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本文研究了一种新的、具有实际应用价值的硅片吸除技术.该技术包括利用PECVD法在腐蚀硅片背面沉积400~800nm厚的非晶硅膜,再经过650~680℃温度的热处理,使沉积膜与硅片结合更牢固,之后,把硅片进行抛光.结果表明,该技术能有效地消除硅抛光片表面的雾缺陷,同时硅片表面层少子寿命可提高2~4倍. 相似文献
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中子辐照对硅片表面氧化层错的抑制作用 总被引:1,自引:0,他引:1
对硅片表面氧化层错形成机理进行了探讨。并通过中子辐照在直拉硅中引入缺陷,利用辐照缺陷和硅中氧的相互作用,强烈抑制硅片表面氧化层错的产生。 相似文献
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利用快中子辐照在p型硅片中产生辐照缺陷,利用其作为热处理时硅中氧沉淀的成核中心,在硅片表面层形成洁净区和在体内形成吸杂区,能有效地抑制硅片表面氧化雾缺陷的形成。提出了较为实用的退火工艺和简单的解释。 相似文献
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通过氧本征内吸杂工艺前后硅片的实际器件制管试验,少子寿命测试及吸杂硅片的纵向解剖,制管性能大大改善,管芯平均制造合格率提高5% ̄15%,硅片表面少子寿命提高一个数量级以上,另外研究还表明,吸杂硅片经高温氧化,扩散等器件工艺后,硅片表面清洁区厚度及吸杂区内缺陷密度基本是稳定的。 相似文献
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给出了估计硅片在键合过程中实际接触面积的理论模型.模型描述了硅片表面的凸起分布及其弹性形变对接触面积的影响.对于满足键合条件的硅片表面,荷载压力和表面吸附是促使接触面积增加的主要因素. 相似文献
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通过氧本征内吸杂工艺前后硅片的实际器件制管试验、少子寿命测试及吸杂硅片的纵向解剖,制管性能大大改善,管芯平均制造合格率提高5%~15%,硅片表面少子寿命提高一个数量级以上。另外研究还表明,吸杂硅片经高温氧化、扩散等器件工艺后,硅片表面清洁区厚度及吸杂区内缺陷密度基本是稳定的。 相似文献
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超高真空CVD极低温低压硅外延与高分辨TEM分析研究 总被引:3,自引:1,他引:2
本研究利用一台新型的超高真空气相外延(CVD)设备,成功地在树底温度为550℃的(100)硅片上由硅烷热解法生长了外延层,实现了极低温低压外延新工艺.高分辨率的横断面透射电镜(XTEM)照片表明,低温硅外延层中缺陷明显有其特点,而绝大部分的缺陷都由衬底表面引起的,然后传播进入外延层.本文还对低温硅外延层中的缺陷特征及其形成机制与树底表面特性的关系进行了分析讨论 相似文献
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通过比较微量铜铁单独存在和共存时对p型硅片表面的污染,采用电化学直流极化和交流阻抗技术以及SEM、EDX和AES等现代表面分析技术,对未污染和受污染的硅片表面进行了初步的研究.结果表明,当氢氟酸溶液中同时含有ppb水平(1e-9)的铜铁杂质时,不但铜会沉积在硅片表面上发生铜污染,而且还导致硅片表面的碳污染,并从电化学极化电阻、元素深度分布和空间电荷效应等方面对硅片表面铜与碳污染进行了初步的分析和讨论. 相似文献
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硅片CMP工艺会引入表面缺陷和沾污,通常采用NaOH和KOH作为腐蚀溶液,利用微腐蚀法将硅片表面的损伤污染层剥离,以免导致IC制备过程中产生二次缺陷,但会不可避免地引入金属离子。制备了一种用螯合剂和表面活性剂复配的新型清洗液,利用螯合剂对硅片表面损伤层进行微腐蚀,同时采用表面活性剂去除硅片表面吸附的微粒。经台阶仪和原子力显微镜检测,该清洗液能有效去除硅片表面损伤层和颗粒,同时螯合剂本身不含金属离子,并且对金属离子有螯合作用,可有效避免传统腐蚀液中金属离子带来的二次污染。 相似文献
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结合硅片低温键合和中等剂量的氢离子注入,用智能剥离技术成功地制备了φ76mm的SOI材料,用原子力显微镜(AFM)测得表面粗糙度约为7nm,比普通的抛光硅片约大一个数量级。SOI上层硅膜存在表面缺陷,包括未转移区和气泡等,这是由剥离前硅片键合界面存在的空洞引起。通过改进低温键合工艺,提高键合质量,可得到基本无宏观表面缺陷的SOI材料。 相似文献