ZST微波陶瓷在贴片式介质滤波器上的应用研究

研究了ZST系微波陶瓷的组成对介电性能的影响。并介绍了用掺入玻璃的ZST系微波陶瓷材料制作贴片式介质滤波器的方法；分析了影响滤波器尺寸的主要因素。通过对制造的滤波器测试结果表明：其尺寸和电性能满足设计要求。     

微波介质陶瓷的研究进展

综述了微波介质陶瓷材料的特性和发展现状,给出了多数目前已经研究的微波陶瓷体系及其性能,阐述了其制备方法,提出了改善其性能的途径和微波介质陶瓷的预期进展.     

高性能陶瓷微波介质材料

微波介质陶瓷可使微波通信和其他微波设备小型化,是有良好发展前景的一种介电材料。目前已经研制出许多具有高介电常数、高品质因数、低介质损耗及小谐振频率温度系数的优质微波介质陶瓷。本文综述近年来微波介质陶瓷在制备工艺、改良介电性能及应用方面的最新进展,并指出了今后的研究方向。     

微波介质陶瓷及器件研究进展

现代移动通信、无线局域网、全球卫星定位系统等技术的革新，对以微波介质陶瓷为基础的微波电路器件提出了更高的要求，各种微型化、高频化、片式化、模块化的新型微波介质陶瓷器件及相关介质陶瓷得到迅速发展。综述了近几年在高介电常数、高频、低温烧结微波介质陶瓷方面的进展，对不同材料体系的离子取代、离子置换、低熔点烧结助剂对微波介质陶瓷结构、介电性能的影响进行了分析讨论。概述了介质谐振型、叠层型、功能模块型微波介质陶瓷器件的研究和生产情况，重点论述了与低温共烧技术相关的介质陶瓷、器件及模块的进展，探讨了材料特性、微波器件结构与微波特性之间的关系，并指出了今后微波介质陶瓷及器件的发展方向。     

微波介质陶瓷

微波介质陶瓷作为广泛应用于微波谐振器、滤波器、介质基板、移相器等现代移动通信设备的核心材料,大大促进了现代通信事业的飞速发展。本文综述了近几十年来微波介质陶瓷的研究现状,以及各类体系微波介质陶瓷发展的最新进展,同时对微波介质陶瓷的发展趋势进行了讨论。     

固有烧结温度低的微波介质陶瓷

微波介质陶瓷是现代通讯技术中的关键基础材料。在制备多层微波介质片时,为了使用Cu、Ni等低熔点电极,必须降低微波介质陶瓷的烧结温度。开发固有烧结温度低(<1060℃)同时具有良好性能的微波介质材料成为必然的选择。本文简要介绍了7类固有烧结温度低的微波介质陶瓷的烧结特性与微波介电性能,同时也指出了研究中存在的一些问题。     

低介电常数微波介质陶瓷的研究进展

介绍了四种典型的相对介电常数在10-15之间的低介微波介质陶瓷系列(Al2O3系、Mg4Nb2O9系、Mg5(Nb,Ta)4O15系、R2BacuO5系)的晶体结构和微波介电性能,并指出其目前存在的普遍问题和解决的方法.     

高介电常数微波介质陶瓷

近年来，微波介质陶瓷作为现代通信技术中关键的核心材料，广泛应用于微波谐振器、滤波器、介质基板、移相器等微波元器件，极大的促进了现化通信事业的飞速发展。本文综述了高介电常数微波介质陶瓷近几十年来的研究进展，并对高介电常数微波介质陶瓷的发展趋势进行了讨论和展望。     

CaTiO_3-LaAlO_3微波介质陶瓷的研究进展

从发展历程、晶体结构、制备及反应过程、介电性能等方面介绍了具有中等介电常数的CaTiO3-LaAlO3微波介质陶瓷的研究进展,讨论了目前该体系微波介质陶瓷存在的问题,并指出了以后的发展方向。     

(Zr0.8Sn0.2)TiO4(ZST)微波介质陶瓷微波烧成工艺研究

分别采用传统的电热烧结和微波烧结制备了ZST微波介质陶瓷,研究了烧结温度对介质陶瓷烧结性能、微观结构、相组成和微波介电性能的影响。结果表明:与传统电热烧结相比,在所得材料密度近似的情况下,微波烧结能降低烧结温度约70℃、缩短烧结时间2.5h,所获材料密度分布的标准差大大减小;微波烧结后材料由(Zr0.8Sn0.2)TiO4斜方晶单一晶相组成,随温度升高,无新相产生;微波烧结所得材料的晶粒尺寸均匀、结构致密;材料的介电常数和品质因数随着微波烧结温度的提高而增大,对应数值分别比传统烧结方式提高17.5%和14.3%左右。     

