域的高压脉冲电源存在的输出脉冲质量差、输出脉冲不可调等问题,本文从脉冲电源主电路的整体结构和变压器磁芯优化2个方面进行改进。首先,结构上,前级Buck电路调节输出脉冲电压幅值,后级全桥逆变电路调节输出脉冲的频率和脉宽,由5个模块电路串联产生高压脉冲。其次,升压变压器选择高磁导率和高磁通密度的磁芯,保证输出脉冲质量。研制一台额定功率为3kW的样机,对电源进行单触发和重频试验。试验结果表明,该电源输出脉冲实现了频率、脉宽和电压幅值可调,满足设计指标。     

活塞阳极氧化表面气泡形成的机理及影响

对铝合金阳极氧化区气泡形成的机理、影响和防止措施进行了探讨.在氧化表面常产生并聚集大量气泡(气泡主要是阳极热量集中处形成的水蒸气气泡和氧离子形成的氧气气泡),导致电压较快地增大而易出现"打火"现象,严重影响活塞氧化膜的质量和厚度的均匀性.利用自制脉冲恒流电源等装置,对ZL109活塞顶面硬质阳极氧化过程中气泡的形成、生长进行了研究.结果表明,快速排除活塞顶面氧化过程中的气泡,可以有效地防止"打火"现象,提高氧化膜质量.     

检波器测试和使用方法研究

本文针对微波测量系统中检波器的测试和使用中常见的驻波影响、高频噪声、温度影响、动态范围选择等问题,开展了前端器件（3～20dB衰减器）对检波波形影响、脉冲信号载波频率（0．5～9．5GHz）对检波电压波形噪声幅值的影响、环境温度（5℃-35℃）对检波电压幅值影响、灵敏度动态范围的研究分析,提出了对检波器标定和使用方法的改进措施。     

GUS基因在杜氏盐藻细胞中的瞬间表达

利用电激法将GUS基因转入杜氏盐藻细胞内进行瞬间表达，研究了盐藻的生长状态和电激转化条件对转化率的影响，并比较了CaMV35S,Ubil,Ubil-Ω5种启动子的转化效率。结果表明，培养5d的盐藻在6kV的脉冲电压，0．05s的脉冲持续时间和210的脉冲次数下电激可获得较高的转化率，为转化最佳条件。5种启动子中，Ubil-Ω启动子的转化效率最高，适合作为外源基因在盐藻细胞中高效表达的启动子。     

脉冲电场诱导的相变研究

反铁电陶瓷材料在电场诱导下发生反铁电-铁电相变.为了研究快速电场诱导相变,诱导电场选择高压脉冲电源产生的脉冲电场.反铁电陶瓷选用Pb(Zr,Sn,Ti)O3相图中位于反铁电-铁电相界附近,正向相变电场小于40kV/cm的锆锡钛酸铅.脉冲电源输出波形为2.7 μs电压脉冲,测量陶瓷样品两端的电压波形与所通过的电流波形,作出正向半周期的"脉冲电滞回线".可以看到反铁电陶瓷在脉冲电场诱导下发生了相变.     

单极性脉冲负偏压电源的灭弧设计

在磁控溅射和多弧离子镀膜中,加于工件上的单极性脉冲负偏压电源很容易出现拉弧打火现象,这将严重影响镀膜质量,甚至损坏镀膜工件。本文根据单极性脉冲负偏压电源特性和负载特性推导出电弧判断依据,设计了一种灭弧方案,实践证明该方案能迅速对整个镀膜过程中的拉弧现象进行自动侦测,并在电弧产生时迅速关断电源输出脉冲电压,进而有效的抑制拉弧能量。当灭弧保护后,电源自动恢复正常运行,保证镀膜继续进行,提高了产品的成品率和生产效率。     

用于电爆炸丝电压测量的水电阻分压器

基于电爆炸丝脉冲高电压的高幅值、快前沿等特点,设计了一个分压比为400∶1的水电阻分压器,并将泰克高压探头P6015A接入该分压器的高压输入端,利用对比法对分压器进行了标定.测量电压为30kV,响应时间为0.05μs,标定结果偏差为1.5%.该水电阻分压器被用于测量含电爆炸丝断路开关的脉冲功率电路,测得输出脉冲电压为0.92 MV,前沿时间为0.1μs.     

