Cu-Co合金的微结构与磁性的关系

利用场离子显微镜－原子探针（ＦＩＭ－ＡＰ）以及分析电镜（ＴＥＭ）研究甩带Ｃｕ８８Ｃｏ１２颗粒合金的微结构。ＦＩＭ的研究结果表明，原始状态下甩带Ｃｕ８８Ｃｏ１２合金中观察不到Ｃｏ的析出，可以看到明显的环结构，这说明甩带样品已很好地晶化。用ＡＰ进行纳米范...     

自旋阀多层膜[NiFe／Cu／Co／Cu]n的GMR效应研究

巨磁电阻（ＧＭＲ）硬盘磁头由于具有灵敏度高,稳定性好,巴克豪森噪音小等重大优点,使它在信息存储领域引起了一场新的革命。本文报道了一种自旋阀型多层膜「ＮｉＦｅ／Ｃｕ／Ｃｏ／Ｃｕ」ｎ的实验研究和理论分析。研究了工艺条件和多层膜结构对巨磁电阻疚的影响,勇于通过对制备条件的优化选择,在常温下得到巨磁阻系数为８％,饱和场强２６０Ｏｅ的优质自旋阀多层膜材料。     

巨磁电阻传感器在磁场线性测量领域中的应用

对巨磁电阻传感器进行了研究,介绍了巨磁电阻传感器的结构和屏蔽作用,选取电流检测作为巨磁电阻传感器在线性磁场测量的代表,通过对巨磁电阻传感器测试和电流检测的测试,分析了巨磁电阻传感器在磁场线性测量方面的性能优越性,给出了巨磁电阻传感器在磁场线性测量方面的一些注意事项。     

Ni过渡层对Co/Cu/Co三明治膜微结构及巨磁电阻性能的影响

本文利用原子力显微镜对具有不同厚度Ｎｉ过层的Ｃｏ５．０ｎｍ／Ｃｕ３．５ｎｍ／Ｃｏ５．０ｎｍ三明治在各个制备阶段样品的表面形貌进行了系统的研究,并结合Ｘ射线衍射的结果,发现Ｎｉ过渡层可以使Ｃｏ／Ｃｕ／Ｃｏ三明治的界面平整,并形成强的（１１１）织构,从而导至瓣巨磁电阻值增大和矫顽力减少。电阻率的分析是表明过厚的Ｎｉ过渡层由于分流效应的存在会削弱材料的巨磁电阻值。     

巨磁电阻薄膜及巨磁电阻随机存储器

介绍了一种基于巨磁电阻效应的全新的磁电子学器件──巨磁电阻随机存储器。     

添加剂对Fe—Cu系陶瓷材料负阻特性的影响

文章介绍了以Ｆｅ２Ｏ３和Ｃｕ２Ｏ为主成分的陶瓷材料的负阻特性，分析论述了Ｃｏ２Ｏ３、Ｂｉ２Ｏ３以及ＭｎＯ２掺杂对Ｆｅ－Ｃｕ系陶瓷材料负阻性能的影响，实验制得负阻系数ｎ＞１０，电压Ｖｐ＞２００的负阻性能良好的陶瓷材料。     

巨磁电阻传感器

熔体快淬巨磁电阻材料具有高的输出特性、良好的温度特性、小的体积和高的重复性。由其制作的巨磁电阻传感器具有广泛的用途。     

基于GMR及TMR效应的磁随机存储器的最新应用开发

介绍了巨磁电阻（GMR）及隧道磁电阻（TMR）效应,讨论了计算机磁随机存储器（MRAM）的最新应用开发。     

电子器件用高热导率,定膨胀合金

叙述了国内外作为接合材料和热沉材料的Ｗ－Ｃｕ和Ｍｏ－Ｃｕ等合金的生产、开发和应用情况，指出目前大功率电子器件散热特性的关键所在，最后对一些应用技术问题进行了讨论。     

钨基重合金的重复烧结改善其冲击性能

钨基合金的一种热处理方法，既能改善其中冲击韧性，又保其抗拉强度和延伸率。这种方法包括钨基合金的保温，这种合金成份为８６－９９％Ｗ，掺杂至少１％的Ｎｉ、Ｆｅ、Ｃｕ、Ｃｏ和Ｍｏ的组合成份，温度范围为９５９－１３５０℃，保温时间为１分钟至２４小时，在水域油中淬火，重复保温和热处理步骤。     

