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1 引 言 光电子技术在网络、存储器等方面的应用与多媒体信息社会的发展息息相关 ,对信息社会的发展始终起着至关重要的作用。在世界范围内的信息基础设施配置中 ,人们对以光纤通信为代表的光电子技术寄予厚望。瞬间传送处理图像等大规模信息技术愈益重要 ,在并行传递空间信息的超并行光传输系统、连接多台计算机或LSI芯片的并行光互连及光并行信息处理系统中 ,新兴的并行光电子技术起主导作用。要实现充分利用光的并行性的系统 ,大规模地进行二维集成化的并行光器件十分重要。为适应这种需求 ,人们开始探索一种新型结构的半导体激… 相似文献
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在实验基础上分析了光泵浦垂直外腔面发射半导体激光器(0PS-VECSEL)的热管理,建立了一维静态热传导方程,并结合数学工具Matlab解热传导方程,得出热沉的热导率及DBR热导率变化对器件温度的影响.实验中采用的热沉为铜热沉,用光致发光谱测量方法估算器件的温度升高.理论计算与实验结果都表明,采用铜做热沉时器件的温度升高.因此应采用热传导系数大的材料来取代铜作热沉材料,以提高器件的性能.同时表明这种简单的计算模型能为器件的设计提供有用的理论分析与指导. 相似文献
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SUN Yan-fang LI Te NING Yong-qiang QIN Li YAN Chang-ling SHAN Xiao-nan LU Guo-guang HE Chun-feng WANG Chao LIU Yun TAO Ge-tao LIU Jun WANG Li-jun 《光机电信息》2005,(4):17-23
The development and application of vertical-cavity surface-emitting lasers (VCSELs) are summarized in this paper. The emphasis is focused on the high power single and 2-D arrays bottom-emitting VCSELs with a wavelength of 980nm. A distinguished device performance is achieved. The maximum continuous-wave (CW) output power of large aperture single devices with active diameters up to 500μm is as high as 1.95W at room temperature, which is to our knowledge the highest value reported for a single device. Size dependence of the output power, the threshold current and the differential resistance are discussed. A 16 elements array with 200μm aperture size (250μm center spacing) of individual elements shows a CW output power of 1.32W at room temperature. 相似文献
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氮化镓(GaN)垂直腔面发射激光器(VCSEL)在近20年来获得了飞速发展,已成为下一代半导体激光器的研究热点。GaN是制造从紫外波段到绿色波段光电子器件的绝佳材料,而VCSEL具有阈值和发散角小、调制速率高,以及输出光束呈圆对称等特点。首先回顾了基于GaN的VCSEL的发展历史,简要介绍了它的主要应用方向;然后讨论了反射镜与谐振腔设计与制造中的关键问题;接着分析了三种不同结构的GaN VCSEL的散热机理,并分析讨论了优化散热的策略;最后介绍了基于GaN的蓝色、绿色和紫外VCSEL的研究进展及最新思路。 相似文献
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根据垂直腔面发射激光器(VCSEL)的工作特性,设计了一种新型的易于实验室普及使用的VCSEL特性测试系统,并对VCSEL进行测试,得到了相关测试曲线。该系统使用方便,成本适中,有重要的实际应用价值。 相似文献
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垂直腔面发射激光器的动态特性分析 总被引:4,自引:1,他引:4
本文给出了动态的垂直腔面发射速率方程,并由此推出了瞬态下的衰减因子和张弛振荡频率和计算公式,以及小信号调制下的光子、载流子的响应函数表达式。计算结果表明,在瞬态下衰减因子随β的增加明显变大,它使张弛振荡过程变短;在小信号调制下,多量子阱的周期增益结构比一般的垂直腔面发射结构有更大的调制带宽。 相似文献
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针对980nm激光波长设计了InGaAs/GaAsP材料多周期增益量子阱结构。垒层采用带隙更宽的GaAsP材料代替常规GaAs,改善了效率随温度升高而降低的问题,同时又能满足长寿命激光工作的需要。周期增益量子阱结构提高了有源区的单程增益,降低了阈值,提高了输出功率。制作出新结构的集成单元数为4×4,单元直径30μm的阵列器件,工作电流为5.88A时连续激光功率达到2W;窄脉冲宽度1μs,重复频率100Hz,工作电流60A时输出功率达到30W,且均未达到饱和状态。此阵列器件在工作电流为1~4A时发散角半宽均小于16°。利用加速老化方法对阵列器件的寿命进行了测试,推算出30℃的寿命可达5280h以上,并分析了影响大功率垂直腔面发射激光器(VCSEL)可靠性的主要因素。 相似文献
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介绍垂直腔面发射激光器(VCSEL)的结构、特点、性能、应用以及最新进展,并对当前要解决的关键问题进行了论述。 相似文献
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在电信业颇具吸引力的市场前景推动下,1300nm垂直腔面发射激光器(VCSEL)已经加入 了进军市场的行列,并且每月都有技术开发公告。在过去的几年里,由Gore公司推出的光泵浦设计使1310nm VCSEL成为引人注目的中心。2001年4月,Infineon技术公司宣布已经研制出GaAs基的1300nm VCSEL,它以10Gbit/s的光纤传输数据率工作,最大输出功率1mW,室温下阈值电流2mA,激光作用温度达80℃。 相似文献
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高斜效率高功率850nm氧化限制型垂直腔面发射激光器 总被引:2,自引:2,他引:2
报道了MOCVD生长的高性能850nm氧化限制型垂直腔面发射激光器.研制出的氧化直径为9μm的激光器25℃时的斜效率和阈值电流分别为0.82mW/mA和2.59mA,激光器在23mA时输出16mW最大光功率.氧化直径为5μm的激光器25℃时的最小阈值电流为570μA,其最大饱和光功率为5.5mW. 相似文献
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多量子阱垂直腔面发射半导体激光器的速率方程分析 总被引:8,自引:0,他引:8
依据多量子阱垂直腔面发射半导体激光器(VCSELS)的结构特点,并考虑到腔量子电动力学中自发辐射增强效应,建立了多量子阱VCSELS的速率方程,并给出了其方程的严格解析解,在此基础之上,讨论了VCSELS的稳态特性,并与普通开腔和三维封闭腔中的结果进行了比较,给出了V 相似文献