直接敷铜陶瓷基板及制备方法

直接敷铜技术是基于氧化铝陶瓷基板发展起来的一种陶瓷表面金属化技术,随着大功率模块与电力电子器件的发展与要求,直接敷铜已从氧化铝陶瓷基板发展到其他陶瓷基板。介绍了国内外陶瓷基板直接敷铜技术、理论研究、新进展和今后的发展趋势。     

铝基氧化铝表面化学镀铜工艺研究

在铝基板表面的氧化铝上实施化学镀铜,获得剥离强度良好的化学镀铜层.利用扫描电子显微镜观察了化学镀铜层的剖面形貌;测定了硅烷化前后氧化铝表面的润湿性;分析了硅烷化时间和施镀时间对氧化铝表面铜厚度的影响.结果表明:在铝基板表面氧化铝上所制得的化学镀铜层与基体结合力良好,可以满足印制线路板的要求.     

莫来石-氧化铝涂层增强氧化铝陶瓷基板制备及热导率/介电常数

莫来石-氧化铝涂层可以显著提高氧化铝陶瓷基板的表面硬度和耐磨性，从而更好地保护基板表面。此外，该涂层还可以改善氧化铝陶瓷基板的耐高温性能，提高其在高温环境下的应用场景。本次研究中，相关工作人员详细探究莫来石-氧化铝涂层增强氧化铝陶瓷基板的制备方式，并利用测试确定其热导率以及介电常数，通过这种方式，以期为增强氧化铝陶瓷基板的物理、机械以及化学性能提供技术支持。     

氧化铝陶瓷高温银浆表面金属化研究

电子银浆料是通过丝网印刷工艺预先均匀分布在氧化铝陶瓷板表面。笔者通过四探针测试法和背散射电子成像分别研究了烧结保温时间和基板腐蚀情况对银金属化层的形貌、表面电阻率以及机械特性的影响。实验数据显示,在850℃保温40min时银金属化层的表面电阻率最小且有最大的附着力强度。此外,即使在氧化铝陶瓷基板被不同浓度的氢氧化钠碱液腐蚀后,银金属化层仍然具有较小的表面电阻率和较大的附着力强度。基于实验结果可得出,在银金属化层与氧化铝陶瓷基板界面处提出了银金属化层网状结构和玻璃的网状结构相互交错的模型。     

氧化铝PET复合膜

日本日立化成工业公司在NHK广播技术研究所的帮助下,开发了接收卫星广播系统用平面天线“HFS系列”,基板材料是介电系数低、热膨胀小的氧化铝PET复合     

搪瓷电路基板在电子工业中的应用

一、基板搪瓷发展历史 搪瓷基板用作电路基板已发展了二十几年。由于搪瓷基板坚固耐用,安全可靠,能做成大尺寸板,以及热性能、电性能优异,且价格较陶瓷材料(如氧化铝)便宜得多,因此,可以令人满意地应用于电子工业,以取代原有作为一般电路基板的氧化铝陶瓷。 六十年代中期就有人用环氧树脂制成基板,但它经不起高温烧成。同时,美国电子总公司(GEC)亦研制了以钢板为基材、表面涂层为陶瓷材料的基板用来制造袖珍收音机。但由     

多层陶瓷基板制造技术

采用CuO浆料为布线导体材料是制造多层陶瓷基板的新技术,该方法可彻底除去浆料中的有机物,制造性能良好,易于推广和批量生产的多层陶瓷基板,本文总结了CuO多层陶瓷基板材料及其制造技术,分析了各工艺对基板性能的影响,确定了最佳技术条件。     

氧化铝陶瓷基板工艺研究

本文主要介绍了流延法生产氧化铝陶瓷基板的工艺.研究了原料粒度分布对基板微观结构的影响,用流延法制备了96%氧化铝陶瓷基板,并对基板表面被釉,试验了基板的性能,研究了基板生产过程中一些关键的因素.     

高纯度AlN粉末及其陶瓷

日本德山曹达公司最近向美国道化学公司提供了制造高纯度氮化铝(AIN)的技术及用AIN制造半导体基板用陶瓷的技术。 AIN的纯度为99.9％,制成的陶瓷是透明的,导热系数比普通氧化铝陶瓷高十倍。目前使用的AIN纯度只有98％,制成的陶瓷为灰黑色,不透明,导热系数只有普通氧化铝陶瓷的3倍。这种产品是德山曹达公司1985年5月开发成功并投入生产的。目前生产能力为130吨/年,产品供日本国内及欧美使用。     

流延成形A-96瓷机电性能改进

研究了Ca2+对Al2O3-MgO-SiO2三元系统的影响。结果表明,Ca2+的引入可抑制Na+的迁移,明显改善产品性能。当CaCO3含量为0.8%时,氧化铝陶瓷基板的电性能达到国标要求;当CaCO3含量为1.0%时,氧化铝陶瓷基板的电性能最佳,体积密度最高,但此时基板颜色发黄。为了保证白色基板,可将CaCO3含量定为0.8%。     

高反射率LED陶瓷基板制备及其COB封装光源光效的研究

在普通氧化铝陶瓷基板中,增加气孔率,掺杂ZnO、SnO_2或ZrO_2,将普通陶瓷基板的反射率从92%提高到99%,其中掺杂ZrO_2的氧化铝陶瓷基板,其抗弯强度可以从412MPa提高到787MPa。采用99%高反射率的陶瓷基板制成的1512COB,比采用92%反射率的普通陶瓷基板制成的1512COB,光效高出6%-7%;采用99%高反射率的陶瓷基板制成的1919COB,比采用98%反射率的镜面铝基板制成的1919COB,光效高出1%-2%。     

