一种新型MCM基板——阳极氧化多层基板

采用电化学方法,对基板上的Ａｌ膜进行选择性阳极氧化,从而制得导带、通孔和介质,重复上述工序,便可制得多层布线基板。与常用多层布线基板,如ＭＣＭ－Ｃ、ＭＣＭ－Ｄ比较,它具有制作工艺简单独特、互连密度高,线径、间距和孔径更小,平面性好,绝缘电阻高等优点。     

依靠科技架长虹——阳极氧化多层布线基板工艺研究走红

在微电子领域中,以布线密度高、互连线短、体积小、重量轻及性能优良等特点为人们所关注的MCM组件,仍是21世纪电子技术发展的重点之一。而多层布线基板又是MCM的一个非常关键的组成部分。随着这些年不断地开发和研制,有机叠层基板、共烧陶瓷多层基板、淀积薄膜多层基板已发展得较成熟,混合多层基板和新出现的阳极氧化多层基板还在研制过程中。     

依靠科技架长虹——阳极氧化多层布线基板工艺研究走红

在微电子领域中,以布线密度高、互连线短、体积小、重量轻及性能优良等特点为人们所关注的MCM组件,仍是21世纪电子技术发展的重点之一。而多层布线基板又是MCM的一个非常关键的组成部分。随着这些年不断地开发和研制,有机叠层基板、共烧陶瓷多层基板、淀积薄膜多层基板已发展得较成熟,混合多层基板和新出现的阳极氧化多层基板还在研制过程中。     

三维MCM-C／A组件技术研究

本文研究了采用LTCC多层布线与铝阳极氧化多层布线工艺相结合的方法制作出三维高密度MCM组件（3D—MCM—C／A）。阐述了3D—MCM—C／A组件的结构,研究分析了LTCC基板与铝阳极氧化工艺之间的兼容性问题。通过LTCC工艺和LTCC基板抛光清洗工艺的控制以及过渡Ta层的设计解决了两者之间的兼容问题;采用LTCC隔板的方式实现组件的垂直互连。在LTCC基板表面采用薄膜淀积的方法以及特殊的“双刻蚀法”制作焊接区,满足了表面器件及垂直互连的焊接,实现了四层2D—MCM—C／A垂直互连。。     

铝阳极氧化多层布线基板在混合集成电路中的应用研究

铝阳极氧化多层布线基板是一种新型的MCM用多层布线基板，具有优良的性能。本文介绍了这种基板的特点和制作工艺原理及制作方法，并重点介绍了它在实用化电路研制过程中的设计、关键工艺技术及电路的研制情况。     

阳极氧化铝薄膜多层布线基板技术

本文介绍了一种制作多层布线基析的新技术－－选择性阳极氧化技术，用这种新技术，把非导体型区域的铝膜转变成隔离导带和通柱的绝缘氧化铝膜。在绝缘基板或者铝基光板上，形成多层布线结构。分析和阐述了这种多层布线基板的平面化结构特性、高导热特性、材料电特性及独特的封装形式，这种多层布线基板的平面化特性，使导体互连具有高密度和高可靠性优点，以铝基板为载体作为封装的一部分，充分体现了这种封装具有良好的电特性和热特     

铝膜穿透性阳极氧化技术

铝膜穿透性阳极氧化是实现阳极氧化铝薄膜多层布线基板制作的关键技术。研究了电流密度、电解质溶液温度和铝膜厚度对氧化时间的影响。绝缘电阻测定及扫描电子显微镜分析的结果证实了采用穿透性阳极氧化技术制作导带 ,导带间不存在残余铝薄膜。     

一种新型的功率电路基板

军用电子产品中有大量高功率产品，其体积也要求越来越小，这势必带来越来越突出的电路散热问题，采用高导热电路基板是解决功率电路热耗散的一个重要手段。本文介绍了一种采用阳极氧化工艺制作的具有优良特性的铝基板——铝基阳极氧化基板，它区别于铝基敷铜板，具有导热性好、耐压高（≥1000V）、绝缘强度好（≥10^12n）、可加工成任意尺寸和形状等特点。该种基板最大的特点是可以在上面制作铝薄膜单层或多层布线电路，由于布线用导体、基板以及绝缘层是同一本体材料，所以可以有效避免铝基敷铜板高温工作下易出现的导体与基板发生脱落的现象，有利于电路可靠性的提高。     

一种LTCC基板上薄膜多层布线技术

LTCC基板上薄膜多层布线工艺是MCM—C／D多芯片组件的关键技术,它可以充分利用LTCC布线层数多、可实现无源元件埋置于基板内层、薄膜细线条精确等优点,从而使芯片等元器件能够在基板上更加有效地实现高密度的组装互连。本文介绍了在LTCC基板上薄膜多层布线工艺技术,通过对导带形成技术、通孔柱形成技术和聚酰亚胺介质膜技术的研究,解决了在LTCC基板上薄膜多层布线的工艺难题。     

