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<正>在低的衬底温度(约300℃)下生长的GaAs层具有较高的电阻率,较小的光敏特性。低温生长的GaAs层用于MESFET作缓冲层,能够消除背栅效应,改善光敏特性等。国外研究结果表明,低温GaAs缓冲层为富砷结。 用国产MBE—Ⅲ型分子束外延设备进行低温生长GaAs层的研究。半绝缘GaAs衬底温度约580℃,生长约50nm GaAs层。反射高能电子衍射(RHEED)的衍射图样为(2×4)结构。然 相似文献
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采用分子束外延技术生长了GaAs/AlGaAs单量子阱得多量子阱材料。采用GaAs/AlGaAs超晶格缓冲层掩埋衬底缺陷,获得的量子阱结构材料被成功地用于制作量子阱激光器。波长为778nm的激光器,最低阈值电流为30mA,室温下线性光功率大于20mW。 相似文献
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我们用分子束外延法在GaAs(100)衬底上生长一种新型的Ⅱ-Ⅳ族宽禁带化合物薄膜Zn1-xMgxSySe1-y.改变生长条件,可以控制Mg和S的组分在0≤x≤1,0≤y≤1.Mg和S的组分用俄歇电子能谱测定.用X-射线衍射技术对样品结构进行的研究发现,对任意Mg和S的组分,ZnMgSSe均为闪锌矿结构.用椭圆偏振光谱仪对材料的能隙和折射率进行的研究表明,加入Mg以后ZnMgSSe样品的折射率比ZnSSe样品的折射率要小,并且ZnMgSSe样品的折射率随民的增大而变小.合理选择x、y,在2.8eV<Eg< 相似文献
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原子氢辅助分子束外延生长以GaAs材料性能的改善 总被引:1,自引:0,他引:1
利用深能级瞬态谱(DLTS)研究了常规分子束外延和原子氢辅助分不外延生长的掺杂Si和Be的GaAs同质结构样品中缺陷的电这特性。发现原以辅助分子束外延生长的样品中缺陷的浓度与常规分子束外延生长的样品相比有明显的降低,这可解释为生长过程中原子对缺陷的原位中和与钝化作用。 相似文献
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在(100)取向半绝缘GaAs衬底上,采用独特的含有InSb非晶过渡层的两步分子束外延(MBE)生长了异质外延InSb薄膜。InSb外延层表面为平滑镜面,外延层厚度约为6μm,导电类型为n型,室温(300K)和液氮(77K)霍尔载流子浓度分别为n_(300K):2.0×10 ̄(16)cm ̄(-3)和n_(77K):2.4×10 ̄(15)cm ̄(-3);电子迁移率分别为μ_(300K):41000cm ̄2V ̄(-1)S_(-1)和μ_(77K):51200cm ̄2V ̄(-1)S ̄(-1)。InSb外延层双晶衍射半峰宽为198arcs,最好的InSb外延层的半峰宽小于150arcs。采用InSb非晶过渡层有效地降低了外延层中的位错密度,改善了InSb外延层的质量。 相似文献
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研究了低温缓冲层对在GaAs(001)衬底上用分子束外延(MBE)生长ZnTe薄膜晶体质量的影响。发现插入低温缓冲层后ZnTe的结晶质量、表面形貌和发光质量都得到了显著的提高,双晶X射线摇摆曲线(DCXRC)的ZnTe(004)衍射峰半峰宽(FWHM)从529 arcsec减小到421 arcsec,表面均方根(RMS)粗糙度从6.05 nm下降到3.93 nm。而作为对比,插入高温缓冲层并不能对ZnTe薄膜的质量起到改善作用。基本上实现了优化工艺的目标并为研制ZnTe基光电器件微结构材料奠定了很好的实验基础。 相似文献
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氢原子辅助MBE生长对GaAs外延面形貌的影响 总被引:1,自引:0,他引:1
本文研究了MBE通常生长条件和氢原子辅助生长条件下(100)、(331)、(210)、(311)等表面外延形貌的变化.原子力显微镜AFM测试的结果表明:(100)表面在氢原子辅助生长条件下外延面的岛状起伏变得更为平坦,二维生长模式得到增强;(331)面在两种条件下均显示出台阶积累(stepbunching)式生长,而氢原子辅助生长则减小了台阶结构的横向周期;(210)面在氢原子辅助生长下也使原表面存在的岛状结构尺寸减小;在(311)表面氢原子诱导的作用明显地增强了台阶积累生长模式.本文认为氢原子诱导作用机 相似文献
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文中报导了用分子束外廷工艺在GaAs(211)B衬底上生长了较高质量的中、长波HgCdTe薄膜材料。生长后的材料通过退火进行转型和调节电性参数。选择的组分分别为x=0.330和0.226的两种材料,77K时载流子浓度和迁移率分别为p=6.7×1015cm-3、up=260cm2V-1s-1和4.45×1015cm-3、410cm2V-1s-1。研制了平面型中、长波线列光伏探测器,其典型的探测器D分别为5.0×1010cmHz1/2W-1和2.68×1010cmHz1/2W-1(180°视场下),其中64元线列中波探测器与CMOS电路芯片在杜瓦瓶中耦含后读出并实现了红外成像演示。 相似文献
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简要介绍了GaAs超高速电压比较器的国内外发展水平。设计并研制了具有1.0GHz时钟频率的高性能电压比较器。该器件采用亚微米GaAs MESFET工艺技术,其电压分辨率高达11.3mV,功耗仅为274mW。最后给出了利用低温分子束外延生长GaAs作缓冲层的进一步改进设计。 相似文献