塑料地板压合成型设备

正一种塑料地板压合成型设备,至少包含一挤出机、辊压单元、压机单元、延时机构与拉料机构,其中该挤出机用以成型一基板层,并输送至该辊压单元;该辊压单元利用一第一放卷机构与第二放卷机构分别将一印刷层及耐磨层输送至压延机,用以将该基板层、印刷层及耐磨层辊压预贴为一体,再输送至该压机单元;利用该压机单元以热压或冷压方式,将由该基板层、印刷     

日本企业开发新原理充电电池

<正>日前,日本MJC公司(株式会社日本マイクロニクス)公布了与Guala Technology公司(グエラテクノロジー株式会社)合作开发的新型充电电池"Battenice"。根据Guala Technology公司申请的专利,该电池的制造技术可能为:1)在基板上依     

氧化铝粉体性能对流延法生产陶瓷基板的影响

流延法是一种生产电子陶瓷基板广泛使用的先进工艺方法.本文分析了氧化铝原料杂质含量、结晶形貌、α-相转化率、粒度分布等对流延工艺及陶瓷基板的质量影响,并提出了适用流延法陶瓷基板用氧化铝原料性能指标.     

日可连续生产超薄氧化铝陶瓷膜

日本的三菱采矿和水泥公司首先采用溶胶法连续生产高质量细薄(30—100微米)陶瓷膜技术。该超薄氧化铝陶瓷膜,用金属铝和乙醇生产的烷氧基铝作原料。这一新的技术成功是最近从日本研究开发公司得到证实的。该公司已委托三菱采矿开发上述技术。这种新的陶瓷膜的厚度大约是通用型产     

氧化铝基板上二氧化钛纳米棒薄膜的形貌及其润湿性的研究

使用溶胶凝胶法在氧化铝基板上涂敷一层二氧化钛溶胶,煅烧后形成诱导层,随后用水热法在诱导层上生长纳米棒,研究水热前驱液中钛酸四丁酯(TBOT)浓度对二氧化钛纳米棒薄膜生长的影响,用XRD、SEM、TEM对样品的结构和形貌进行了表征,使用接触角测量仪测试样品的润湿性。测试结果表明:涂敷诱导层可以让氧化铝基板上生长出致密的单晶生长的金红石相二氧化钛纳米棒薄膜,生长的晶面方向为(0,0,1);当水热前驱液中钛酸四丁酯浓度逐渐增大时,基片表面先是生成棒状二氧化钛,与水的接触角逐渐增大,最高可达到102.475°,随后纳米棒逐渐聚集,生成集束状和球状二氧化钛,接触角开始减小,最小可达到4.455°。     

PVDC用于基板材料的专利技术进展

系统总结了PVDC用作基板材料的专利技术现状.通过专利技术来源国/地区排名、目标市场国/地区排名分析,找到了该技术在全球范围内的专利布局;通过专利主要申请人技术分布分析,得出了主要的申请人高通股份有限公司重点布局G06K9技术领域;通过专利申请趋势分析,得出了该技术在2018年进入集中布局、2020年新的创新点已很难找到的结论.指出PVDC在太阳能基板、主动式矩阵驱动基板薄膜装置中具有广阔的发展前景.     

日本高纯氮化铝粉末及陶瓷

日本德山曹达公司生产的高纯氮化铝AIN粉末及其陶瓷独占美国市场,并直接供应美国道化字公司用于制造半导体装置用基板。粉末品纯度为99.9％,制成陶瓷后与透明的热导性氧化铝瓷相比,导热能力提高九     

有机电致发光器件封装技术的研究进展

有机电致发光器件(OLED)对O2和水汽非常敏感,渗入器件内部的O2和水汽会严重影响器件的发光寿命。因此,OLED器件的封装很重要。介绍了不同衬底或基板OLED封装技术的研究状况,包括以玻璃为基板的封装技术如等离子体化学气相沉积、原子层沉积、化学气相沉积聚合物薄膜和光聚合聚丙烯酸酯薄膜等;以塑料为基板的封装技术通常采用多层或迭层的复合封装技术如有机–无机复合膜和金属–有机复合膜的封装技术等。     

氮化硅陶瓷覆铜基板制备及可靠性评估

氮化硅陶瓷覆铜基板优异的高可靠性使其成为高铁、电动汽车等领域功率模块最有前途的基板材料之一,目前只有日本厂商具备量产能力,国内进口困难,阻碍了相关产业的发展.采用气压烧结实现了高性能氮化硅陶瓷基板的制备,并通过活性金属钎焊工艺获得了氮化硅陶瓷覆铜基板.氮化硅陶瓷的弯曲强度800 MPa,断裂韧性8.0 MPa·m1/2,热导率90 W/(m·K),交流击穿强度40 kV/mm和体积电阻率3.7×1014Ω·cm;氮化硅陶瓷覆铜基板的剥离强度达到130 N/cm.在-45～150℃高低温循环冲击下,氮化硅陶瓷覆铜基板的冲击次数分别达到氮化铝和氧化铝覆铜基板的10倍和100倍;在铜厚0.32 mm/0.25 mm冲击次数达5000次和铜厚0.5 mm/0.5 mm冲击次数达1000次的情况下,样品均完好无损;在铜厚0.8 mm/0.8 mm冲击次数达500次时,样品仍未产生微裂纹等缺陷,这与铜厚0.32 mm/0.25 mm时氮化铝覆铜基板的循环次数相当;氮化硅陶瓷覆铜基板的可靠性明显优于现有产品.