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相似文献
 共查询到20条相似文献,搜索用时 31 毫秒
1.
可控硅又名晶闸管,它使半导体器件从弱电领域进入强电领域,在整流、逆变、调压、开关等方面得到广泛应用。根据其导通和关断的方式不同,晶闸管分为单向晶闸管、双向晶闸管和可关断晶闸管GTO。现向大家介绍一种简易可控硅检测装置,可用来检测各种可控硅的触发导通性能和关断性能。  相似文献   

2.
四、阳极控制技术以上重点讨论了GTO门极控制技术,显然它和普通可控硅的门极控制技术很不相同。至于阳极控制,GTO与普通可控硅也有很大不同,因此使用GTO时要注意这些原则。现将GTO阳极控制技术分述如下: (一)过流保护及di/dt的限制(1)过流保护GTO有一个重要参数,叫最大可关断电流I_(ATO)。这就是说I_(ATO)。是用门极负讯号关断阳极电流的极限值。若超过这个极限值,就不要企图再用门极负讯号去关断。若用门极讯号去关断,不但关不断而且很容  相似文献   

3.
《工矿自动化》2016,(12):50-55
针对传统矿用异步电动机软启动方式存在电动机启动电流大、启动转矩小、无法实现重载或满载启动的缺点,在原有的分级离散变频原理基础上,对调压电路、保护电路等进行了改进,提出了一种改进的矿用异步电动机分级离散变频软启动方式。主调压电路采用门极可关断晶闸管GTO代替传统的可控硅晶闸管来调节电源频率,并用理想型开关组代替三相断路器来控制其关断,从而防止过电压或过电流对电路造成损害,达到保护电路的目的。Matlab仿真结果表明,改进的分级离散变频软启动方式不仅能降低启动电流,增大启动转矩,还能有效保护电路。  相似文献   

4.
《工矿自动化》2017,(3):81-85
高压大电流放电技术普遍采用晶闸管串联作为电路放电的主开关,放电时如果晶闸管的导通过程较慢,则会导致芯片内部产生大量焦耳热,使晶闸管损坏;同时晶闸管在串联模式下,导通时间不一致也会导致导通较慢的晶闸管受到高电压而被击穿。针对该种复杂苛刻的工况,提出了一种可以用于高压大电流脉冲放电的晶闸管间接强触发电路,该电路利用间接光触发方式,在触发回路中,串联的晶闸管触发信号由同一个控制信号通过光纤进行控制,经过光电转换后产生强触发脉冲电流,使晶闸管同步快速可靠导通。实验结果表明,该电路可实现串联晶闸管可靠触发,晶闸管触发脉宽时间可调,放电电压为9kV,放电电流高达32kA,满足脉冲放电电源模块的应用要求。  相似文献   

5.
本文论述了用红外法观测硅晶闸管瞬态导通扩展的观测原理,介绍了用光电传感器探测晶闸管扩展速度的几种方法,讨论了近红外视象管内的红外电视法观测晶闸管瞬态导通系统及其工作原理,并对晶闸管的扩展速度进行了观测,实现了利用光电传感器对电力半导体器件的无损检测。  相似文献   

6.
<正> 半导体光电器件近来发展迅速,其中光控晶闸管由于触发讯号与主回路绝缘、抗干扰能力强、可直接应用于高压电路等优点,越来越引起人们重视。我们合作研制成正反向耐压400~600V,导通电流0.8~1A,白炽灯下最小触发光强为150Lx的光控晶闸管。 光控晶闸管的应用极其广泛,由于其输出电流可很大,应用时不需要附加放大等电路。  相似文献   

7.
问:我使用的是广东科技出版社的《电子控制技术》教材。在教材P68—70页"晶闸管工作特性试验"中,在晶闸管控制极上加几十毫安的小电流可以控制阳极数十、数百安大电流的导通,它与晶体管用较小的基极电流控制较大的集电极电流有何不同点?晶闸管能否和晶体管一样构成放大器?  相似文献   

8.
本设计利用控制晶闸管(GTO)导通时间从而实现对电动机转速的控制。装置具有报警功能及电动机的短路保护、过载保护,使其使用更为安全。使用LED数字显示当前转速及设定的速度,使操作更为直观。通过按钮可以控制其停止/运行、手动/自动、加速/减速,并且在加速/减速设计上,通过操作将步长分为1和20,使操作更为简单。  相似文献   

9.
研究了磁阀式可控电抗器的控制系统及其工作原理。提出了磁阀式可控电抗器晶闸管导通角的控制策略,利用线路检测电路、同步信号电路的拓扑结构,并利用单片机构建了微机控制系统。该控制系统采用闭环控制方式,通过其反馈部分来控制晶闸管导通角的大小以调节可控电抗器的容量。故控制系统使得磁阀式可控电抗器能够随着输电线路传输功率的变化而自动平滑地调节自身的容量,充分对输电线路进行无功补偿,为可控电抗器的工业应用提供了一定的理论依据。  相似文献   

