MIMO系统中分集增益和空间复用增益的折衷关系

论文导出了分集增益与空间复用增益间的最佳折衷关系式。该关系式为阶梯递减右连续函数,阶梯数等于接收天线数目。分集增益的取值与分组长度有关,只有当分组长度不小于发射天线数目时才能获得满分集增益。折衷关系表明,采用合适的空时编码可以同时获得分集增益和空间复用增益,但是两种增益不能同时达到最大。由最佳折衷关系可以推测一定空间复用增益时可得到的最大分集增益,以及一定分集增益时能获得的最大空间复用增益。     

简讯

高性能可变增益放大器英国一家公司最近推出NE5209型高性能可变增益放大器,它具有1.5GHz的增益输出,其线性增益控制范围允许精密调幅。该公司称,这种放大器几乎完全线性,并且用于宽频带可变增益所需的一切元件均封装在同一组件中。这种放大器增益每下降1dB,噪声增加0 6dB。在最大增益时,这种可变增益放大器的噪声可被减小到7dB。     

有线电视维护容易忽视的几个细节问题

(1)更换放大器时新换的放大器增益与原放大器增益不一致众所周知放大器的增益分为22 dB、26 dB、33 dB,由于建网的时间不同,放大器的级联数不一,所选放大器增益亦不同。随着时间的延续,放大器的损坏在所难免,因维修条件受限,更换放大器时,可能换上增益不一致的放大器。譬如原增益为22dB,换成增益为33 dB的放大器,导致输出电平过高,只能降低增益来解决。但是由放大器的模块增益原理可知,放大器的增益是固定的,降低电平输出其实质就是在输入端加一个衰减器,如原放大器的增益为22 dB,输入电平为72 dB,输出电平为94 dB,换成增益33 dB的放大…     

多泵浦与光纤级联结合的宽带拉曼光纤放大器

针对传统光纤通信传输系统中拉曼光纤放大器(RFA)增益带宽不足、输出增益低且输出增益不平坦的问题,设计了一种多泵浦和光纤级联相结合的宽带拉曼光纤放大器。并且推导实现增益平坦输出时所用六个泵浦光和四段光子晶体光纤(PCF)对应参数满足的约束表达式,从理论上给出了一种提高放大器增益和增益带宽的同时保证较小增益平坦度的设计方法。最后通过Matlab数值模拟,所设计的宽带拉曼光纤放大器达到了增益带宽92 nm,平均增益39.95 dB,增益平坦度0.1447 dB。     

一种计算OTA通用滤波器增益的简便方法

以OTA(运算跨导放大器)通用滤波器增益的计算为例,将拆环法推广到多环系统。拆环时可拆开任意一个环,其余部分视为一个无反馈系统,先求环路增益,再求前向通路增益,即可用反馈电路的基本方程求出闭环增益。强调拆分不同的反馈环,将有不同的环路增益和前向通路增益,但闭环增益不变。分析还表明,若能使拆分点把所有环路均断开,则可使环路增益、前向通路增益计算简便,从而使增益的计算更简单、实用。因此,推广的拆环法可快速计算高阶滤波器增益,适宜推广。     

一种基于g_m/I_D方法设计的可变增益放大器

提出了一种基于gm/ID方法设计的可变增益放大器。设计基于SMIC90nmCMOS工艺模型,可变增益放大器由一个固定增益级、两个可变增益级和一个增益控制器构成。固定增益级对输入信号预放大,以增加VGA最大增益。VGA的增益可变性由两个受增益控制器控制的可变增益级实现。运用gm/ID的综合设计方法,优化了任意工作范围内,基于gm/ID和VGS关系的晶体管设计,实现了低电压低功耗。为得到较宽的增益范围,应用了一种新颖的伪幂指函数。利用Cadence中spectre工具仿真,结果表明,在1.2 V的工作电压下,具有76 dB的增益,控制电压范围超过0.8 V,带宽范围从34 MHz到183.6 MHz,功耗为0.82 mW。     

UHF RFID发射机用高精度可编程增益放大器设计

采用标准0.18μm CMOS工艺,设计了一种应用于超高频射频识别(UHF RFID)发射机的高精度可编程增益放大器(PGA).该PGA由增益细调级和增益粗调级级联形成.增益细调级采用闭环电阻反馈技术,实现了增益的精确控制,并提高了线性度.增益粗调级采用开环源极负反馈技术,实现了增益的粗略控制,并降低了功耗.仿真结果表明,在1.8V工作电压下,整个可编程增益放大器的功耗为2.69mW,增益动态范围为-12~24dB,步长为1dB,增益误差0.02dB;-12dB增益下输入1dB压缩点为-5.54dBm.     

