磁控反应溅射制备GexC1-x薄膜的结构

利用射频磁控反应溅射以Ar、CH4 为原料气体 ,在较宽的工艺参数范围内制备出了GexC1-x薄膜。利用X射线衍射 (XRD)、X射线光电子谱 (XPS)对制备的薄膜进行了分析。结果表明 ,GexC1-x薄膜的结构强烈依赖于制备的工艺参数。当沉积温度较低、射频功率不大时 ,GexC1-x薄膜主要为非晶态结构。随着沉积温度升高、射频功率增大 ,薄膜中出现Ge微晶相。GexC1-x薄膜中Ge与C发生电荷的转移 ,形成化学键。     

离子束辅助沉积Fe－N薄膜的相形成

用离子束辅助沉积方法合成Ｆｅ－Ｎ薄膜，用离子束背散射和Ｘ射线衍射方法分析薄膜成分和结构．结果表明，薄膜的组分（α－Ｆｅ，ζ－Ｆｅ２Ｎ，ε－Ｆｅ（２－３）Ｎ，γ＇－Ｆｅ４Ｎ相等）取决于沉积参数。给出了沉积温度和Ｎ／Ｆｅ原子到达比组成的相区域图．     

离子束辅助沉积Fe－N薄膜的相形成SCIEI

用离子束辅助沉积方法合成Ｆｅ－Ｎ薄膜，用离子束背散射和Ｘ射线衍射方法分析薄膜成分和结构．结果表明，薄膜的组分（α－Ｆｅ，ζ－Ｆｅ２Ｎ，ε－Ｆｅ（２－３）Ｎ，γ＇－Ｆｅ４Ｎ相等）取决于沉积参数。给出了沉积温度和Ｎ／Ｆｅ原子到达比组成的相区域图．     

Gas Source Molecular Beam Epitaxy Growth of Si_(1-x)Ge_x/Si Alloys

ＧａｓＳｏｕｒｃｅＭｏｌｅｃｕｌａｒＢｅａｍＥｐｉｔａｘｙＧｒｏｗｔｈｏｆＳｉ１－ｘＧｅｘ／ＳｉＡｌｏｙｓＬｉｕＸｕｅｆｅｎｇ，ＬｉＪｉａｎｐｉｎｇａｎｄＳｕｎＤｉａｎｚｈａｏ（刘学锋）（李建平）（孙殿照）ＭａｔｅｒｉａｌＳｃｉｅｎｃｅＣｅｎｔｅｒ...     

Ga替代对Gd2（Fe,Co）17化合物磁性的影响

通过Ｘ射线衍射和磁性测量手段研究了Ｇｄ２（Ｆｅ０．８Ｃｏ０．２）１７－ｘＧａｘ（０≤Ｘ≤８）化合物的结构和磁性。实验结果表明Ｇｄ２（Ｆｅ０．８Ｃｏ０．２）１７－ＸＣａＸ化合物均为菱方的Ｔｈ２Ｚｎ１７型结构,单胞体积Ｖ随Ｃａ含量的增加单调上升,居里温度Ｔｃ和饱和磁化强度Ｍｓ随Ｇａ含量的增加而单调下降。粉末取向样品的Ｘ射线衍射结果表明,随Ｇａ含量的增加,化合物的室温易磁化方向由易面转变为易轴,Ｇｄ２（Ｆｅ．８Ｃｏ０．２）１７－ＸＣａＸ化合物的３ｄ亚晶格出现室温单轴各向异性可能与Ｃａ原子的择优占位有关。     

MOCVD Growth of GaAs / Al_xGa_(1-x) As Superlattices

ＭＯＣＶＤＧｒｏｗｔｈｏｆＧａＡｓ／Ａｌ＿ｘＧａ＿（１－ｘ）ＡｓＳｕｐｅｒｌａｔｔｉｃｅｓＸｕＸｉａｎ＇ｇａｎｇ；ＨｕａｎｇＢａｉｂｉａｏ；ＲｅｎＨｏｎｇｗｅｎ；ＬｉｕＳｈｉｗｅｎａｎｄＪｉａｎｇＭｉｎｈｕａ（徐现刚）（黄柏标）（任红文）（刘士文）（...     