脉冲电压对水管用Al-2.5Mg-0.5Cu合金组织和耐腐蚀性能的影响北大核心CSCD

为了提高水管用Al-2.5Mg-0.5Cu合金的耐腐蚀性能,通过在其凝固过程中施加脉冲磁场处理的方式来改变内部组织性能,并通过实验测试的方法研究了脉冲电压对其微观组织和耐腐蚀性能的影响。研究结果表明:Al-2.5Mg-0.5Cu合金包含α-Al与Al2Cu两种组织成分。提高脉冲电压后,生成的第二相也随之变少。提高脉冲电压后,Al-2.5Mg-0.5Cu合金各项力学性能都获得提升。以150 V脉冲电压制得的合金拉伸强度为168.4 MPa,屈服强度为126.3 MPa,伸长率达到7.84%。设置脉冲磁场后,观察不到解理台阶,发生了准解理断裂。采用150 V脉冲磁场合金试样呈现准解理断裂的特点。逐渐提高脉冲电压后合金表现更强耐蚀性能。提高脉冲电压后,形成更小腐蚀坑,深度也明显减小,合金获得更强耐腐性。采用150V脉冲电压处理时得到了耐蚀性最强的合金。     

脉冲电沉积法应用于铂/垂直取向石墨烯直接甲醇燃料电池催化剂

通过恒电压以及脉冲电压在直接甲醇燃料电池(DMFCs)阳极催化剂载体(垂直取向石墨烯)表面电沉积Pt。对制得的催化剂采用扫描电子显微镜、透射电子显微镜、拉曼光谱仪、X射线衍射仪进行了表征,并采用电化学测试研究了其甲醇氧化能力。结果表明,当采用垂直取向石墨烯-碳纸(VG-CP)作为载体,且使用脉冲电压法可获得粒径更小、分布更均匀的Pt纳米颗粒,具有更优异的催化甲醇氧化性能。     

电化学方法制备钛(Ⅳ)化合物纳米丝阵列

采用直流和脉冲电沉积法在阳极氧化多孔氧化铝薄膜的孔隙中制备了钛化合物纳米丝阵列。通过扫描电子显微镜、循环伏安曲线等手段研究了沉积条件如电子信号和电压等对所制备的纳米丝密度的影响。结果表明,应用脉冲电沉积法可制备致密的钛化合物阵列。     

LaCaMnO3薄膜LITV信号脉冲宽度研究

基于激光感生热电电压(LITV)信号脉冲宽度对LaCaMnO3薄膜激光功率／能量计的精确度和稳定性有很大的影响,文章在实验的基础上对LITV信号脉冲宽度与薄膜厚度的关系进行了研究。     

PZT 95/5-2Nb铁电陶瓷脉冲换能电输出

讨论了PZT 95/5-2Nb铁电陶瓷在冲击波压缩下的释放电性能,并利用PZT 95/5-2Nb铁电陶瓷设计了三种脉冲电源,分别实现了恒定电流、台阶电流和恒定电压等不同条件的电能输出.实验结果表明,PZT 95/5-2Nb铁电陶瓷可适用于多种性能的脉冲能源,具有电流输出幅值和波形易于控制,电流脉冲上升前沿陡,电源体积小等特点,具有广阔的应用前景.     

方波脉冲电压下聚酰亚胺薄膜老化特征研究

针对脉宽调制(PWM)技术在电力机车变频调速应用中,导致电机绝缘在连续脉冲电压下过早老化的问题,对变频电机绝缘主要材料聚酰亚胺薄膜进行方波脉冲电压下的电老化试验.通过对不同老化阶段聚酰亚胺薄膜tanδ的测量,从介质损耗规律方面对材料在脉冲电压下老化特征进行研究.结果表明,在不同的老化阶段,介质损耗随电压、频牢的变化趋势保持一致,介质损耗随老化时间的增加而变大;老化使聚酰亚胺薄膜的起始放电电压降低,介质损耗随电压增加而增大的趋势更加明显;聚酰亚胺薄膜的介质损耗在高频区的激增点会随着老化时间的增加而向高频区移动.     