Fe_(81)Zr_7Nb_2B_(10)和Fe_(78)Co_(2.5)Zr_7Nb_2B_(10)Cu_(0.5)合金的热性能、微观结构及磁性能研究

采用单辊快淬法制备了Fe81Zr7Nb2B10和Fe78Co2.5Zr7Nb2B10Cu0.5非晶合金,在不同温度下对两种合金进行了热处理。利用差热分析仪(DTA)、X射线衍射仪(XRD)和振动样品磁强计(VSM)等仪器对两种合金的热性能、微观结构和磁性能进行了测试分析。结果表明在Fe78Co2.5Zr7Nb2B10Cu0.5合金的晶化过程中存在预结晶效应,而在Fe81Zr7Nb2B10合金的晶化过程中没有。Fe81Zr7Nb2B10和Fe78Co2.5Zr7Nb2B10Cu0.5合金经803 K退火后,分别有α-Fe和α-Fe(Co)相从非晶基体中析出。随退火温度的升高,两种合金的比饱和磁化强度(Ms)变化趋势相似,但矫顽力(Hc)变化趋势明显不同。     

激光喷丸对Ti-6Al-4V钛合金中高温性能影响研究

为了研究激光喷丸对中高温条件下Ti-6Al-4V钛合金残余应力、微观硬度及金相组织演变的影响,采用高功率、短脉冲Nd:YAG激光器对Ti-6Al-4V钛合金表面进行了激光冲击,并将冲击后的试样分别置于400℃,500℃,550℃和600℃的温度下进行了1h的保温处理。利用X射线衍射仪对强化区域的残余应力进行了检测,通过扫描电镜及透射电镜对微观组织进行表征,探究了强化效果与晶粒尺寸、位错运动间的联系。结果表明,激光喷丸处理在试样表层诱导产生较大幅值残余压应力,显微硬度提高;经550℃热处理1h后,残余应力影响层深约为100μm;经400℃、600℃热处理1h后,试样表层微观硬度分别下降了8.3HV和20.1HV;热处理后,晶粒尺寸总体呈现增大趋势。激光喷丸处理可以有效提高Ti-6Al-4V钛合金中高温力学性能。     

Thermomigration of tellurium precipitates in CdZnTe crystals grown by vertical bridgman method

Te precipitates in CdZnTe have been characterized by x-ray diffraction at room and higher temperatures. From the x-ray results at room temperature, it has been confirmed that Te precipitates in CdZnTe have the same structural phase as observed in elemental Te under high pressure. The x-ray results at higher temperature indicate that Te precipitates melt around 440°C. CdZnTe samples containing Te precipitates have been annealed at temperatures below and above 440°C with thermal gradient of ∼70°C/cm. Results of the observation with infrared microscope before and after the annealings indicate distinct occurrence of thermomigration of Te precipitates in samples annealed at temperature above 440°C compared with ones annealed at temperature below 440°C. Thermomigration velocity obtained from these results is ∼50 μm/h. The average value for the effective diffusion coefficient of the metallic atoms in Te precipitates calculated by using the thermomigration velocity is ∼3 x 10⁻⁵ cm²/s.     

Al-Mg-Si-Cu合金中晶界和晶内析出相粗化规律的研究

采用显微硬度测试仪、扫描电镜和透射电镜观察及能谱分析,研究了Al-0.5Mg-1.0Si-0.8Cu(wt.%)合金的晶界析出规律和晶内析出相的粗化机制。结果表明:180℃时效处理的Al-0.5Mg-1.0Si-0.8Cu(wt.%)合金晶界处存在富Si相和Q相两类不连续分布的析出相,它们的尺寸分别约为1 mm和几十纳米;时效0.5 h时晶界处有少量富Si相,时效5 h时晶界富Si相明显增多,时效36 h时富Si相开始粗化且间距变大,再进一步时效其形貌和分布变化不大;晶界Q相与相邻晶粒铝基体的界面取向关系是:[510]Al//[1120]Q;时效36 h晶内开始出现粗化析出相,且随时效继续进行合金晶内析出大量粗化相,存在明显的晶界无析出带现象。晶内粗化析出相主要含有Si元素,呈片状、球状和棒状3种形貌。其中,棒状Si析出相是沿〈001〉Al方向生长的,且〈112〉Si//〈001〉Al,{111}Si//{010}Al。     

Impact of thermal cycling on the evolution of grain, precipitate and dislocation structure in Al, 0.5% Cu, 1% Si thin films

Thermal cycles have been performed both outside and inside a transmission electron microscope (TEM) in order to analyze the evolution of the microstructure of Al, 0.5% Cu, 1% Si thin films deposited onto oxidized Si substrates. It is shown that grain growth and dislocation activity start almost simultaneously and cooperate throughout the plastic regime of the stress–temperature curve to generate bamboo-type grains with low dislocation density. Si precipitates serve as anchoring points for dislocations and grain boundaries. Thermal cycling and diffusion cause the growth of these precipitates and a diminution of their number. Diffusion also proves to play an important role regarding plastic relaxation at the Al/SiO_x interface and at the grain boundaries where an intense hillock and whisker formation has been observed in scanning electron microscope (SEM). The stress–temperature evolution is discussed in light of these observations.     

