铌酸锂单晶光纤的生长

用导模法生长成功φ0.5×(160—170)mm各种取向的LiNbO_3单晶光纤。研究了单晶光纤形貌和生长参数的关系。比较了α轴和c轴LiNbO_3单晶光纤在生长速度、抗张强度上的差别。对c轴光纤单畴结构的形成机制进行了简单讨论。     

钽酸锂(LiTaO_3)单晶生长形态的研究

本文详细观测了沿Z、Y、X、R、MC等五个不同晶轴方向提拉生长的LiTaO_3单晶的生长形态。特别注意到出现在晶体表面呈浮雕状的形貌(生长脊和晶面显露)。研究了这些形貌的空间分布规律性以及和扩肩角θ的关系。从晶体对称性和简单指数晶面族按面网密度小先尖灭的原理出发,结合提拉法晶体生长过程的分析,说明了生长形态的形成机制,指出R晶面族在生长丘发育成生长脊或晶面显露中的决定作用,提出原胞模型来唯象说明各种取向的LiTaO_3单晶的生长形态,那些出现生长脊或晶面显露的特征性方位是原胞顶点没提拉轴方向投影到垂直提拉轴平面上的方位。所得结果与实验观测结果相符。     

锂快离子导体研究进展与展望

综述了近年来无机锂快离子导体和聚合物锂快离子导体研究进展及其应用。对不同种类的锂快离子导体的导电率、性能、稳定性进行了简评,对影响其电导率的主要因素进行了简单的分析。提出了锂快离子导体制备的要求,展望了其未来的应用前景。     

激光加热无坩埚提拉生长硅酸钕单晶

利用激光加热无坩埚提拉生长纤维单晶设备,成功地生长出硅酸钕单晶。并对其进行了X射线扮来衍射、电子探针分析、差热分析,X射线精密照相机衍射和偏光显微镜等测试。确认单晶的化学组成为Nd_4Si_3O_(12)。在1350℃左右晶体有相变。在室温下其结构属于六方晶系。     

铁电单晶铌酸锂的极化方法研究

本文介绍了一种新的极化方法——低频预交 变电场极化 铌酸锂。与通常的直流电场极化铌酸锂相比较,发现在表征晶体光学质量优劣的双折射梯度、消光比和针畴密度等三个参数方面,都有明显降低,所以用新的方法极化铌酸锂单晶,在一定程度上提高了晶体的光学质量。     

用MgF2作为镁离子扩散源实现铌酸锂单晶光纤包层

首次利用ＭｇＦ２作为镁离子内摭用源以实现铌酸锂单昌光纤的芯－包层波导结构，此包晶纤比末包晶纤的损耗降低约１０倍。对镁离子内扩散机理进行了分析。对扩散表面进行了Ｘ射线衍射分析和扫描电镜观察，发现当镁离子内扩散超过一定程度时，在镁的扩散层出现ＬｉＮｂ３Ｏ８物相结构，该相结构的出现与铌酸锂体仙锂离子的外扩散及扩散表面的氟离子存在有关，     

铌酸锌(Zn_3Nb_2O_8)单晶的生长

采用提拉法生长了铌酸锌(Zn_3Nb_2O_8)大单晶。同成分化合物熔点为1308℃。X射线测定Zn_3Nb_2O_8属正交晶系,晶格常数为α=19.048埃,b=5.901埃,c=5.194埃。晶体密度为5.731克/厘米~3,弹性常数为C_(11)~E=1.35×10~(11)牛/米~2,C_(22)~E=1.28×10~(11)牛/米~2和C_(33)~E=1.12×10~(11)牛/米~2,介电常数为ε_(11)~T=32,ε_(22)~T=21和ε_(33)~T=16。     

