薄膜全耗尽积累型SOI MOS 器件在( 27～300℃) 宽温区高温特性的研究

本文在对p^ pp^ 结构薄膜全耗尽积累型SOA MOS器件导电机理和基本特性研究的基础上，进一步研究了实验样品在（27－300℃）宽温区高温特性，理论和实验研究结果表明p^ pp^ 结构薄膜全耗尽积累型SOI MOS器件实验样品在（27－300℃）宽温区具有良好的高温特性。     

高温SO I CMO S 倒相器瞬态特性的研究

本文主要研究高温SOI CMOS倒相器在（27－300℃）宽温区的瞬态特性。研究结果表明：当采用N^ PN^ 和P^＋PP^ 结构薄膜SOI MOSFET组合，并且其结构参数满足高温应用的要求，则SOI CMOS倒相器实验样品在（27－300℃）具有良好的高温瞬态特性。     

宽温区（27—300℃）MOS器件高温特性的模拟

本文在研究ＭＯＳ器件高温特性的基础上，介绍了高温区器件模拟的特殊考虑及宽温区ＭＯＳ器件高温特性的模拟。经结果验证，基于ＭＩＮＩＭＯＳ４．０基本算法的高温ＭＯＳ器件模拟软件可模拟２７－３００℃宽温区ＭＯＳ器件的高温特特性，而且模拟和结果基本相符。     

金刚石基板多芯片功率组件用SiC功率芯片封装

高温电子封装需要功率开关器件、元源元件及材料均能经受高达30012的工作环境温度。以往情况下，传统硅基电子器件在工作温度高于150℃时其电性能就会出现欠缺。90年代初，出现一种市售绝缘体上硅技术(即HTMOS^TM)，该技术可使器件达到至少5年、225℃的工作寿命以及300℃、少于5年的工作寿命。除了碳化硅(SiC)之外，在技术水平上之后再未出现过能经受超过300℃工作环境温度的其它别的功率器件材料。尽管SiC功率器件仍未达到商品化的程度，但十分明显，SiC技术对需要在高温环境下工作的功率电子封装设计策略将会产生影响。     

MEMS高温压力传感器耐高温引线结构优化

绝缘体上硅(SOI)高温压力传感器可在高温(高于125 ℃)下工作。通常情况下构成惠斯通电桥的电阻单独处于压力敏感区,以提高其灵敏度,但在其工作期间压力传感器器件区电阻重掺区与金属引线连接处存在一定高度差,在加压加电高温环境下此处热应力变大,金属引线因过热而出现金属引线断裂或失效,无法满足高温需求。在此基础上研究了一种硅引线技术,使其与压敏电阻处于同一高度层,金属引线平铺在硅引线上端,经退火后形成良好的欧姆接触。实验测试表明,该方案能使压力传感器在300 ℃高温环境下正常工作,金属引线与电阻区连接完好,传感器敏感区应力降低接近50%,且优化后传感器灵敏度符合设计要求。     

SiC、GaAs和Si的高温特性比较

采用杂质半导体电导率的本征化和pn结热击穿方法研究了SiC、GaAs和Si材料的高温特性。理论计算表明Si、Ge、GaAs、3C－SiC和6H－SiC器件的最高工作温度分别为450、175、650、1500和2100℃。在室温至400℃以内，硅和砷化镓器件由于工艺成熟、性能稳定而成为主流，SiC材料的器件在大于500℃的特高温区和高温大功率方面则有巨大的优势。     

28 nm超薄体FD-SOI高温特性研究

研究了低阈值电压(LVT)结构的28 nm超薄体全耗尽绝缘体上硅(FD-SOI)MOSFET的高温下特性.在300℃下对器件进行测试,将FD-SOI与部分耗尽(PD)SOI进行参数对比.结合理论分析,证明了高温下超薄体FD-SOI具有比PD-SOI更低的阈值电压漂移率和亚阈值摆幅.在300℃高温下工作时,SOI MOS...     

SiC MESFET中Ti/Pt/Au肖特基接触稳定性的研究

SiC是一种在高功率和高温应用中涌现的非常重要的半导体材料.研究了一种国产Sic MESFET 器件300℃温度应力下,存储1 000 h Ti/Pt/Au栅肖特基势垒接触的稳定性以及器件电学特性的变化.实验结果表明在300℃温度应力下,器件的最大饱和漏电流、势垒高度、阈值电压和跨导等参数均呈现明显的下降趋势,在实验前期一段时间内退化较快,而在应力后期某段时间内为渐变并趋于稳定.     

