(Ba_(1-x)Pb_x)TiO_3半导体陶瓷的振动光谱研究

本文报道了PTC(Ba_(1-x)Pb_x)TiO_3陶瓷的红外光谱和喇曼光谱。对室温时的红外吸收峰和喇曼散射峰的归属进行了分析,讨论了Pb~(2+)的加入量对振动光谱的影响,以及在25～340℃范围内五种样品处于四方铁电相和立方顺电相时喇曼光谱与温度的关系。     

利用受激喇曼散射测量豆油中苯的含量

用受激喇曼散射实验对含微量苯的豆油液进行测量，得出受激喇曼散射光强度与豆油中苯的含量之间的关系     

光纤喇曼放大器的实验研究

为了满足密集波分复用技术发展的需要，提出了用40nm的分布喇曼放大器实现低噪声、宽带放大的方案，用光谱分析仪测量了单模光纤的自发喇曼散射谱，实验研究了喇曼放大器的增益、噪声指数和饱和状态下的功率转换效率特性，开关增益大于8．5dB，等效噪声指数小于-0．3dB．     

光纤中的受激喇曼散射与放大

本文阐述了受激喇曼放大的基本原理以及光纤传输中前向喇曼放大的分析计算方法,并着重介绍利用 Nd:YAG 激光器,在多模及单模光纤中进行的受激喇曼散射实验和喇曼放大实验.在这些实验中,得到了5级喇曼散射光谱,并实现了用光泵浦的方法放大弱光信号.利用受激喇曼散射研制光纤激光器以获得新频率的、可调谐的相干幅射,以及实现光纤中弱光信号的喇曼放大是很有前途的新方法.     

光纤中受激喇曼效应的应用技术研究

概述光纤受激喇曼散射原理,综述光纤喇曼散射主要应用,即光纤喇曼放大器、光纤喇曼激光器、光纤喇曼波长转换器和光纤喇曼传感器四种应用技术的研究现状,及其发展趋势。     

单模保偏光纤中受激喇曼散射

本文详细地研究了双折射光纤的受激喇曼散射.我们已经观测到9级斯托克斯受激喇曼谱.讨论并测试了阈值和喇曼频移与泵浦光偏振方向间的关系,测试了当泵浦光偏振方向与光纤椭圆核的长轴或短轴平行时的传输损耗.并根据测得的阈值在理论上计算了各级斯托克斯线的喇曼增益系数.     

氮的Q支CARS光谱的理论计算

作为一种新兴的测温方法 ,CARS光谱技术正日益受到重视 .对氮的Q支CARS光谱进行了理论计算 ,得到了不同温度下的光谱 ,并探讨了喇曼线宽对光谱的影响 .结果表明 ,在喇曼线宽较小时 ,光谱的分辨率很好且对温度敏感 ,利用这种技术测量爆温可达到很好的精度 .     

氢分子激发态的受激喇曼散射

本文简要地介绍了处理受激喇曼散射的群论方法,利用群论技术计算了氢分子激发态受激喇曼散射的跃迁矩阵元和散射微分截面,并对有关的实验结果进行了讨论.     

强激光在大气传输中瞬态受激喇曼散射效应的研究

本文用瞬态受激喇曼散射(SRS)理论,讨论了瞬态受激喇曼散射脉冲系列稳态响应和分子的储存效应。给出了在均匀介质和非均匀介质(实际大气)情况下的斯托克斯光强随脉冲间隔、传输距离和天顶角变化的函数关系。对于高重复率和脉宽较窄的强激光在大气传输中,由于分子的储存效应,受激喇曼散射较严重。     

纯CH_4中受激喇曼散射现象的观察

实验中用纯CH_4做介质,用红宝石激光做泵浦,观察其受激喇曼散射谱线规律性。拍摄了受激喇曼光谱图片和光环图片。并同时与H_2介质的受激喇曼散射现象作了分析比较。     

基于拉曼散射的传热测量和分析

拉曼散射不仅可以表征分子的微观形态和结构,同时与材料的宏观物理量（如温度和应力）有关。综述了拉曼散射随温度变化的机理,讨论了将拉曼光谱应用于温度测量的方法以及适用范围。介绍了利用拉曼散射进行传热测量与分析的应用：微尺度近场温度测量、纳米材料的热物性测量和传热分析以及在时间域内的温度测量等。     

分布式光纤温度传感器系统的基础研究

分布式光纤温度传感器是近年来发展迅速的一种新型传感器.本文对此系统的基础——OTDR 技术及光纤中的散射与温度的依赖关系进行了分析研究,认为基于后向(?)曼散射的分布式光纤温度传感器很有生命力.     

Low temperature Raman study of PrCoO_3 thin films on LaAlO_3(100) substrates grown by pulsed laser deposition

Thin films of PrCoO3 were deposited on LaAlO3 substrates by pulsed laser deposition technique.X-ray diffraction result indicates that films are single phase and c-axis textured.To investigate the spin state transition,Raman spectroscopy measurements were performed at different temperatures.The position of the Raman modes is found to increase while full width at half maximum(FWHM) of these modes is found to decrease with the decrease of temperature across spin state transition temperature(220 K) of PrCoO3.     

