iSuppli：2O06年全球NAND Flash销售额将增长56％

根据iSuppli发布的报告，该公司分析家Nam Hyung Kim表示在本击Consumer Electronics Show中，许多业者推出采用资料储存技术的新产品，不管是快闪记忆体或是磁碟机。事实上，来自消费性电子装置的强大需求，包括MP3播放机、数化相机与其他消赞性装置，已是带动资料快闪记忆体产业蓬勃发展的主要因素，也将使得2006年全球NAND Flash销售额可望增长56％。     

NAND Flash市场收入将进一步下滑

市场研究公司iSuppli在日前发布的预测中指出，全球NAND Flash市场收入在上世纪末和本世纪初曾获得超过100％速度的增长，然而2008年，预计NAND Flash市场收入将减少14％，2009年继续减少15％。     

一种通用的NAND Flash参数识别方法

介绍了如何从未知参数NAND Flash芯片中,获得相应参数的一种通用方法,从而打破了这个界限,使得没有获得NAND Flash的datasheet的情况下仍然可以使用.     

三星计划今秋量产8Gb NAND型Flash

日本产业经济新闻日前引述国外媒体报导指出，NAND型Flash大厂韩国三星电子半导体事业相关人员日前指出，在工艺技术持续不断提升及各厂积极扩增产能的带动下，未来NAND型Flash价格将呈现持续下滑的状况，而且每年价格跌幅度恐将挑战40％。三星电子除了注意价格效应外，同时还计划将于2005年秋季前量产8Gb NAND型Flash，期望以更佳的技术降低生产成本，快速拉大与市场竞争者的距离，续保竞争力。     

基于NAND Flash的超高速视频存储技术研究

提出了一种基于NAND Flash的超高速视频存储卡设计,存储视频流码率高达2.175 Gbit/s,可满足电影摄像机输出格式为R:G:B 4:4:4双通道HDSDI电影数字码流实时存储播放的要求.     

基于内建自测试电路的NAND Flash测试方法

随着NAND Flash在存储器市场中的占比与日俱增,对NAND Flash的测试需求也越来越大。针对NAND Flash存储器中存在的故障类型进行讨论,并对现有测试算法进行分析,为提高故障覆盖率以及降低测试时间,对现有的March-like测试算法做出改进,改进算法比March-like算法的故障覆盖率提高了16.7%,测试时间减少了30%。完成存储器内建自测试（MBIST）电路设计,设计了FPGA最小系统板并进行板级验证,结果验证了MBIST电路以及改进的测试算法的可行性。     

基于FPGA的NAND Flash ECC校验

基于Flash存储器的Hamming编码原理,在A1tera Quartus Ⅱ 7.0开发环境下,实现ECC校验功能.测试结果表明,该程序可实现每256 Byte数据生成3 Byte的ECC校验数据,能够检测出1 bit错误和2 bit错误,对于1bit错误还能找出其出错位置并予以纠正,可应用于NAND Flash读...     

一种NAND Flash控制器验证平台的设计

讨论了验证平台的设计理论、功能以及结构几方面问题,并使用硬件描述语言搭建了自检查的NAND Flash控制器验证平台,在此基础上对控制器进行了全面的功能验证过程。仿真结果验证了该方法的正确性,此方法提高了验证效率、缩短了芯片的研发周期。     

利用VMM搭建NAND Flash控制器验证平台

本文以AMBA AHB总线上的从设备NAND Flash控制器为例,简要介绍了VMM验证方法学,并利用VMM验证方法学搭建了NAND Flash控制器验证平台,在此基础上对控制器进行了全面的前端功能验证.     

大容量存储中NAND Flash坏块的管理方法

在当今数字时代,NAND Flash由于其非易失性和读写速度快等原因而在大容量存储中的应用越来越广。但由于Flash中不可避免的会出现坏块,对大容量存储的速度与精度都造成了影响,针对大容量存储中NAND Flash存在坏块对其造成的影响,我们主要研究了NAND Flash中坏块出现的原因,对坏块进行的分类,并提出了相应的管理方案。实践证明,经过对坏块的管理,Flash存储数据的安全性和存储速度都有了很大的提升,提高了系统的整体性能。     

开放式大容量NAND Flash数据存储系统设计与实现

完成了一种基于NAND Flash存储介质的开放武大容量数据存储系统设计,包括硬件系统以及软件系统的设计,并在软件设计中重点提出了应用于NAND闪存的数据管理算法,通过二级地址映射,按块中的脏页数回收脏块和按时间标记转移静态信息实现坏块管理,均匀损耗.该设计能为各种存储器件提供底层的NAND闪存存储系统,使其能方便快速地存储数据而不需要考虑NAND闪存的物理特性.     