埋置型薄膜多层布线技术研究

埋置型薄膜多层布线基板与其它多层布线基板相比有更高的集成度。本文讨论了埋置型薄膜多层布线基板制造工艺中的技术问题及解决措施。并成功地在埋置双层混合电路中进行了应用。     

混合多层布线用AIN共烧多层基板技术研究

大功率混合多层基板（AIN混合多层布线基板）是采用在AIN共烧多层陶瓷基板上制作薄膜多层布线而形成的。其优良的散热性，高的信号传输速度，以及良好的高频特性，完全能够在微波功率器件和高速数字电路中使用。然而AIN混合多层布线基板的应用，离不开高性能的AIN共烧多层基板。本文仅对AIN共烧多层基板制作过程中需要解决的几个关键技术方面进行了研究，取得了一定的成果。     

实用化28层陶瓷基板的设计与制作

针对MCM技术发展的现状提出了采用新型技术设计制作超多层陶瓷基板的设计方法和工艺路线,介绍了多层布线软件的二次开发及制备过程中的互连孔冲制、复合孔化、高精度层压等技术,并对25～45层的超多层陶瓷基板的研究结果进行了总结和应用前景展望。     

多层集成结构

在器件单元的第1层上生长1层或更多层,可以提高集成电路的密度。 这种用Si作衬底的多层集成电路结构,可按下列步骤制得: (A)制得第1层集成电路结构(图1)后,用低温淀积法在其表面覆盖一层2000—3000A的氧化层或氮化层2。此层作绝缘用。 (B)用低温化学汽相淀积法或真空电子束蒸发法,在氧化层/氮化层上淀积1—2μm厚的无定形硅(a—Si)或多晶硅(Poly—Si)层3。     

实用化28层陶瓷基板的设计与制作

针对 MCM技术发展的现状提出了采用新型技术设计制作超多层陶瓷基板的设计方法和工艺路线。介绍了多层布线软件的二次开发及制备过程中的互连孔冲制、复合孔化、高精度层压等技术 ,并对 2 5～ 45层的超多层陶瓷基板的研究结果进行了总结和应用前景展望。     

LTCC基板上薄膜多层布线工艺技术

LTCC基板上薄膜多层布线工艺是MCM-C/D多芯片组件的关键技术。它可以充分利用LTCC布线层数多、可实现无源元件埋置于基板内层、薄膜细线条等优点,从而使芯片等元器件能够在基板上更加有效地实现高密度的组装互连。文章介绍了LTCC基板上薄膜多层布线工艺技术,通过对导带形成技术、通孔柱形成技术和聚酰亚胺介质膜技术的研究,解决了在LTCC基板上薄膜多层布线中介质膜"龟裂",通孔接触电阻大、断路,对导带的保护以及电镀前的基片处理等工艺难题。     

陶瓷多层布线基板的高密度封装

系统的高密度封装或在功能块化方面的进展,都使高性能的小型多层电路基板成为迫切需要的了。作为半导体器件直接装配的多层电路基板,由其性能特点陶瓷多层布线基板引起重视。关于陶瓷多层布线基板的制造方法,特长以及应用方法阐述如下:     

铝阳极氧化基板制备过程对埋置型Ta-N薄膜电阻的影响

在铝阳极氧化多层基板内用RF反应溅射制备了埋置型Ta-N薄膜电阻,研究了铝阳极氧化过程对Ta-N薄膜电阻和显微结构的影响.实验结果表明:Ta-N薄膜受上层多孔氧化铝膜影响在表层形成了由Ta2O5和Ta-O-N组成的氧化物凸起绝缘层,氧化物凸起层厚度与氧化电压有关.底层Ta-N薄膜电阻率和电阻温度系数基本保持不变,表层氧化凸起使电阻稳定性增加.     

阳极氧化工艺研制的多路转换器

本文介绍了多路转换器的工作原理，电路框图及采用的新工艺-阳极氧化多层基板技术。通过介绍该电路的研制过程中解决的问题，阐述了阳极氧化工艺的特点及采用此种工艺研制电路应注意的事项。     

MCM-C多层基板技术及其发展应用(续二)

3三种MCM-C多层基板技术的对比 　　厚膜多层技术与共烧陶瓷技术的主要区别在于:厚膜多层布线需要一个基片作为支撑点,以及厚膜多层布线需要逐层依次制造.每一布线层需要印刷6次,其中包括独立印烧介质层3次(有时4次)、填充通孔2次及印刷导体1次. 　　……     

铝阳极氧化基板制备过程对埋置型Ta-N薄膜电阻的影响

在铝阳极氧化多层基板内用RF反应溅射制备了埋置型Ta-N薄膜电阻,研究了铝阳极氧化过程对Ta-N薄膜电阻和显微结构的影响.实验结果表明:Ta-N薄膜受上层多孔氧化铝膜影响在表层形成了由Ta2O5和Ta-O-N组成的氧化物凸起绝缘层,氧化物凸起层厚度与氧化电压有关.底层Ta-N薄膜电阻率和电阻温度系数基本保持不变,表层氧化凸起使电阻稳定性增加.