空气和氮气气氛中热处理温度对ITO薄膜性能影响

以InCl_3·4H_2O和SnCl_4·5H_2O为主要原料,采用溶胶-凝胶法和旋转涂膜工艺。在玻璃基片上制备掺锡氧化铟透明导电薄膜(ITO),采用x-射线粉末衍射、紫外-可见透射光谱和四探针技术,研究了在空气和氮气气氛中,不同热处理温度对ITO薄膜的微结构、光学和电学性能的影响。     

锑掺杂量对ATO薄膜结构及光、电性能的影响

以四氯化锡和三氯化锑为主要原料,采用溶胶-凝胶法制备了不同锑掺杂量的纳米锑掺杂二氧化锡（ATO）薄膜。分别利用XRD、FESEM、紫外可见分光光度计和四探针电阻仪对晶体结构、薄膜形貌、光透过率和薄膜方块电阻进行表征,考察锑掺杂量对ATO薄膜晶体结构、晶粒尺寸、光透过率和导电性能的影响。结果表明：所制备的ATO薄膜为（110）面择优取向的四方相锡石结构,晶粒尺寸小于26 nm,当锑掺杂量为10%（物质的量分数）时,ATO薄膜具有最小的方块电阻（60.1 Ω/□）,可见光透过率大于85%。     

ITO膜的制备及性能研究

采用直流磁控溅射技术,在玻璃上沉积了30 nm～700 nm厚的系列透明导电ITO(In_2O_3∶Sn)薄膜。研究膜厚对透光率、方阻和屏效的影响。可见光的平均透光率在79%～87%,方阻在1.4Ω/～44Ω/之间变化,在低频的时候,屏蔽效能和膜厚没有多大的关系,在高频阶段屏蔽效能随膜厚的增加而增大。     

沉积温度对AZO薄膜性能的影响

在采用直流磁控溅射制备AZO(Aluminum Doped Zinc Oxide,掺铝氧化锌)薄膜的过程中,AZO薄膜的光电性能取决于镀膜过程中的各种工艺参数,包括溅射气压、沉积温度、溅射功率和靶基距等。本文主要研究在固定其它工艺参数不变的情况下,通过改变沉积温度在不同的温度下分别制备AZO薄膜,利用SEM、X射线衍射仪等测试不同AZO薄膜的微观结构,并分析研究不同沉积温度下制备AZO薄膜光电性能及结构的变化特性,以筛选出制备高质量AZO膜的最佳沉积温度。     

掺锡量对溶胶-凝胶法制备ITO薄膜性能的影响

本文以InCl3.4H2O和SnCl4.5H2O为前驱物,利用溶胶-凝胶法在玻璃载片上旋转涂膜制备掺锡氧化铟透明导电薄膜(ITO薄膜)。采用了紫外-可见光分光光度计、四探针测试仪、X-射线衍射仪和扫描电镜等对ITO薄膜的透射率、方块电阻、物相组分和结构形貌进行测量与表征。研究了掺锡浓度对ITO薄膜的光电特性的影响。实验结果显示:ITO薄膜的光电特性与掺锡浓度有关,在掺杂溶度为12wt%时,制备出的ITO薄膜最低方块电阻为124Ω/□,最高透射率为92.85%。     

氮氩流量比与基底温度对射频溅射TiN薄膜性能的影响

采用射频磁控溅射技术,以纯钛为靶材,氮气为反应气体,通过改变氮氩流量比与基底温度在304不锈钢及玻璃表面制备了不同的TiN薄膜.利用能谱仪、扫描电镜、台阶仪、四探针仪、划痕仪和纳米压痕仪对制备的所制薄膜的氮钛原子比、表面形貌、沉积速率、方块电阻、膜基结合力和纳米硬度进行表征.结果表明:随着氮氩流量比的增大,TiN的形貌先由四面锥体凸起结构逐渐过渡至柱状晶体堆积结构,然后转变为稀疏的液滴状颗粒结构,直至平整光滑,致密均匀.在氮气和氩气的流量分别为5.0 mL/min和50.0 mL/min的条件下,基底温度25～400°C范围内制备的TiN薄膜的结合力介于135.4 mN与210.2 mN之间.当基底温度为300℃时,薄膜的沉积速率最大,颜色最接近金黄色,氮钛原子比最接近1,结合力和纳米硬度也都最大.     

CVD-ZnS中与锌有关的晶体缺陷及其对光学性能的影响

采用化学气相沉积（ＣＶＤ）法制备了红外晶体ＺｎＳ块材料。用氩气作为载体，反应气体为硫化氢和锌蒸气。ＸＰＳ，ＩＲ及能谱分析表明：当沉积温度低于锌蒸发温度时，生成的ＺｎＳ中与锌有关的晶体缺陷有Ｚｎ—Ｈ功能团及存在于花瓣状形态中心的锌微粒夹杂；当沉积温度高于锌蒸发温度时，锌微粒夹杂消失，且随沉积温度的升高Ｚｎ—Ｈ含量减少，Ｚｎ—Ｈ对红外光在６．２μｍ波长处的吸收峰减弱，使生成的ＺｎＳ具有高的红外透过率。     

栲胶超滤时溶质的沉积现象及其性质

本文研究了栲胶超滤时溶质的沉积现象及其性质。沉积速度与原料液浓度有关,但原料液浓度对平衡沉积量影响较小。平衡沉积量主要受到水力学性质、溶液的ｐＨ值、膜材料及盐含量的影响。分析了不同溶液状况下沉积层的比阻,发现栲胶超滤时沉积层阻力是透过率衰减的原因。     

沉积温度和时间对多孔SiC薄膜的光致发光性能的影响

为了增强碳化硅(SiC)的光致发光性能,设计了三层结构的多孔SiC薄膜,衬底是单晶硅,中间层是双通阳极氧化铝(AAO)模板,顶层是SiC薄膜.采用磁控溅射工艺在AAO模板上沉积SiC薄膜,沉积温度为100～500℃,溅射时间为1～30 min.研究了沉积温度和沉积时间对SiC的光致发光性能的影响.结果表明:SiC薄膜为...     

电流密度对无刻蚀低温镀铁性能的影响

采用无刻蚀低温镀铁技术,研究电流密度对铁镀层主要性能的影响。运用电子扫描电镜、显微硬度计等测试方法对其进行性能检测。结果表明：其他条件相同,随电流密度增大,镀层沉积速率和显微硬度增大,最大值分别为209.17μm/h和5 554 MPa;腐蚀速率下降,最小值达到0.108 g/m2.h。镀层结合力良好。