相干反斯托克斯光计算谱与X(3)

相干反斯托克斯光是四波混频过程，即是由三阶非线性极化率引起的三阶非线性光学过程。相干反斯托克斯光测温技术已取得了很大进展，具有很大的实用价值。由相干反斯托克斯光谱理论计算公式及χ^(3)的理论计算公式，通过改变χ^(3)中的各因子算出的计算谱，讨论了χ^(3)中各因子对相干反斯托克斯光谱的影响。并给出了激光线宽对相干反斯托克斯光谱的影响。     

单相BaCeO_3陶瓷的制备研究

采用冷压陶瓷技术在不同烧结温度下制备BaCeO3陶瓷.利用X射线衍射(XRD)和拉曼光谱(RS)研究烧结温度对CeO2在BaCeO3陶瓷形成中的固溶性及单相陶瓷形成的影响.研究表明:在1100～1450℃范围内,XRD和RS观测都证实了少量CeO2的残存.当烧结温度增加到1480℃并保持长时间烧结时,CeO2能够完全固溶,以CeO2位于33.07°的(200)XRD峰和460 cm-1处拉曼带的消失为标志,形成具有Pnma正交钙钛矿结构的单相BaCeO3陶瓷.Ba蒸发效应被讨论,Ba位不足由极少量的Ce3B a+-Ce3T i+形成来自补偿.     

Low temperature Raman study of PrCoO3 thin films on LaAlO3 （100） substrates grown by pulsed laser deposition

Thin films of PrCoO₃ were deposited on LaAlO₃ substrates by pulsed laser deposition technique. X-ray diffraction result indicates that films are single phase and c-axis textured. To investigate the spin state transition, Raman spectroscopy measurements were performed at different temperatures. The position of the Raman modes is found to increase while full width at half maximum (FWHM) of these modes is found to decrease with the decrease of temperature across spin state transition temperature (220 K) of PrCoO₃.     

依赖动量转移条件下的残留电子屏蔽效应

基于DS3C模型,在残留电子屏蔽理论框架下修改计算程序,同时在截面依赖动量转移几何条件下对He原子的三重微分散射截面进行理论计算,对DS3C模型和3种修正模型进行对比研究,考察了碰撞过程中入射炮弹与出射粒子之间的关联特征,探索了不同理论模型下残留电子屏蔽效应对截面的影响。研究结果表明：残留电子屏蔽效应降低了前散射区域三重微分散射截面的幅度,而对后散射区域的幅度影响相对较小。     

热处理对埋入SiO2介质中的微晶Ge特性的影响

采用射频共油射方法将微晶锗纳米颗粒埋入ＳｉＯ２介质中,然后在不同温度的氮气氛中进行热处理。用拉曼光谱、变温电导特性测试等实验分析手段进行特性研究。结果表明,埋入ＳｉＯ２介质中的微晶锗的平均胡热处理的条件变化而变化,复合薄膜的光致发光的强度电导率与微晶锗的平均尺寸有关。当微晶锗的平均尺寸约３ｎｍ时,复合薄膜的电导率最大,光致发光的强度在２．１７５ｅｖ和２．２４６ｅｖ峰位处得到加强。     

Laser-induced phase transformation in chalcogenide glasses investigated by micro-Raman spectrometer

A 488 nm continuous wave （CW） laser was employed in Raman spectrometer to both induce and characterize phase transformation in chalcogenide glasses. Laser-induced Raman inactive changes, structural evolution, and crystallization were observed at laser-irradiated region in GeS2-Sb2S3 glasses. The composition dependence of laser-induced phase transformation was discussed in terms of thermal stability and microstructural modification. It is strongly suggested from these results that fabrication of passive and active chalcogenide glass waveguides, such as refractive index change and nonlinear optical crystal line, is controllable by selecting appropriate glass composition, and convenient by using common CW lasers.     

方形混凝土桥墩裂缝成因分析及对策

针对实际工程中存在的方形混凝土桥墩易于开裂的问题,以一典型公路桥为背景,对其存在的裂缝形态进行了现场调查及统计分析,依据裂缝特征及环境条件,初步判定为温度效应引起的结构裂缝.进一步用数值仿真方法,对方型桥墩从混凝土浇筑开始到成型1年后的水化热效应、日温度变化效应、季节温度变化效应以及温度骤降进行了温度场、应力场的历时变化模拟,并具体就桥墩混凝土材料、施工养护及设计方案进行参数分析,对温度裂缝控制对策进行了探究.研究结果表明;混凝土水化热及温度骤降是引起方形桥墩竖向裂缝的主要原因;从设计角度,桥墩以圆截面为佳,其截面尺寸不宜超过1.9m2;从施工角度,水泥质量浓度控制在200～350kg/m3,并尽量选取矿渣325或矿渣275水泥,入模温度以5～15℃为宜,且立模养护时间以3d为适;对成型桥墩可选择传热系数不超过4.5W/(m2.K)的保温材料覆加于其表面.