高电压脉冲校准装置研究

为解决高电压脉冲的校准问题,对高电压脉冲的校准方法进行研究,并建立了一套脉冲校准装置。校准装置将高电压脉冲信号进行电压转换,变为脉冲小电压,通过数据采集系统,在频带范围10Hz~1kHz、电压范围1~1600V内,对脉冲电压的关键参数进行测量,得到高电压脉冲的电压幅度、脉冲频率、脉冲宽度、上升时间和下降时间。通过实验室标准仪器设备对高电压脉冲校准装置进行测试,其中脉冲幅度的测量误差为 0.02%~0.4%。     

Ag-TCNQ电双稳薄膜的疲劳和锻炼效应研究

用真空蒸法的方法制备了Ag-TCNQ电双稳薄膜.研究了在不同的电压作用下薄膜的阻抗转变规律.发现了阻抗转变过程中的疲劳和锻炼效应即用连续的高于阈值的窄电压脉冲作用于薄膜后,薄膜阻抗转变弛豫时间缩短;而用低于极限电压的脉冲连续作用于薄膜后,薄膜阻抗转变弛豫时间变长.从阻抗转变的能量效应出发,通过外电场的作用导致分子取向的弹性和塑性形变讨论了薄膜电阻跃迁的机理.     

微孔电极中微孔参数对电声特性的影响

为研究等离子体震源的电声特性随孔特性的变化，采用微孔电极放电，通过电压和电流探头测量负载电特性，阴影成像法和高速相机记录气泡脉动特征，水听器测量声脉冲，主要研究了不同微孔间距和数目下的电特性、气泡脉动和声特性。结果表明，随着微孔间距的增加，负载电压和能量不变，而负载电流和功率却在增加。另外，声脉冲幅值随着间距的增加出现了先上升再下降的趋势，最大可达到148.8 kPa；当孔数增加时，负载的峰值电压和电流虽然减少，但气泡声脉冲数增加，致使直达波的峰值增大。因此，增加孔数对提高微孔电极放电声脉冲的峰值是有利的。     

具有非易失存储功能的可逆有机电双稳器件

报道一种能够在室温下具有可逆电双稳特性，并实现非易失信息存储功能的有机薄膜器件。器件为简单的三层结构，Al/HPYM/Ag，HPYM为一种有机分子材料，通过真空热蒸发法制成薄膜作为信息存储介质。该器件可通过正向及反向电压脉冲的激发而实现高阻态（“0”态）、低阻态（“1”态）的转变，相当于信号的写入和擦除。当外电场撤除时，其状态信息可以长时间保持，并且被小电压脉冲读取，两种导电态的阻值比约为10^5。     

半导体功率器件测试用脉冲高压源的设计与实现

为满足功率半导体器件参数测量中对脉冲高压源输出脉冲幅值和宽度的需求,基于Marx发生器原理设计了一脉冲幅值和宽度连续可调的脉冲高压源,用以对功率半导体器件参数的快速测量。该脉冲高压源通过改进Marx发生器基本结构,采用双电源充电模式,减小了脉冲发生器的充电时间;采用同步放电电路,提高了脉冲电压的输出精度;在此基础上,采用快恢复二极管隔离每级Marx电路,降低了充电损耗。通过控制双电源充电电压和放电回路中固态开关导通时间,实现了输出脉冲电压幅值和宽度连续可调。实验结果表明,该脉冲高压源在脉冲幅值0～8000 V和脉冲宽度200～1000μs之间连续可调,上升时间为35 ns,可满足功率半导体器件参数快速测量的需求。     

硅基外延La-Sr-Co-O/Pb-Zr-Ti-O/La-Sr-Co-O异质结的制备

在外延SrTiO3（STO）作为缓冲层的Si基片上，应用溶胶-凝胶法（sol-gel）和磁控溅射法，在5．50℃温度下制备了外延的La0.5Sr0.5CdO3／Pb（Zr0．2Ti0．8）O3/La0．5Sr0．5CoO3（LSCO／PZT／LSCO）异质结。X射线衍射结果表明，LSCO／PZT／LSCO异质结是c向外延生长的。当外加电压为60V时，LSCO／PZT／LSCO铁电电容器的剩余极化强度为．50．3μC/cm^2.，当电压为30V时，铁电电容器有效极化强度为80μC/cm^2.。其它电学性能表明。PZT铁电电容器具有较高的电阻率和脉冲宽度对极化强度的影响较弱。