国外MOS集成电路发展概况

MOSD晶体管自1962年发明以来,在短短十年中,经历过MOS晶体管、MOS集成电路、MOS大规模集成电路这样三个阶段。实际上由于MOS集成电路工艺与MOS晶体管相同,所以可以说MOS集成     

MOS集成电路电过应力损伤模式和机理分析

电过应力是造成ＭＯＳ集成电路损伤的主要原因，本文结合静电放电的三种模型，详细分析了ＭＯＳ集成电路电过应力的损伤模式和机理。     

4互补金属——氧化物——半导体集成电路

互补金属——氧化物——半导体集成电路(Camplementary Mos Integrated Circuits),它是把P型沟道及N型沟道MOS晶体管制作在同一片子上来构成的电路。单沟道(P型或N型沟道)MOS集成电路多半是使用MOS晶体管作为负载电     

智能型MOS开关电源功率集成电路

智能化功率集成电路是当令国际上正在迅速发展的一个微电子技术和电力电子技术相结合的重要技术领域,由于微电子技术和功率MOS器件的迅速发展为智能型功率集成电路提供了可能性.集成电路的电隔离技术允许在同一芯片上集成功率DMOS和低压控制的双极型     

薄栅氮化工艺技术研究

介绍一种薄栅氮化的工艺方法,可用于0.8-1.0μm级别的MOS集成电路及抗辐射MOS集成电路的工艺生产中.     

初学者知识园地

它是以金属—氧化物一半导体场效应晶体管为主体构成的集成电路,简称为MOS集成电路。以N型沟道MOS晶体管构成的集成电路,称为N沟MOS集成电路,以P型沟道MOS晶体管构成的集成电路称为P沟MOS集成电路,二者统称单沟MOS电路。 N沟器件的多数载流子是电子,P沟器件的多数载流子是空穴。场效应器件是多数载流子工作的器件,电子比空穴的有效质量小,迁     

MOS晶体管失配模型研究及应用

采用0.18μm CMOS工艺,研究在模拟集成电路中MOS管的失配.通过分析MOS管在饱和区失配因素,优化MOS管失配模型,提出用最小二乘曲线拟合法进行相关模型参数提取.并根据这些参数对基本电路的失配进行预测和分析,给出改善MOS管匹配性的方法.这为相应的集成电路设计中存在的失配提供了理论依据.     

集成电路互连引线电迁移的研究进展

随着大规模集成电路的不断发展,电迁移引起的集成电路可靠性问题日益凸现.本文介绍了电迁移的基本理论,综述了集成电路互连引线电迁移的研究进展.研究表明,互连引线的尺寸、形状和微观组织结构对电迁移有重要影响;温度、电流密度、应力梯度、合金元素及工作电流模式等也对电迁移寿命有重要影响.同时指出了电迁移研究亟待解决的问题.     

6N沟道金属-氧化物-半导体

一般的金属-氧化物-半导体集成电路(MOSIC),都是由P沟MOS晶体管构成的,但是P沟MOS集成电路有下述缺点: (1)传导载流子是空穴,所以迁移率低,开关速度慢; (2)由于电源电压是负的,所以不易与双极集成电路混用。与此相反,所用的器件都用N沟MOS晶体管构成的N沟MOS集成电路时有下     

关于MIS器件的栅极保护

最近,美帝宇宙航行局经研究认为 MOS 集成电路的20%～40%的缺陷是由过量电压和氧化物中存在缺陷而引起的,其结果导致栅极的短路和漏电流的增加。由栅导体电击穿引起的栅短路,使 MOS 晶体管及集成电路的成品率和可靠性都存在问题。在防止过量电压的 MOS 器件的栅极保护方面,过去广泛使用的是 J·莱兰特·赛里的方法,把 PN 结与栅极并列放置,向 PN 结施加反向偏压而使晶体管工作。     

MOS器件的10keV X射线辐照效应

我们用10keV X射线对MOS晶体管、MOS集成电路进行了辐照,观察了用不同工艺条件制造出的MOS晶体管,MOS集成电路在X射线辐照下阈值电压的漂移和特性变化。本文给出了实验结果并进行了初步的讨论。     

