具有p-n结特性的La1-xCaxMnO3／SrNbxTi1-xO3巨磁阻多层膜的透射电镜研究

本文选择Nb掺杂的SrNbxTi1-xO3(SNTO)作为n型衬底材料，利用激光分子束外延(LMBE)生长La1-xCaxMnO3(LCMO)巨磁阻薄膜作为P型材料，人工合成了巨磁阻锰氧化物异质结。这种异质结不仅具有良好的p-n结特性，而且具备其他特殊的物理性质。一般认为LCMO巨磁阻薄膜材料中具有负的CMR     

自旋阀多层膜[NiFe／Cu／Co／Cu]n的GMR效应研究

巨磁电阻(GMR)硬盘磁头由于具有灵敏度高,稳定性好,巴克豪森噪音小等重大优点,使它在信息存储领域引起了一场新的革命。本文报道了一种自旋阀型多层膜[NiFe／Cu／Co／Cu]n的实验研究和理论分析。研究了工艺条件和多层膜结构对巨磁电阻效应的影响,通过对制备条件的优化选择,在常温下得到巨磁阻系数为8％,饱和场强260Oe的优质自旋阀多层膜材料。     

Au/Fe磁性多层膜在纳米颗粒转化过程中的电磁物性在线测量方法

通过对当前磁性颗粒膜巨磁阻效应的一般研究方法的讨论,分析了当前已存在方法的不足之处,提出了一种利用离子束混合技术在线制备纳米颗粒膜的实验方法,该方法的特点是能够在磁性多层膜转化为纳米颗粒膜的过程中在线测量磁阻和霍尔系数。本文详细介绍了该方法的实施过程,提供了相关的实验结果,证明了该种方法的可行性,并初步讨论了此种方法的应用前景。     

定量会聚束衍射方法研究巨磁阻材料（La1—x Cax）MnO3中的晶格畸变

在钙钛矿结构的材料中,相继发现了铜氧化物高温超导体和锰氧化物中巨磁阻材料,使对过渡金属氧化物的研究成为21世纪凝聚态物理学最重要的研究方向之一.在这种绝缘体-导体、超导体的转变中,电荷、轨道电子和自旋的涨落与有序化,及它们与晶体的交互作用起着关键的作用.这些钙钛矿结构的材料提供了天然的研究强电子关联系统物理本质的理想条件.同时,巨磁阻材料在磁记录、磁传感等工业生产上也具有非常良好的应用前景,有希望应用于发展新一代光发射器、高速场效应晶体管、耦合量子器件、超大型集成电路及高密度存储器件的制备.     

纳米Fe-In2O3颗粒膜的低温磁效应

采用射频溅射法制备了纳米Fe—In2O3颗粒膜，研究了颗粒膜在低温下的两种特殊磁效应——巨磁电阻效应和磁性弛豫效应。磁电阻测量结果表明，当Fe体积分数为35％时，颗粒膜样品的室温磁电阻变化率(△ρ/ρ0)为4．5％，而在温度T=2K时，∑ρ／ρ0达85％。根据颗粒膜低场磁化率-温度(x-T)关系证实，在一定温度下，颗粒膜中纳米Fe颗粒表现出磁性弛豫效应，当截止温度TB=50K时，颗粒膜的磁特性由超顺磁性转变为铁磁性；在截止温度以上，其饱和磁化强度与温度关系符合Bloch的T^3/2定律。     

HgMnTe磁性半导体研究概述

HgMnTe是一种典型的Mn基Ⅱ-Ⅵ族窄禁带磁性半导体材料,已成功应用在红外发光和光电探测领域.同时由于磁性元素Mn的引入,HgMnTe材料中存在两类重要的磁交换作用:d-d交换和sp-d交换,导致HgMnTe具有诸如自旋玻璃转变、(巨)负磁阻、磁场诱导绝缘体-金属相变、巨Faraday旋转效应、光致磁化效应和磁极化子...     