锂快离子导体无机纳米粉的合成及其应用

综述了快离子导体无机纳米粉的进展 ,介绍了合成方法　抑制团聚措施及应用前景     

锰锌铁氧体大单晶生长工艺的改进

<正> 一、引言锰锌铁氧体单晶广泛用于制作各种视频磁头。但由于它的生长周期长、产率低,使得成本较高,因而竞争能力受到限制。解决的办法是生长大单晶。同时,对于某些具有特殊功能的磁头,大单晶也是必须的。     

扩镁铌酸锂单晶光纤的微观结构分析

通过电子探针显微分析表明，铌酸锂单昌光纤经镁离子的内扩散后，镁离子已完全扩散进晶纤内部，且扩散层镁离子浓度呈现抛物线形分布。通过常规Ｘ射线衍射的ＬａｕｅＸ射线衍射照相证明：铌酸锂单晶光纤并不因镁离子的进入百破坏其晶体特性，而是保持了完好的单晶结构。     

锌电解全流程酸锌离子浓度在线预测模型

针对电解液中酸锌离子浓度离线化验存在大滞后,难以实现锌电解过程在线优化控制的问题,研究了锌电解全流程酸锌离子浓度在线预测模型。在分析锌电解过程电化学反应机理的基础上,结合锌电解过程物料平衡,建立了锌电解动态反应模型。基于锌电解工业现场数据,采用FCM算法对锌电解工况进行分类,并辨识了不同工况条件下预测模型的参数,利用多工况模糊匹配实现了全流程酸锌离子的预测。工业数据验证结果表明所建模型能有效地反映酸锌离子浓度的变化趋势,为锌电解过程的优化控制奠定了基础。     

坩埚下降法生长铌酸锂晶体

采用坩埚下降法,生长了直径为5 cm的铌酸锂晶体.探讨了晶体生长工艺条件,测试了晶体的透过光谱.所得晶体呈浅茶色,分析认为主要是氧空位缺陷所致.铌酸锂晶体通常用作声表面波(surface acoustic wave,SAW)器件的基片,氧空位缺陷可增加基片的电导率,减少器件制造过程中晶片开裂,有利于提高SAW器件成品率.     

镁离子内扩散铌酸锂表面改性研究

利用溶胶－凝胶工艺在Ｙ切铌酸锂单晶基片衬底上制备氧化镁薄膜，经镁离子内扩散后，进行了其表面改性研究。由Ｘ射线衍射和电子探针显微分析表明，扩散层具有一种新的化合物结构特性，镁离子浓度随扩散深度的变化具有近似半抛物线形状的分布。本实验结果可用于铌酸锂单晶光纤芯－包层波导结构，经选择适当的参数如膜厚、扩散温度、扩散时间等，可望得到晶纤的单模传输。     

掺铈铌酸锂晶体的生长和表征

采用提拉法生长了掺Ce的同成分LiNbO3（Ce：CLN）晶体。X射线粉末衍射表明,掺杂并不影响晶体结构,其空间群为R3c。采用X射线荧光光谱分析方法,计算得到铈离子的有效分凝系数为0.4。室温下,晶体在700～3500nm波段的透过率达75%。利用X射线光电子谱（X-ray photoelectron spectroscopy,XPS）和Raman光谱分别表征了铈离子对铌酸锂的电子和声子结构的影响。XPS结果表明,铌离子仅存在纯的＋5价,铈离子由于浓度较小,未检测到信号。Raman光谱结果显示,除Ce：CLN晶体的A1（TO4）模波数和A1（TO1）模半峰宽较纯的LiNbO3晶体发生明显变化外,其余模都与其基本一致,表明铈离子主要进入晶格的Nb位置。     

掺镁铌酸锂晶体吸收边紫移及占位离子的离子极化模型

测量了系列Mg~(2+):LiNbO_3晶体的吸收边,根据晶体吸收边紫移和离子极化理论,提出:Mg~(2+)将首先取代位于Li~+位的Nb~(5+),当浓度超过5mol％后,才开始进入正常Li~+位。此模型可解释Mg~(2+):LiNbO_3抗光折变增强和光电导增大的机制。