宽过冷液相区的Co基非晶合金

开发一种具有宽过冷液相区的Ｃｏ基非晶软磁合金,检查了它们的淬态结构、热稳定性和软磁性能．用电弧熔炼法制备了Ｃｏ７０－ｘＦｅｘＺｒ１０Ｂ２０Ｃｏ７２－ｘＦｅｘＺｒ８Ｂ２０和Ｃｏ６３Ｆｅ７Ｚｒ１０－ｘＭｘＢ２０（Ｍ＝Ｎｂ,Ｔａ或Ｗ）多组元母合金．用熔体旋淬技术制备了厚约２５ｕｍ的快凝合金带。用Ｘ射线衍射仪和透射电镜检查了非晶结构,用差示扫描量热法检查了玻璃转变温度、过冷液相区和晶化温度,用振动样品磁强计测量磁化强度和居里温度,用阻抗和电容分析仪测量磁导率和磁致伸缩。得到的主要结果如下：（１）在Ｃｏ７…     

纳米晶SmFeGaC合金的硬磁性

用电弧熔炼方法制备了Ｓｍ２Ｆｅ１７－ｘＧａｘＣｙ（ｘ≤６，ｙ＝１．５和２．５）化合物，研究了它们的相形成、结构与磁性。用快速急冷方法制备了纳米晶ＳｍＦＧａＣ硬磁材料，研究了淬火速率、Ｇａ含量对矫顽力的影响，得到诀淬ＳｍＦｅＧａＣ的室温最大矫顽力ＨＣ＝１６ｋＯｅ。     

YTi（Fe_（1－x）Co_x）_（11）的化学法合成及其结构、磁性能

应用共沉淀－还原扩散法成功地合成了ＹＴｉ（Ｆｅ（１－ｘ）ＣＯｘ）（１１）系列稀土永磁合金（ｘ＝０．０，０．１５，０．２５，０．５），确定了其最佳合成条件，采用ＸＲＤ研究了其晶体结构及在Ｍ１５５型振动样品磁强计上测了其居里温度和磁化强度。得出：ＹＴｉ（Ｆｅ（１－ｘ）ＣＯｘ）（１１）系列合金均具有ＴｈＭｎ（１２）型结构，其晶胞参数随Ｃｏ掺入量增大而减小；居里温度点随Ｃｏ掺入量增大而升高；比饱和磁化强度在ｘ＝０．１５处达到最大。     

CH4与N2流量比对Ti（C,N）涂层性能的影响

采用物理化学气相沉积（ＰＣＶＤ）技术，在硬质合金上涂复Ｔｉ（ＣＮ１－ｘ）膜（０＜Ｘ＜１），测定了涂层厚度、显微硬度、粘结强度与反应气体中ＣＨ４／Ｎ２比值的关系。在本实验条件下，当ＣＨ４／Ｎ＝１：１时，涂层具有最佳综合性能和最大沉积速率。采用ｘ射线衍射（ＸＲＤ）、扫描电子显微镜（ＳＥＭ）及ｘ射线光电子谱（ＸＰＳ）技术，分析了涂层微观组织、表面形貌、化学成分及涂层／基体界面区微观形貌。在此基础上，就ＣＨ４／Ｎ２值、微观结构及性能间的关系进行了讨论。     