线性自旋阀磁头的材料性能及结构参数优化

优化材料性能参数和自旋阀巨磁阻磁头的结构参数是微磁器件实用化的关键.本文基于建立的物理计算模型,首先利用传输线方法和微磁学理论对铁磁自由层中信号场和磁化强度分布进行了计算,优化了材料性能参数;其次讨论了磁头结构尺寸和磁参数对信号场和饱和磁感应强度的影响;最后将自旋阀巨磁阻磁头传感单元作为有源磁电阻放入前端放大电路,对输出电压。二次谐波及线性区间进行模拟,发现在缝宽g1 g2≤0.7,线性偏电流10~50 mA范围内,自旋阀磁头相对记录介质有线性信号输出。     

Au/Fe磁性多层膜在离子束混合过程中的巨磁电阻效应在线研究

在离子束混合条件下,在线研究了Au/Fe磁性多层膜转变为纳米颗粒膜过程中的巨磁电阻效应,发现了不同磁场强度下的离子束混合对巨磁电阻效应影响的初步规律,测量了不同注入剂量和磁场强度下的巨磁电阻,并对结果进行了讨论。     

巨磁电阻传感器

利用材料的巨磁电阻 (GMR)效应 ,可制得新一类磁电阻传感器—— GMR传感器。与传统的磁阻传感器相比 ,GMR传感器具有灵敏度高、可靠性好、测量范围宽、抗恶劣环境、体积小等优点 ,有广泛的应用前景。本文就目前已商业化的几种 GMR传感器的工作原理作一评述     

巨磁阻效应器件

巨磁阻效应器件是德国西门子公司研制生产的一种新颖的磁敏传感器,与传统的金属薄膜磁阻相比,其在弱磁场下的灵敏度更高,有效检测距离高达25毫米;该磁阻传感器与检测磁场的大小无关,仅对磁场的方向非常敏感.因而特别适合于制作角度编码器、无接触电位器,也可用于GPS导航系统.     

自旋阀多层膜[NiFe／Cu／Co／Cu]n的GMR效应研究

巨磁电阻（ＧＭＲ）硬盘磁头由于具有灵敏度高,稳定性好,巴克豪森噪音小等重大优点,使它在信息存储领域引起了一场新的革命。本文报道了一种自旋阀型多层膜「ＮｉＦｅ／Ｃｕ／Ｃｏ／Ｃｕ」ｎ的实验研究和理论分析。研究了工艺条件和多层膜结构对巨磁电阻疚的影响,勇于通过对制备条件的优化选择,在常温下得到巨磁阻系数为８％,饱和场强２６０Ｏｅ的优质自旋阀多层膜材料。     

怎样选用元器件讲座(十六)——磁敏电阻

磁敏电阻是利用半导体的磁阻效应制造的,常用InSb(锑化铟)材料加工而成。半导体材料的磁阻效应包括物理磁阻效应和几何磁阻效应。其中物理磁阻效应又称为磁电阻率效应。在一个长方形半导体InSb片中,沿长度方向有电流通过时,若在垂直于电流片的宽度方向上施加一个磁场,半导体InSb片长度方向上就会发生电阻率增大的现象。这种现象就称为物理磁阻效应。几何磁阻     

FeCuNbCrSiB/Cu/FeCuNbCrSiB薄膜各层宽度对其巨磁阻抗效应的影响

采用射频磁控溅射方法，利用微细加工工艺制备了不同薄膜宽度的三明治结构FeCuNbCrSiB／Cu／FeCuNbCrSiB多层膜，在频率1～40MHz下研究了薄膜宽度对多层膜的纵向和横向巨磁阻抗效应的影响。结果表明，三明治结构多层膜的巨磁阻抗效应随薄膜宽度的变化具有显著的影响，当FeCuNbCrSiB层、Cu层宽度分别取1．6rflrn、O．8rflrn时，GMI％达到最大值一21．22645％。     