高介电常数微波介质陶瓷及其低温烧结的研究进展

高介电常数微波介质材料是实现现代微波通信器件要求的微型化、集成化发展趋势的重要材料,针对多层结构设计的器件要求,需要微波介质陶瓷能与高电导率电极实现低温共烧。本文综述了近年来高介电常数微波介质陶瓷及其低温烧结研究的最新进展,指出进一步提高陶瓷的介电常数和研究新型低温烧结助剂是今后发展的趋势。     

980MHz四级式介质滤波器的研究

研究了用高介电常数介质谐振器设计滤波器的方法和制造工艺，分析了影响谐振器持入衰耗的主要因素。在陶瓷基片上形成电容耦合，制造了四级式低损介质谐振器滤波器。滤波器测量结果表明，能满足设计要求。     

1015MHz同轴介质谐振器滤波器的研究

研究了介质谐振器滤波器的设计方法和制造工艺,分析了影响谐振器插入衰耗的主要因素。在陶瓷基征睛形成电容耦合,制造了五级式高阻带、低损耗介质谐振器滤波器。滤波器测量结果表明,能满足设计要求。     

微波介质陶瓷的界面特性及其对介电性能的影响

详细地总结了界面的偏析、扩散和润湿性对微波介电性能的影响机理。并评述了粉末的初始状态、烧结工艺、添加剂(掺杂)和烧结方法等因素对材料界面特性的影响，进而影响到材料介电性能的研究进展。最后指出了在微波介质陶瓷界面研究领域面临的问题及今后的发展方向。     

微波介质陶瓷的研究进展

微波介质陶瓷是现代通信技术中谐振器、滤波器、振荡器等重要元件的基础材料,它的研究越来越受到人们的重视。介绍了低介电常数、中介电常数、高介电常数三类微波介质陶瓷的研究现状,存在的问题及未来的发展趋势。     

微波介质陶瓷及其低温烧结研究进展

微波介质陶瓷是现代通讯技术中的关键基础材料，它的应用日益受到人们的重视。本文简要介绍了四类微波介质陶瓷的研究现状．着重评述了微波介质陶瓷在低温烧结方面的最新研究进展。     

Ti-B位置换改性硅酸镁陶瓷的微观结构与微波介电性能

研究了Ti-B位置换改性Mg2SiO4陶瓷微结构和微波介电性能.结果表明;在合成Mg2SiO4陶瓷过程中,Mg2SiO3总是作为第二相出现,Ti的引入能够有效地抑制Mg2SiO3的出现;但是,Ti不是进入Si-O四面体取代置换Si形成Mg2(Si1-xTix)O4固溶体,而是Mg与反应形成Mg2TiO4、Mg2Ti2O5等第二相.随着x值增加,Mg2(Si1-xTix)O4陶瓷的相对介电常数(εr)从6.8增加到8.1,机械品质因数与频率乘积(Q×f)也获得显著改善,但谐振频率温度系数(τf)不会因Ti引入而得到优化.在x=0.1时,Mg2(Si0.9Ti0.1)O4陶瓷获得最优的微波介电性能:εr=7.4,Q×f=73760GHz,τf=-6×10-6/℃.     

低温烧结Li1.05Nb0.55Ti0.55O3微波介质陶瓷及其器件

研究了V2O5存在状态对Li1.05Nb0 55Ti0 55O3微波陶瓷料浆特性、介电性能的影响及其烧结机理.用低温共烧技术制备片式多层高通陶瓷滤波器.结果表明配料预烧后引入质量分数为2%的V2O5,通过热处理可改变Li1.05Nb0.55Ti0.55O3陶瓷中V2O5的存在状态.LiVO3相的生成克服了单体V2O5与TiO2键合引起颗粒间的团聚而导致料浆粘度异常增大,改善料浆的特性,其降低烧结温度的效果、微波介电性能均优于预烧前和预烧后引入V2O5未热处理制备的试样.低温烧结Li1.05Nb0.55Ti0.55O3陶瓷与Ag电极能较好匹配,制备出体积为4.5 mm×3.2 mm×2.0 mm,通带为1.65～2.15 GHz,通带内损耗最大值为1.567 dB,阻带为42.7 dB(1.45 GHz),驻波比＜2.0的片式多层高通滤波器.该滤波器适用于表面贴装技术,可用于移动通信、无线局域网及卫星定位系统.