开关电容网络概述

在电子技术领域里,MOS集成电路技术是随着新的理论和制造工艺的不断出现而迅速向前发展的.本世纪七十年代以来,国际上开始出现了开关电容(简称为SC)网络分析的一种新的理论,与此同时MOS工艺技术也有了重要突破,从而卓有成效地使集成电路的集成度大大提高了.SC网络的许多性能也逐渐为人们所认识、掌握,应用范围与日俱增,迄今为止种种新颖而先进的研究课题仍不断涌现,其发展趋势引人注目.所谓SC网络就是由大量周期动作的MOS开关、MOS电容和MOS运算放大器组成的网络.目前已能运用MOS工艺技术比较方便地制造出上述SC网络     

装联工艺中防静电措施

一、概述通常讲的MOS集成电路,它是由金属—氧化物—半导体场效应晶体管组成。其作用与五极电子管特性相似;另一方面它又有一般晶体管的许多优点,除此之外,还具有一系列更突出的优点,即集成变高,制作工艺简单,功耗低,输入阻抗高(达10~(12)以上),而CMOS集成电路还具有供电范围宽,工作频率高f(?)3M以上,所以被广泛应用于数字控制电路及模拟开关电路等方面。二、MOS集成电路中主要问题的分析 1.栅击穿电压在MOS晶件管中,栅极与沟道之间隔着一层氧化膜,这种结构与电容器的结构一样。当栅源电压或栅漏电压超过一定限度,就会引起氧化膜的击穿,使栅极与氧化膜下面的硅发生短路现象。P—N结加上反向电     

铁氧体驱动与双路功率MOS单片集成电路研究

介绍了一种集成低压铁氧体驱动器和功率MOS管的单片集成电路。其内建驱动器工作电压9 V,功率MOS管极限电压大于80 V,工作电流3 A。该电路内含D/A转换器、双路比较器、触发器和组合逻辑电路,以及过频过压保护等功能,采用键合SOI深槽的CMOS/LDMOS工艺制作。     

预排列栅MOS器件

随着电子计算机向大型化,高速化发展,正在逐渐成为它的主要组成部份的半导体集成电路也希望向高集成度,高稳定性的方向努力。在半导体集成电路中,按照器件的结构大体上可分为MOS集成电路和双极集成电路两类,从集成度、经济上看,在中速和低速存储器中MOS集成电路今后将占有重要的位置。然而,在MOS集成电路领域里,最近提出了各种各样的设想,为了提高集成度、特性和稳定性,出现了许多新工艺,新结构,并积极地向商品化方向发展。     

三次掩蔽自对准金属-氧化物-半导体工艺

引言近来,出现了一种制造自对准金属—氧化物—半导体(MOS)集成电路的新工艺,该工艺只需要三次掩蔽,应用离子注入工艺来获得自对准栅结构。采用氮化硅膜来消除接触掩蔽以及降低场氧化物顶部至接触区和栅区的高度。这种工艺能制造N沟或P沟MOS集成电路。在N沟MOS集成电路中,应用低阻率P型衬底材料或用离子注入提高场表面浓度能避免场反型的问题。为简单起见,本文叙述制造工艺步骤和P沟MOS集成电路的器件特性。     

1989年东大电子工程系、电子学研究所、微电子中心科研获奖项目

1.偏置栅MOS高压集成电路机电部科技进步三等奖(和西安科技大学并列)     

模拟集成电路新技术

近几年来,模拟集成电路得到了飞速发展,其表现之一是使用MOS器件的模拟集成电路逐渐成为主流,改变了模拟集成电路主要使用双极型器件的局面。MOS器件具有尺寸小、功耗低等优点,特别是它与数字电路的主流工艺兼容,这对系统级芯片(SOC)的实现有重要意义。而MOS器件的噪声大,工作频率低的缺点,随着集成电路工艺和电路技术的进步,已有很大改观,完全可以满足一般电子系统对性能的要求。     

COS/MOS工艺的发展

前几年的发展基本上解决了制备互补MOS晶体管特性化单片电路的难题;现在已能大量生产既可靠又经济的COS/MOS集成电路。本文阐述了COS/MOS集成电路的基本设计及工艺及生产这些电路的最新工艺的进展,它们将给固体电路的应用开辟新的途径。     

MOS和双极集成电路的发展

1972年美国半导体工业产值达到16.5亿美元,比1971年增长13％;其中MOS集成电路发展最快,只是数字双极集成电路稍有下降,线性电路也提高25％,光电器件增加40％,分立元件也有所增加。一、MOS MOS现已成为TTL新的竞争者(70年产值为2百万美元),MOS已很快成为标准产品工业的竞争者。今年将是从常规产品转为标准产品的一年。这一方面意味着MOS工艺日臻完善,另一方面表明将大幅度降价,约在1975年标准产品可占MOS总