高技术磁性材料的最新进展

高技术材料的进展主要是由于物理，化学和工程学等不同学科在材料研究方面的配合。这些材料的最新实例是：高矫顽力材料，纳米结晶高磁导率材料，巨磁致伸缩材料和ΔＲ／Ｒ〉５０％的巨磁敏电阻材料。     

薄膜磁敏电阻元件KMZ1O

1 绪论 　　KMZ10系列薄膜磁阻元器是一种结构新颖的Ni-Fe合金薄膜磁敏电阻元件,同时也是一种高灵敏度的磁性传感器;它采用Barber结构的桥式电路,内含偏置磁场结构的Ni-Fe合金薄膜磁阻元件。因而具有灵敏度高、线性范围宽、工作频率特性稳定、温度性能优良、抗干扰能力强、体积小和结构简单等特点。可广泛应用于磁性编码器、磁阻齿轮传感器、磁阻接近开关、磁阻电流传感器及无接触电位器等器件。     

巨磁电阻材料及应用开发

GMR(giant magneto resistance,巨磁电阻)材料是指磁场微弱变化时,会导致某些物体电阻率突然改变的现象,具有极高的磁电阻效应。1988年,首次在纳米结构的Fe／Cr多层膜中发现它的磁电阻效应比铁磁性坡莫合金(磁电阻相对变化室温值约2—3％)大一个数量级．     

薄膜磁敏电阻元件KMZ10

１绪论ＫＭＺ１０系列薄膜磁阻元器是一种结构新颖的Ｎｉ-Ｆｅ合金薄膜磁敏电阻元件 ,同时也是一种高灵敏度的磁性传感器 ;它采用Ｂａｒｂｅｒ结构的桥式电路 ,内含偏置磁场结构的Ｎｉ-Ｆｅ合金薄膜磁阻元件。因而具有灵敏度高、线性范围宽、工作频率特性稳定、温度性能优良、抗干扰能力强、体积小和结构简单等特点。可广泛应用于磁性编码器、磁阻齿轮传感器、磁阻接近开关、磁阻电流传感器及无接触电位器等器件。２原理和结构铁磁性物质在磁化过程中的电阻值将沿磁化方向随外加磁场的增强而增大 ,并达到饱和的这种现象称为磁阻效应。按照磁…     

CoFeSiB/Cu/CoFeSiB多层膜的巨磁阻抗效应研究

利用射频磁控溅射技术及微细加工技术制备了三明治结构的CoFeSiB/Cu/CoFeSiB多层膜,在频率l～40MHz下研究了多层膜的纵向和横向巨磁阻抗效应,结果表明曲折状三明治结构多层膜的巨磁阻抗效应比单层膜有较大的提高。在交流电流频率5MHz,外加直流磁场100Oe下巨磁阻抗变化率达17.3%。     

巨磁电阻(GMR)传感器芯片技术背景简介

<正>1988年,法国巴黎大学Fert研究小组在纳米结构的磁性多层膜中,发现膜电阻随外加磁场发生巨大变化的现象,较传统的磁各向异性磁电阻(AMR)大一个数量级以上,称之为巨磁电阻(GMR)效应。其物理机制与传导电子自旋散射相关。     

纳米尺度自旋转移矩器件的制备工艺

提出一种改进的自旋转移矩器件的制备工艺:在电子束曝光形成纳米级图形之后,依次采用离子束刻蚀、带胶绝缘层淀积再正胶剥离的图形转移方法,成功制备了纳米柱状赝自旋阀结构磁性多层膜CoFe/Cu/CoFe/Ta,器件的横向尺寸为140nm×70nm。对该结构进行了电磁学性质的测试:在变化范围为-500～+500Oe(1A/m=4π×10-3 Oe)的外加磁场下,观测到巨磁阻效应;在零外加磁场下,施加垂直于膜平面的电流时,观测到电流诱导的磁化翻转效应,其临界电流密度为108 A/cm2量级。该方法具有工艺步骤少、易于实现的特点,在自旋转移矩器件等纳米级器件的制备中具有广泛的应用前景。