U-Boot从NAND Flash启动的实现

U-Boot不能从NAND Flash启动给应用带来些不便,因此修改U-Boot使其支持从NAND Flash启动.分析了U-Boot启动流程的两个阶段及实现从NAND Flash启动的原理和思路,并根据NAND Flash的物理结构和存储特点,增加U-Boot对NAND Flash的操作支持,从而完成把存储在NAND Flash上的U-Boot代码复制到SDRAM中执行,实现从NAND Flash的启动.修改过后的U-Boot可以直接从NAND Flash启动,给应用带来便利.     

基于FPGA和NAND Flash的存储器ECC设计与实现

针对以NAND Flash为存储介质的高速大容量固态存储器,在存储功能实现的过程中可能出现的错“位”现象,在存储器的核心控制芯片,即Xilinx公司Virtex-4系列FPGA XC4VLX80中,设计和实现了用于对存储数据进行纠错的ECC算法模块。在数据存入和读出过程中,分别对其进行ECC编码,通过对两次生成的校验码比较,对发生错误的数据位进行定位和纠正,纠错能力为1 bit/4 kB。ECC算法具有纠错能力强、占用资源少、运行速度快等优点。该设计已应用于某星载存储系统中,为存储系统的可靠性提供了保证。     

NAND Flash存储的坏块管理方法

针对NAND Flash海量存储时对数据可靠性的要求,提出了一种基于在FPGA内部建立RAM存储有效块地址的坏块管理方法。在海量数据存储系统中,通过调用检测有效块地址函数确定下一个有效块地址并存入建好的寄存器中,对NANDFlash进行操作时,不断更新和读取寄存器的内容,这样就可以实现坏块的管理。实验证明,本方法可以大大减小所需寄存器的大小并节省了FPGA资源,经过对坏块的管理,可以使数据存储的可靠性有很大的提升。     

美光发力NAND Flash市场,欲入全球前三甲

美光(Micron)公司与雷克沙(LEXAR)公司前段时间宣布,双方已达成最终协议,由美光以换股方式并购雷克沙。根据协议规定,雷克沙已对外发行的普通股每股换取0.5625股的美光股票。预计,美光将发行新的股票以置换雷克沙已发行的价值8160万美元的股票。在行使已有的股票期权时美光还会增发新股。美光是一家高效与创新相结合的半导体供应商,产品包括DRAM、NAND闪存、CMOS图像传感器、其它半导体组件以及存储器模块,在全球NAND型闪存厂商中排名前五位,于2005年与英特尔合资成立IM Flash Technologies公司,生产NAND型Flash。美光NAND闪…     

SanDisk开发出32纳米NAND闪存技术

SanDisk和东芝公司日前宣布，两公司使用32纳米（nm）处理技术生产出32GB 3bits／单元（3-bits—per—cell）（X3）存储芯片，共同开发出多层式芯片（MLC）NAND快闪存储器。该项突破预期将很快为从存储卡到固态硬盘（SSD）等市场带来能够提高产品容量、降低制造成本的先进技术。32纳米是迄今为止最为先进的闪存技术，它需要先进的解决方案来管理性能规格的变化。32纳米技术将数种创新技术结合起来，与摩尔定律中的趋势线相比，模片区大幅度减小。     

基于FPGA的NAND Flash的分区续存的功能设计实现

传统的控制器只能从NAND Flash存储器的起始位置开始存储数据,会覆盖上次存储的数据,无法进行数据的连续存储。针对该问题,本文设计了一种基于FPGA的简单方便的NAND Flash分区管理的方法。该方法在NAND Flash上开辟专用的存储空间,记录最新分区信息,将剩余的NAND Flash空间划成多个分区。本文给出了分区工作机理以及分区控制的状态机图,并进行了验证。     

Windows CE环境下大页面NAND Flash存储系统实现

介绍了大页面NAND Flash器件的结构和特点,以及Windows CE操作系统环境下与NAND Flash相关的软件结构,给出了Windows CE环境下大页面NAND Flash存储系统设计实例,并提出了一种对FAT文件系统进行改造的技术方案.     

基于FPGA和NAND Flash的嵌入式存储系统设计

为了有效解决恶劣工作环境下对体积有特殊要求的数据存储问题,设计了基于FPGA和NAND Flash的小尺寸嵌入式存储系统。系统选用FPGA为控制核心,以NAND Flash作为存储介质,采用LVDS接口存储和回放数据,通过以千兆网与计算机通信,以文件方式管理数据,并采用坏块管理和ECC技术保证数据完整性。实测表明,该系统具有高带宽、体积小等特点,同时具有实时存储、回放、加载、卸载和管理功能,并可在恶劣环境下稳定工作。     

基于NAND Flash的海量存储器的设计

针对存储系统中对存储容量和存储带宽的要求不断提高,设计了一款高性能的超大容量数据存储器。该存储器采用NAND Flash作为存储介质,单板载有144片芯片,分为3组,每组48片,降低了单片的存储速度,实现了576 Gbyte的海量存储。设计采用FPGA进行多片NAND Flash芯片并行读写来提高读写带宽,使得大容量高带宽的存储器得以实现。针对NAND Flash存在坏块的缺点,提出了相应的管理方法,保证了数据的可靠性。