InGaAsP／InP掩埋条型激光器的漏电流分析

本文针对Ｐ－Ｎ－Ｐ－Ｎ埋区结构中的漏电流，用广义Ｐ－Ｎ－Ｐ－Ｎ三端器件的理论模型，细致地分析和模拟计算了Ｐ－Ｎ－Ｐ－Ｎ掩埋型ＢＨ激光器的漏电流特性，并据此给出了优化设计器件的数据曲线．通过具体的激光器工艺，我们做出的ＦＢＨ激光器的漏电流大大减小，激光器的线性输出光功率可高达２０ｍＷ，室温寿命超过１０万小时．     

宽温区高温体硅CMOS倒相器的优化设计

在对体硅 CMOS倒相器直流特性、瞬态特性的高温模型和高温特性深入研究的基础上 ,提出了高温体硅 CMOS倒相器结构参数设计的考虑 ,给出了宽温区 (2 7～ 2 5 0℃ )体硅 CMOS倒相器优化设计的结果。模拟验证表明 ,所设计的体硅 CMOS倒相器在宽温区能满足下列电学参数设计指标 :输出高电平 Vo H>4 .95 V,输出低电平 Vo L<0 .0 5 V,转换电平 V*i (2 7℃ ) =2 .5 V,V*i(2 5 0℃ ) =2 .4 V,上升时间 tr(2 7℃ ) <110 ns,tr(2 5 0℃ ) <180 ns,下降时间 tf(2 7℃ ) <110 ns,tf(2 5 0℃ ) <16 0 ns。     

体硅、SOI和SiCMOS器件高温特性的研究

首先介绍了体硅 MOS器件在 2 5～ 30 0℃范围高温特性的实测结果和分析 ,进而给出了薄膜 SOI MOS器件在上述温度范围的高温特性模拟结果和分析 ,最后介绍了国际有关报道的Si C MOS器件在 2 2～ 4 50℃范围的高温特性。在上述研究的基础上 ,提出了体硅、SOI和 Si C MOS器件各自所适用的温度范围和应用前景     

车载液晶驱动IC设计要点

汽车的空间狭小,操作环境恶劣,且温度和湿度范围相当宽广。电子零组件在如此环境下工作,可靠度、耐用度、抗干扰性及品质维护备受考验。应用在车载系统上的液晶驱动IC,该如何设计以满足车用电装品的需求,值得我们深入探讨。     

Temperature dependence of hot-carrier degradation in silicon-on-insulator dynamic threshold voltage MOS transistors

The authors analyze the influence of temperature on hot-carrier degradation of silicon-on-insulator (SOI) dynamic threshold voltage MOS (DTMOS) devices. Both low and high stress gate voltages are used. The temperature dependence of the hot-carrier effects in DTMOS devices is compared with those in SOI partially depleted (PD) MOSFETs. Possible physical mechanisms to explain the obtained results are suggested. This work shows that even if the stress gate voltage is low, the degradation of DTMOS devices stressed at high temperature could be significant.     

适用于BiCMOS电路模拟的低温载流子迁移率模型

在分析各种主要散射物理机制的基础上，建立起依赖温度、浓度和电场作用的载流子迁移率模型，并将体效应与表面效应有机地结合在一起。该模型物理意义明确、拟合参量适中、精度高、适用范围广，特别适合包含ＢＪＴ和ＭＯＳ结构的ＢｉＣＭＯＳ电路模拟的需要。     

Large-signal linearity of scaled MOS transistors

The tendency toward linearity between saturated drain current and gate-to-source voltage exhibited by small-dimension MOS transistors is explored from the standpoint of possible exploitation in analog MOS circuits. Nonlinearity is calculated using a simple MOS model which includes the high field dependence of inversion-layer carrier mobility. The nonlinearity for devices with a wide range of channel lengths and gate dielectric thicknesses was measured and is compared to results from the model. Some problems associated with the use of short-channel MOS transistors in analog circuits are discussed.     

BSQ-Ⅰ型钯管氢气净化器温控线路的改进

分析了外购氢气净化器的不足,对其温控线路进行了改进。改进后的氢气净化器,故障少、可靠性高、电路工作范围宽,维修方便。     

Temperature and bias investigation of self heating effect and threshold voltage shift in pHEMT's

In the present work we analyze the performance of power pseudomorphic HEMT's having scaled gate widths (300, 600, 900 μm) under a wide range of bias and temperature conditions to investigate the onset of an hot electron regime. These devices exhibit a negative slope of I_D with respect to V_DS and a subsequent negative differential resistance under high power dissipation conditions. This reduction in the drain current can be explained by a degradation of the carrier velocity in the two dimensional electron gas due to the self-heating effect.The output I−V characteristics of our devices are also affected by the threshold voltage shift. It results that the threshold voltage increases linearly by decreasing the temperature. This threshold voltage shift causes a decrease of the transconductance when the devices is biased closer to the pinch-off. Consequently, the forward transmission parameter S₂₁ at microwaves shows a degradation at lower temperatures despite the fact that the transport properties improve upon cooling.     

深亚微米体硅器件电离辐射及退火与温度的相关性研究

对经过Co60不同剂量剂量率辐照的体硅MOS器件(NMOSFET与PMOSFET)分别进行了室温和高温下的退火实验,并对退火结果进行分析,讨论了退火温度对MOS器件阈值电压及辐射感生的氧化层陷阱电荷与界面态电荷产生的影响.     

MOS and Bipolar ICs in consumer applications

This paper considers the application of Bipolar and MOS technologies to a number of consumer areas. It discusses the relevant advantages of MOS and Bipolar technology; a wide range of actual devices are included, and brief details of the operating performance.     

Reliability Investigation of 0.18-μm SOI MOS Transistors at High Temperatures

In this paper, we estimate the basic parameters of 0.18-μm SOI MOS transistors in the temperature range from –60 to 300°С and investigate their reliability at high temperatures. The specific characteristics of SOI MOS transistors that manifest themselves at high temperatures should be taken into account when designing high-temperature integrated circuits in order to avoid their premature failures and improve the reliability of electronic devices.