用锁定放大技术测量连续运转低增益激活介质的增益特性

低增益激活介质增益系数的精确测量更是增益特性研究的一个难题。 本文介绍的放大法测量增益系数的实验装置中,我们采用了锁定放大技术和滤光技术,有效地抑制了自发辐射、杂散光、电磁干扰和振动等引起的噪声和干扰。测量了连续运转低增益激活介质的增益特性,给出了不同输入光强下的增益系数。甩     

（英）基于增益谱多项式拟合的双泵浦碲基光纤级联拉曼光纤放大器

光纤拉曼放大器的带宽、增益及增益平坦度直接影响了光纤通信系统的传输质量.针对这些参数的优化,根据碲基光纤的拉曼增益谱特性提出了一种双泵浦级联碲基光纤的拉曼放大器结构.并推导了实现增益谱平坦时光纤长度和泵浦参数满足的约束条件.经过对拉曼增益谱的5次多项式拟合,更准确地反映了拉曼增益谱的信息,同时也简化了其实现增益谱平坦的条件.通过Matlab仿真分析得到,当两段光纤分别取0.339 km,0.16 km时,其最大增益为17.81 dB,增益平坦度为0.66 dB ,放大带宽为48 nm.该方案为宽带宽、高增益、增益平坦度小的拉曼光纤放大器设计提供了一种新的思路.     

基于增益谱多项式拟合的双泵浦碲基光纤级联拉曼光纤放大器（英文）

光纤拉曼放大器的带宽、增益及增益平坦度直接影响了光纤通信系统的传输质量.针对这些参数的优化,根据碲基光纤的拉曼增益谱特性提出了一种双泵浦级联碲基光纤的拉曼放大器结构.并推导了实现增益谱平坦时光纤长度和泵浦参数满足的约束条件.经过对拉曼增益谱的5次多项式拟合,更准确地反映了拉曼增益谱的信息,同时也简化了其实现增益谱平坦的条件.通过Matlab仿真分析得到,当两段光纤分别取0.339km,0.16 km时,其最大增益为17.81 dB,增益平坦度为0.66 dB,放大带宽为48 nm.该方案为宽带宽、高增益、增益平坦度小的拉曼光纤放大器设计提供了一种新的思路.     

与Si 工艺兼容的Si/ SiGe/ Si HBT 研究

我们对Si/SiGe/Si HBT及其Si兼容工艺进行了研究,在研究了一些关键的单项工艺的基础上,提出了五个高速Si/SiGe/Si HBT结构和一个低噪声Si/SiGe/Si HBT结构,并已研制成功台面结构Si/SiGe/Si HBT和低噪声Si/SiGe/Si HBT,为进一步高指标的Si/SiGe/Si HBT的研究建立了基础。     

微波功率SiGe HBT的温度特性

通过研究SiGe异质结双极型晶体管(HBT)的温度特性，发现SiGe HBT的发射结正向电压随温度的变化率小于同质结Si双极型晶体管(BJT). 在提高器件或电路热稳定性时，SiGe HBT可以使用比Si BJT更小的镇流电阻.同时SiGe HBT共发射级输出特性曲线在高电压大电流下具有负阻特性，而负阻效应的存在可以有效地抑制器件的热不稳定性效应，从而在温度特性方面证明了SiGe HBT更适合于微波功率器件.     