WC—8（Fe／Ni／Co）R硬质合金的研究

用Ｆｅ、Ｎｉ部分取代ＷＣ－８Ｃｏ合金（牌号ＹＧ８）中的粘结剂Ｃｏ,再添加微量稀土Ｒ制得ＷＣ－８（Ｆｅ／Ｎｉ／Ｃｏ）Ｒ硬质合金,测试了其物理机械性能,研究了粘结剂各种成份比例及烧结温度对硬质合金的影响。结果表明：ＷＣ－８（Ｆｅ／Ｎｉ／Ｃｏ）Ｒ硬质合金的性能可以达到ＹＧ８的性能标准。利用扫描电镜（ＳＥＭ）及Ｘ射线衍射（ＸＲＤ）对其作了显微结构分析,同时探讨了影响ＷＣ－８（Ｆｅ／Ｎｉ／Ｃｏ）Ｒ合金性能的     

Fe_（1－x）（Nd_2Fe_（14）B）_x快淬合金的磁性能

系统研究了低Ｎｄ低Ｂ的Ｆｅ１－ｘ－（Ｎｄ２Ｆｅ１４Ｂ）ｘ快淬合金的制备工艺和磁性能。通过优化热处理工艺和元素替换，控制α－Ｆｅ和Ｆｅ３Ｂ软磁相的析出和长大，获得较高的磁性能。该系列Ｎｄ３Ｆｅ８６Ｖ２Ｂ４合金具有最佳性能．Ｂｒ＝９．７ｋＧｓ，ＪＨＣ＝４．３ｋＯｅ，（ＢＨ）ｍａｘ＝１１．４ＭＧＯｅ。     

磁控溅射制备Mo薄膜的优化工艺和组织及性能研究

基于正交试验设计,采用射频磁控溅射技术在不同工艺条件下制备了一系列纯金属Mo薄膜。以薄膜的纳米硬度和结合强度为评价指标,考察分析了溅射靶功率、基片温度、氩气流量和真空度4个工艺参数对溅射Mo薄膜综合力学性能和组织结构的影响规律及机理。结果表明,所制备的多种Mo薄膜均为立方多晶结构,并在(110)和(220)晶面择优生长。薄膜由细小的"树枝"状颗粒随机堆叠而成,表面呈压应力状态。综合考虑薄膜的沉积质量和沉积效率,提出磁控溅射制备Mo薄膜的较佳工艺参数为Mo靶功率100 W,沉积温度120℃,氩气流量90 cm3/min,真空度0.2 Pa。采用优化工艺制备的Mo薄膜具有良好的结晶状态和均匀致密的组织结构,纳米硬度为7.269 GPa,结合强度高达33.8 N。     

磁控溅射沉积透明导电薄膜的结构及光电特性研究

采用射频磁控溅射工艺、以氧化锌铝陶瓷靶为靶材制备透明导电ZAO薄膜 ,系统研究了各工艺参数 ,如工作气压、温度、射频功率和退火条件对其结构和光电特性的影响。在纯氩气中且补底温度为 30 0℃时制备的ZAO薄膜经热处理后电阻率降至 8 7× 1 0 -4Ωcm ,可见光透过率在 85 %以上。X射线衍射谱扫描电镜照片表明ZAO晶粒具有六角纤锌矿结构且呈c轴择优取向 ,晶粒垂直于衬底方向柱状生长。     

Me—Me‘—X系三元化合物形成规律的人工神经网络

用ｒＭｅ，ｒＭｅ‘，ｒＸ，ｘＭｅ和ｘＭｅ’等原子参数作为人工神经网络的输入，２０３个可信的Ｍｅ－Ｍｅ‘－Ｘ体系的三元化合物的形成情况作为输出，研究了Ｍｅ－Ｍｅ’－Ｘ系三元化合物的形成规律，这里ｒ是离子半径，ｘ是电负性，Ｍｅ代表一价金属，Ｍｅ‘代表二价金属，Ｘ代表卤族元素。利用所得规律预报了Ｍ－Ｅｕ－Ｉ（Ｍ＝Ｌｉ，Ｎａ，Ｋ，Ｒｂ和Ｃｓ）系三元碘化物的形成情况，应用差热分析和粉末Ｘ射线法测定了它们的相     

