环境温度对SnO2元件气敏特性的影响

研究了环境温度变化对各种ＳｎＯ２元件气敏特性产生的影响，突出地表现为随着环境温度的降低，气敏元件在空气中的阻值Ｒ０明显增大。用有机硅化物处理元件的表面可减小元件Ｒ０的这种漂移。     

气环境温度对元件气敏特性的影响

研究了环境温度变化对各种元件气敏特性产生的影响突出地表现为随着 环境温度的降低一℃ , 气敏元件在空气中的阻值。明显增大用有机硅化物 处理元件的表面可减小元件凡的这种漂移     

气敏（载体催化）元件性能的改进与提高

通过对补偿元件进行金化处理，使其表面形成性检测元件相同的导电层和黑度，省略关在补偿元件上的电阻，大大改善了元件的互换性，提高了配对合格率，并减少了测量工作点的时间。     

SnO2系气敏元件热特性定量描述

通过测试某厂生产的SnO     

补偿式气敏元件的研究

提出了由n型气敏材料和p型气敏材料构成的补偿式气敏元件的原理及实现补偿的条件.据此原理制作了由γ-Fe_2O_3和LaFeO_3构成的补偿式元件.该元件有效地克服了乙醇的干扰,提高了对丁烷的选择性.     

低温气敏元件的研制

SnO_2气敏元件应用虽广,惜其工作温度高,耗能多,以及选择较差,难尽人意.为此作者对CO敏与酒敏元件两者取用人们研讨热点的超细SnO_2粉末为基料制作低温元     

Fe2O3气敏材料的制备及掺杂研究

作者以不同铁盐与ＮａＯＨ反应，用共沉淀法磷选出较好的γ－Ｆｅ２Ｏ３气敏材料；再通过多种掺杂，研究杂质对材料灵敏度的影响，寻找γ－Ｆｅ２Ｏ３对ＣＯ，Ｈ２，ＬＰＧ灵敏的适宜掺杂剂，以促进γ－Ｆｅ２Ｏ３气敏元件的实用化。同时，作者又通过对掺杂物热力学数据的研究，初步发现了一条选择合宜掺杂剂的规律。     

硅基热线式气敏元件及其特性􀀁

利用射频溅射在硅衬底上制作Ｐｔ膜电极,以溶胶－凝胶法制作的低阻ＳｎＯｘ为敏感层制成平面热线式气敏元件。研究了工艺条件,掺杂行为及其对气敏特性的影响,掺Ｓｂ及Ｐｔ石棉在７００℃烧结１．５ｈ的元件对Ｈ２,ＮＨ３灵敏度较高。     

半导体气敏元件的新进展

<正> 一、引言 随着工业现代化的发展,在煤炭、石油、化工、电力等部门及时准确地对易燃、易爆、有毒、有害气体进行监测预报和自动控制已经成为当前急待解决的重要课题。又随着人们生活水平的提高,对家用煤气、液化气泄漏报警及有害气体的排除也开始要求有安全舒适的环境,这就要求迅速发展气体传感器及其应用技术。     

高灵敏度高选择性的H2S气敏元件

报导了采用化学沉淀法制备SnO_2超微粉,掺入(5～7)%wt的RbCI等掺杂剂,制成烧结型H_2S气敏元件,具有极高的灵敏度和良好的选择性,可检测0.1X10~(-6)的H_2S气体.     

稀土掺杂薄膜型气敏元件

介绍稀土掺杂薄膜型气敏元件的制作工艺和敏感性能，测试结果表明，掺Ｅｕ２Ｏ３的元件对丙酮敏感性高，而掺Ｎｄ２Ｏ３的元件对乙炔气敏感性高，文中对这类元件的气敏机理作了简单的讨论。     

提高半导体气敏元件性能稳定性和可靠性的新途径

利用多元贵金属作为本半导体气敏元件的敏感剂,同时又作为稳定剂,使元件在多种干扰因素作用下,其性能表现为稳定可靠。这表明了多元贵金属作为元件的稳定剂又作为敏感剂是提高元件性能稳定性和可靠性的有效新途径。     

Fe

通过测试某厂生产的Fe     

运用神经网络进行气体分析的研究

介绍了采用非选择性气敏元件组成气敏阵列，并通过神经网络模式识别法，对多种混合气体进行组份分析的研究，以及目前已得到的初步结果．     

半导体氧化物气敏材料的电导振荡特性研究

本文对半导体氧化物气体敏感材料的电导振荡特性加以研究分析,通过试验与理论分析得出气敏电导振荡的必要条件,并对电导振荡型气体敏感元件的原理、工艺技术和结构等进行分析说明．同时,对半导体氧化物气体敏感材料的常温气体敏感特性进行归纳总结,指出其优缺点和需要解决的问题．     

MQLQ—11型气敏元件的研制

本文介绍了ＭＱＬＱ－１１型硫化氢气体传感器，论述了元件的材料制备，制作 工艺及性能。