Si/ SiGe/ Si HBT 的直流特性和低频噪声

在对Si/SiGe/Si HBT及其Si兼容工艺的研究基础上，研制成功低噪声Si/SiGe/Si HBT，测试和分析了它的直流特性和低频噪声特性，为具有更好的低噪声性能的Si/SiGe/Si HBT的研究建立了基础。     

射频Si/SiGe/Si HBT的研究

在Si／SiGe／SiHBT与Si工艺兼容的研究基础上，对射频Si／SiGe／SiHBT的射频特性和制备工艺进行了研究，分析了与器件结构有关的关键参数寄生电容和寄生电阻与Si／SiGe/Si HBT的特征频率fT和最高振荡频率fmax的关系，成功地制备了fT为2．5CHz、fmax为2．3GHz的射频Si／SiGe／SiHBT，为具有更好的射频性能的Si／SiGe／Si HBT的研究建立了基础。     

SiGe/SiHBT发射结的寄生势垒及其对器件室温和低温特性的影响

研究了SiGe/Si HBT基区B杂质的偏析和外扩散对器件的影响.发现用MBE生长的Si Ge基区中,在材料生长时 B杂质的上述行为会严重破坏器件的室温电流增益并改变器件的低温性能.采用数值计算分析了B杂质的上述行为与在发射结产生的寄生势垒的关系,解释了器件温度特性的实验结果.并根据计算模拟和实验,讨论了SiGe隔离层的作用和优化的厚度     

SiGe/SiHBT异质界面与pn结界面的相对位移的影响

从模拟和实验两方面研究了SiGe/Si HBT发射结中pn结界面和SiGe/Si界面的相对位置对器件的电流增益和频率特性的影响.发现两界面偏离时器件性能会变差.尤其是当pn结位于SiGe/Si界面之前仅几十?就足以产生相当高的电子寄生势垒,严重恶化器件的性能.据此分析了基区B杂质的偏析和外扩对器件的影响以及SiGe/Si隔离层的作用.     

GSMBE生长SiGe/Si材料的原位掺杂控制技术

在特定温控下对掺杂气体分子的状态和活性进行控制 ,建立了一套具有自主知识产权的气源分子束外延工艺生长 Si Ge/Si材料的原位掺杂控制技术。采用该技术生长的 Si Ge/Si HBT外延材料 ,可将硼杂质较好地限制在 Si Ge合金基区内 ,并能有效地提高磷烷对 N型掺杂的浓度和外延硅层的生长速率 ,获得了理想 N、P型杂质分布的 Si Ge/Si HBT外延材料     

16 Gbit/s multiplexer IC using double mesa Si/SiGe heterojunction bipolar transistors

A double mesa Si/SiGe heterojunction bipolar transistor (HBT) was developed for application in integrated circuits. The HBT is characterised by an emitter base heterojunction and consequently by a high base doping concentration. By using these transistors an integrated digital circuit, a multiplexer, was implemented. The measured bit rate of this first Si/SiGe HBT circuit was 16 Gbit/s.<>     

SiGe HBT与Si BJT的~(60)Co射线总剂量辐照效应比较

研究了国产结构参数近似的SiGe HBT与Si BJT在60Coγ射线辐照前和不同剂量辐照后性能的变化,并作了比较。辐照后集电极电流Ic变化很小,基极电流Ib明显增大,表明辐照后电流增益的下降主要是由于Ib的退化所导致。当辐照剂量达到10kGy(Si)时,SiGe HBT和Si BJT的最大电流增益分别下降为77%和55%,表明了SiGe HBT具有比Si BJT更好的抗γ射线辐照性能。对辐射损伤机理进行了探讨。     

Carrier Depth Profile of Si/SiGe/Si n-p-n HBT Structural Materials Characterized by Electrochemical Capacitance-Voltage Method

Si/SiGe/Si n-p-n HBT structural materials have been grown by gas source molecular beam epitaxy with disilane, solid Ge, diborane and phosphine as sources. The materials are of good structural properties. The effectiveness of Electrochemical Capacitance-Voltage (ECV) technique on profiling the shallow doped layers of nanometer dimensions has been demonstrated. Compared with spreading resistance probe, the ECV technique is relatively easy to get the carrier distribution profile, especially for the Si/SiGe/Si HBT structural materials with shallow (≤50nm) base regions (p-type SiGe layer, Ge content about 0.2). The results show that n-p-n structures can be obtained by in situ doping.