退火温度对Fe_(40)Co_(40)Zr_7Nb_2AlB_9Cu合金的结构、热行为及磁性能的影响

采用单辊快淬法制备了Fe40Co40Zr7Nb2AlB9Cu非晶合金薄带,在不同温度下对其进行等温退火处理。研究了退火温度对合金的结构、热行为和磁性能的影响。结果表明:Fe40Co40Zr7Nb2AlB9Cu非晶合金的DTA曲线存在2个晶化放热峰,晶化激活能分别为267.3 kJ/mol和188.3 kJ/mol。其晶化过程为:非晶→非晶+α-FeCo→α-FeCo+Co2Zr+ZrCo3B2+Fe(Co)3Zr。α-FeCo相的晶化体积分数和晶粒尺寸随退火温度的升高而逐渐增大。低于873 K退火时,矫顽力变化不明显;873 K退火时,矫顽力达到最小值0.27 kA/m;高于873 K退火时,矫顽力逐渐增大。     

铜(钛)和铜(铬)自形成阻挡层性能表征

采用直流磁控溅射法分别将Cu (Ti)和Cu (Cr)合金层沉积在SiO2/Si衬底上,随后将制得的样品在真空(2×10-3 Pa)中退火1h,退火温度为300 ～ 700℃.对Cu (Ti)及Cu (Cr)自形成阻挡层进行对比研究,通过X射线衍射(XRD)、X射线光电子能谱(XPS)和透射电子显微镜(TEM)观察并表征样品的微观结构.通过半导体分析仪测试样品的电学性能,并分析了其热稳定性.结果表明,在Cu膜中分别加入少量的Ti或Cr可使Cu沿〈111〉晶向择优取向生长.两种样品交界面处的Cu及Si元素含量迅速下降,表明在交界面处自形成阻挡层,抑制了Cu与Si元素之间的扩散.Cu (Ti) /SiO2/Si和Cu (Cr) /SiO2/Si样品漏电流测试结果表明,Cr自形成的阻挡层具有更好的热稳定性.     

时效处理快速凝固Mg-5 wt.％Sn合金微观结构的电子显微分析

用显微维氏硬度仪、X射线衍射仪（ XRD）、扫描电子显微镜（ SEM）和透射电子显微镜（ TEM）研究分析了快速凝固Mg?5 wt?％Sn合金条带的时效硬化规律。实验结果表明,快速凝固Mg?5 wt?％Sn合金在593 K温度下时效3 h后达到峰值硬度。时效后峰值硬度下的快速凝固Mg?5 wt?％Sn合金中有β?Mg2 Sn相颗粒析出,大多数的析出相β?Mg2 Sn颗粒分布在晶界,少部分析出相β?Mg2 Sn颗粒分布在晶粒内部。在593 K温度下时效3 h后的合金中观察到析出相β?Mg2Sn 颗粒与基体α?Mg 的一种新取向关系：（202261）β／／（0110）α,（7236）β／／（0001）α,[512]β／／[2110]α。     

Co-Cu亚稳态块状合金的磁阻效应

利用高能球磨和冲击压缩制备了CoxCu100-x(x=10～30)亚稳态块状合金,并研究了其退火后的磁阻(magnetoresistance,MR)效应.在室温,1 000 kA/m磁场强度下的MR测试结果显示,当退火温度低于450℃时,Co30Cu70合金显示出较大的磁阻比(MR比),然而当退火温度高于450℃时,C...     

Characterization of the microstructure of Co thin film on silicon substrate by TEM

The microstructure of as-deposited Co thin films on silicon (001) substrate was characterized by TEM using wedge-shaped planar-view samples. Selected area electron diffraction showed that the as deposited Co thin films were composed of Co (α) and that no interfacial reaction took place between Co thin films and the Si substrate. The microstructure of Co thin films annealed at 250°C for 30 min was also investigated by using conventional planar-view samples. The analysis of selected area electron diffraction indicates that Co thin films react entirely with the Si substrate, and a silicide layer forms at the Co/Si interface. Dark field images clearly indicate that the interfacial layer consists of Co₂Si in irregular stripes and CoSi as fine particles but no CoSi₂ forms.