10.
近年脉冲功率技术发展迅速,功率半导体脉冲晶闸管因其特有的大功率优势得到了越来越广泛的应用。在脉冲功率领域的超高速半导体开关器件要求超高开通速度、高通流能力、寿命长等特点。常规的功率半导体开关受开通速度限制,在某结场合无法做到综合参数满足要求。本文介绍一种超高速脉冲晶闸管,电压可达到5000V,di/dt可达到20KA/以上,脉冲峰值电流可达到150KA以上。该器件采用多元胞集成,采用缓冲层与透明阳极相结合,使其在导通压降和开通扩展等方面相对于传统快开通晶闸管具有更强的优势。可广泛应用于环保处理、电磁弹射等脉冲功率领域。  相似文献   

11.
本文介绍的温度自动控制器,是通过温度负反馈控制晶闸管的触发角,来控制电炉负载上的电压大小,从而控制被加热物质的温度。触发电路采用了极其简单的“幅值触发力电路。该控制器已用于常德电池厂锡温自动控制,温度能准确地控制在所需值上(310℃),且具有电路简单,安装调试容易,成本低等特点。现将其工作原理简述如下: 晶闸管幅值触发原理如图1(a)所示,从变压器B付边取出与电源同相的较低的交流电压ug,加在晶闸管Kp的门极与阴极之间。当电源为正半波时,ug上升到门极最小触发电压U_G=3.5伏,Kp导通,触发角为α_1,如图1(b);若减少ug,则达  相似文献   

12.
分析干燥箱晶闸管模块不导通的原因,并进行修理以应急使用.  相似文献   

13.
单向可控硅一般资料中,只说明在平滑直流电路中,触发极加一个正向触发脉冲后,电路即行导通,触发脉冲消失,仍能维持导通,电路断开或将控制极接地即可截止。但是有一项功能在一般资料中很少提及,那就是:直流可控硅电流被正脉冲触发导通后,此时控制极为正电位并有电流流出,只有把控制极接地才可以关断。该文即根据这种功能设计的:可控硅导通时控制极向C2充电,过零时C2电荷向控制极回流维持连续导通。我认为电路设计是合理的,它的关断机  相似文献   

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简要介绍了在控制电机的软起动系统中,单片机8008HSI/O在电源相序检测及控制晶闸管志通角的触发脉冲中的应用。  相似文献   

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本文提出了一种新的三相调压电路的实现方法。该方法以改变晶闸管导通角的方式来控制电器的功率,基于单片机/CPLD实现。其方法独特,灵活度高、集成度高、复杂度低、易实现,因此在工业控制中具有广阔的应用前景。文中叙述了三相调压电路的工作原理和具体程序及硬件设计,并利用ModelSimSE软件进行波形仿真并分析了结果。  相似文献   

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固态继电器是一种控制信号电源与驱动负载电源隔离的驱动器器件。一般的固态继电器常用晶闸管(可控硅)作功率开关驱动负载,笔者采用低电压功率MOSFET作功率开关设计了低电压直流固态继电器。它电路简单,适合自行制作。用晶闸管作开关与用功率MOSFET作开关最大的差别是,晶闸管导通时的管压降0.7~1V,而低电压功率MOSFET作开关,由于其导通电阻  相似文献   

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本文介绍了用8031控制可控硅的接口电路,控制可控硅的导通角的程序设计,采用过零触发时可控硅的程序设计,以及实用中的一些问题。晶闸管作为重要的控制器件,广泛应用于工业设备中,由于它无机械动作、无噪声,可直接控制强电运行,尤其是在采用过零触发时,使系统运行更平稳安全、无冲击。我们知道晶闸管的导通需要正向阳极电压和正向控制电压,控制电压可以是交流、直流或脉冲,其中脉冲信号控制时间短,控制损坏小,同时便于实现移相控制,便于输出调节,因此在实践实际中普遍采用。在以  相似文献   

18.
可控硅是一种可控功率快速开关元件。实际应用表明,作为开关元件不仅要求有良好的静态特性,如阻断电压高,漏电流小,导通时压降小,电流容量大,过载能力强等;还要求元件有良好的开关特性,如导通时间t_(on)和关断时间t_(off)(一般t_(on)相似文献   

19.
<正> 前言电力半导体器件分硅整流管、硅晶闸管、硅功率品体管三大类。其中硅晶闸管又分为逆阻、逆导、快速、双向、可关断、光控、场控和温控等型式。但由于逆阻硅晶闸管发明最早、发展最快、使用最广、所以一般文献、资料都将逆阻硅晶闸管通称为硅晶闸管,而其它硅晶闸管则用全名。本文也采用这种命名方法。自1955年及1957年美国开始分别生产硅整流管、硅晶闸管以来,由于这些器件具有体积小、重量轻、效率高、寿命长、维护简单等优点,所以发展极快。另外,根据不同应用领域的要求,相继派生出诸  相似文献   

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本文介绍了以TI公司的DSP芯片TMS320LF2407A为核心控制元件,Altera公司的MAXII系列CPLD芯片EPM1270作为外围逻辑电路扩展,以晶闸管改变导通角调压的控制方式,利用PI控制算法实现的全数字高性能软起动系统。作者在深入分析软起动器控制方法和启动模式的基础上,介绍了该软启动器的设计和调试工作,具体为: 1.控制部分电路硬件设计; 2.DSP控制器的程序设计; 3.实现了以启动电流和电压为主要控制指标的四种软起动模式和两种软停机模式。  相似文献   

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