离子束增强沉积制备CrNx薄膜

利用离子束增强沉积（ＩＢＥＤ）技术制备了ＣｒＮｘ薄膜。对不同能量氮离子轰击所制备的薄膜进行了Ｘ射线衍射、Ｘ射线光电子能谱分析、膜层断裂韧性以及摩擦学性能研究。试验结果表明，在相同试验条件下，氮离子轰击能量影响ＣｒＮｘ薄膜的相组成及取向，低能氮离子轰击所制薄膜具有较高的ＫＩＣ数值，且表现出更优异的摩擦学性能。     

氮化铀薄膜的制备及性能研究

开展了氮化铀薄膜射频制备及薄膜性能研究,通过优化氮化铀薄膜的制备工艺条件,成功在Si基片上制备了氮化铀薄膜,并利用扫描电镜、原子力显微镜、X射线电子衍射、俄歇电子能谱仪和X射线光电子能谱对氮化铀薄膜进行了表面形貌和结构组分分析。结果表明:利用射频磁控沉积法制备的氮化铀薄膜为比较平整和致密的U2N3和UNxOy的混合相组成,具有一定的抗氧化腐蚀性能。     

铬对Fe_3B/Nd_2Fe_(14)B磁体的晶化行为和磁性的影响

在Ｆｅ３Ｂ／Ｎｄ２Ｆｅ１４Ｂ纳米复合磁体中,以Ｃｒ取代部分Ｆｅ会提高合金中Ｎｄ２Ｆｅ１４Ｂ相的体积分数,导致矫顽力的提高．为阐明Ｃｒ对该类合金磁性的影响,研究了熔体快淬ＮｄｘＦｅ８２－ｘＢ１８和ＮｄｘＦｅ７９－ｘＣｒ３Ｂ１８（Ｘ＝３．５～５．５）合金晶化行为的差别。ＮｄｘＦｅ８２－ｘＢ１８和ＮｄｘＦｅ７９－ｘＣｒ３Ｂ１８熔体快淬带由铜单辊法制备,辊速为２０ｍ／ｓ,条带宽２ｍｍ、厚４０ｕｍ,样品经不同温度的等温退火。用Ｘ射线衍射仪鉴别条带的相组成,用振动样品磁强计测量磁性,用原子探针场离子显微镜研…     

溅射功率对射频磁控溅射Al掺杂ZnO（ZAO）薄膜性能的影响

用射频磁控溅射技术,在纯氩气氛中不同溅射功率（120 W~210 W）下于玻璃衬底上制备了Al掺杂ZnO（ZAO）薄膜。利用X射线衍射仪（XRD）、扫描电子显微镜（SEM）、光谱仪和四探针测试仪等对所制备的薄膜进行了晶体结构、光学和电学性能分析。结果表明,纯氩气氛中不同溅射功率下玻璃衬底上原位沉积的ZAO薄膜具有明显的c轴择优取向性,它没有改变ZnO的六角纤锌矿结构;ZAO薄膜的可见光区平均透光率不强烈依赖于溅射功率,为75%左右;原位沉积ZAO薄膜的电阻率达到102Ω.cm数量级范围,随溅射功率由120 W增大到210 W时,薄膜电阻率从132.67Ω.cm降低到21.08Ω.cm。     

离子束溅射制备立方C-N化合物

用氮离子束分别原位溅射Ｔｉ和石墨靶的方法制备了ＣＮｘ／ＴｉＮｙ多层膜。用Ｘ射线光电子谱分析ＣＮｘ层中Ｃ和Ｎ的键合状态,用透射电镜观察薄膜中的相形貌,用电子衍射和Ｘ射线衍射的方法分析相的结构。结果表明,ＣＮｘ层中主要有Ｎ－ｓｐ＾２Ｃ和Ｎ－ｓｐ＾３Ｃ两种键合状态,薄膜中观察到的Ｃ－Ｎ化合物尺寸为１０－６０ｎｍ的晶体颗粒,其衍射数据可用立方Ｃ３Ｎ４结构标定,证实了该薄膜中存在立方Ｃ３Ｎ４化合物。