亚微米光刻的线宽测量技术

很久以来，传统的光学显微技术一直是IC测量中的重要技术，但它正在被共焦扫描显微技术、相干探测显微技术和扫描电子显微技术等精度更高的技术所取代。本文重点对用于在线线宽测量的低压扫描电子显微镜进行了讨论。     

光刻技术在微细加工中的应用

介绍光刻技术中的曝光设备与技术,光刻工艺及工艺控制在集成电路微细加工中的应用。     

下一代光刻技术

介绍了下一代光刻技术的演变,重点描述了浸没式光刻技术、极端远紫外光刻技术、纳米压印光刻技术和无掩模光刻技术的基本原理、技术优势、技术难点以及研发,并展望了这几种光刻技术的前景。     

采用梯形棱镜波前分割的激光干涉光刻技术

光学光刻技术在微细加工和集成电路(IC)制造中一直是主流技术。随着IC集成度的提高,要求越来越高的光刻分辨力,但光学光刻的分辨极限受光刻物镜数值孔径(NA)和曝光波长(λ)的限制。激光干涉光刻技术具有高分辨、大视场、无畸变、长焦深等特点,其分辨极限为λ/4,在微细加工、大屏幕显示器、微电子和光电子器件、亚波长光栅、光子晶体和纳米图形制造等领域有广阔的应用前景。阐述了激光干涉光刻技术的基本原理。提出了一种采用梯形棱镜作为波前分割元件的激光干涉光刻方法。建立了相应的曝光系统,该系统可用于双光束、三光束、四光束和五光束等多光束和多曝光干涉光刻。给出了具有点尺寸约220nm的周期图形阵列的实验结果。     

应用光刻的加工技术

微机械的实现,很大程度上取决于微细加工技术、尤其是应用光刻的加工技术的发展.毋容置疑,除微细加工技术外,譬如象机械加工等也在向微细化方向发展,而以半导体微细加工技术为背景,最近利用光刻的结构体加工技术正在逐步实现前所未有的新型加工,本文就应用半导体加工技术所展开的微细结构体加工技术作以介绍.     

远紫外无显影光刻的催化剂及工艺探讨

我们研制成了一种新型催化剂,它是由普通小分子有机化合物(如甲基紫等)和CMPS树脂。一起溶解在一定的溶剂中配制而成。用此催化剂做了远紫外曝光的各种腐蚀特性的实验,获得了满意的结果。     

高速发展的光学光刻技术

光学光刻设备日益精进,相关技术不断革新,使光学曝光技术继续主宰九十年代的光刻设备市场。新颖的光学光刻设备仍将在进入本世纪末0.15微米1GDRAM极大规模时代扮演主要角色。本文将对光学微细技术不同发展阶段的主要技术进步和设备概况作以介绍,并对光学光刻设备的市场和今后的发展趋势作了分析。     

半导体微细加工中的光刻技术

本文介绍了光刻技术的新进展,分析比较了各种光刻技术的自身优势,展望了它们的前景,探讨了它们在动态随机存取存储器(DRAM)进入G位时代的地位和作用。     

亚半微米光刻技术的新动向

最近几年中提出了几种用于光学光刻的新方法,包括移相掩模技术、斜向照明、环形照明、FLEX和Super-FLEX等,这些方法提高了光学投影光刻的分辨率,并改善了一定特征尺寸下的焦深,期望它们可以将现有的i线步进机的用途扩展到制造最小特征尺寸为0.3μm的半导体器件。本文介绍了这些方法的基本原理、效果和应用状况,并讨论了实用中的关键问题。     

用5微米工艺设备加工1～2微米窄条的光刻技术

本文介绍了利用现有5μm工艺设备进行1～2μm窄条的光刻技术,着重对光刻SiO_2窄条和金属连线方面作了具体的介绍。对优化的“发射区两次错位光刻”和“多晶发射极自对准”工艺技术作了较详细的叙述。     

新世纪光刻技术及光刻设备的发展趋势

本文主要阐述了光刻技术的发展极限及193nm,157nm光学光刻技术和电子束投影光刻（SCALPEL）、X－射线光刻（XRL）离子投影光刻（IPL）等技术的发展趋势。并详细介绍了国际著名品牌的光刻机以及即将推出的新一代光刻机。对国内光刻设备的发展现状作了简要概述。     

纳米压印光刻技术--下一代批量生产的光刻技术

纳米压印光刻技术已被证实是纳米尺寸大面积结构复制的最有前途的下一代技术之一。这种速度快、成本低的方法成为生物化学、μ级流化学、μ-TAS和通信器件制造以及纳米尺寸范围内广泛应用的一种日渐重要的方法,如生物医学、纳米流体学、纳米光学应用、数据存储等领域。由于标准光刻系统的波长限制、巨大的开发工作量、以及高昂的工艺和设备成本,纳米压印光刻技术可能成为主流IC产业中一种真正富有竞争性方法。对细小到亚10nm范围内的极小复制结构,纳米压印技术没有物理极限。从几种纳米压印光刻技术中选择两种前景广阔的方法——热压印光刻(HEL)和紫外压印光刻(UV-NIL)技术给予介绍。两种技术对各种各样的材料以及全部作图的衬底大批量生产提供了快速印制。重点介绍了HEL和UV-NIL两种技术的结果。全片压印尺寸达200mm直径,图形分辨力高,拓展到纳米尺寸范围。     

亚微米光刻与刻蚀工作研究

采用三层胶光刻工艺以及ＳＦ６＋Ａｒ为反应气体的反应离子刻蚀工作，实现了小于０．５０μｍ的图形转移，并将此微细加工工艺应用于０．５０μｍＣＭＯＳ集成电路的制做。     

PMMA在LIGA技术中的应用

合成了用于LIGA微细加工技术的聚甲基丙烯酸甲酯抗蚀剂,采用同步辐射装置X射线深度曝光,可得到深宽比45－90,深度大于450微米,细线宽5－10微米的良好光刻图形。     

光刻技术与光刻机

一、简介 光刻技术(Lithgraphy)被广泛运用于当今半导体制程中.光刻技术可以用近紫外光(Near UltraViolet,NUV)、中紫外光(Mid UV,MUV)、深紫外光(Deep UV,DUV)、真空紫外光(Vacuum UV,VUV)、极短紫外光(Extreme UV,EUV)、X-光(X-Ray)等光源对光刻胶进行照射.相关波长范围如图1所示.