溶液浸润模板法制备图案化ABS纳米管阵列

采用紫外光刻技术首先制备了图案化的阳极氧化铝(AAO)模板,以此作为二次模板,以不同浓度的ABS溶液浸润模板,成功地制备了不同结构的ABS纳米管阵列。用扫描电镜(SEM)对其微观形貌进行表征,结果显示,所获得的ABS纳米管阵列排列规整,高度有序,与掩膜的图案完全一致。并且讨论了溶液浓度对纳米管壁厚的影响。     

图案化金属铜纳米线阵列的制备与表征

采用紫外线光刻技术与电化学沉积相结合的方法,成功制备了不同图案的铜纳米线阵列:一种是圆形图案;另一种是QDU图案.首先利用紫外线光刻技术在多孔阳极氧化铝模板(AAO)生成预设图案,以此作为"二次模板";再利用电化学方法将铜纳米线沉积到"二次模板"的开孔中.扫描电镜(SEM)测试结果表明,大面积、高规整的铜纳米线图案阵列各自独立地立在基底上, 同时,用电子能谱(EDS)分析了铜纳米线的化学成分.透射电镜(TEM)也探测到了铜纳米线的微结构.     

模板浸润法制备聚合物纳米管阵列

以孔径为200nm的多孔氧化铝膜（AAO）为模板、常规分子量的通用聚合物为原料,采用聚合物溶液或熔体浸润模板纳米孔的物理技术,进行了多种聚合物纳米管的制备研究。结果表明：聚苯乙烯、尼龙66、聚丙烯、ABS、热塑性聚氨酯等多种聚合物纳米管及其纳米管阵列成功制得。运用扫描电子显微镜（SEM）和透射电子显微镜（TEM）观察了纳米管的微观形貌和阵列结构。并探讨了聚合物性质、纳米管制备工艺与纳米管结构的关系,初步探索了多孔模板法制备聚合物纳米管的机理。     

模板浸润法制备可生物降解聚合物纳米管和纳米线

以孔径为200nm的阳极氧化铝（AAO）为模板，用简单的物理方法制备了生物可降解聚合物聚己内酯（PCL）的纳米管、线及其阵列结构。SEM和TEM测试结果表明：熔融法在120℃和140℃都能制得整齐的纳米管阵列结构，管径均匀，约300nm。在溶液法中，5％浓度的溶液制得了杂乱的纳米管，而10％浓度的溶液制得的是纳米线阵列，直径在200nm左右。     

图案化ZnO纳米线阵列制备与应用的研究进展

综述了多种图案化制备ZnO纳米线阵列的技术,包括电子束光刻技术、纳米球蚀刻技术、激光干涉光刻技术、纳米压印技术和嵌段共聚物蚀刻技术等。介绍了图案化ZnO纳米线阵列在传感器、太阳能电池和UV检测器等功能器件中的应用进展,分析了图案化ZnO纳米线阵列制备与应用中的优点、意义及存在的问题,并展望了其未来发展趋势。     

溶胶凝胶模板法制备钴铁氧体纳米线、纳米管

利用溶胶凝胶模板方法,通过控制不同的退火工艺成功制备出平均直径约40 nm的CoFe2O4纳米线和纳米管,振动样品磁强计(VSM)测试结果表明样品的矫顽力随退火速度的增加而降低.     

恒流法制备图案化的阳极氧化铝模板

采用紫外线光刻技术在铝片上生成预设图案,用恒流二次氧化法在图案化的铝片上生长AAO,以此模板制备了PS和Cu纳米线阵列.采用扫描电子显微镜(SEM)分析.结果表明,制备的图案是直径5μm的圆形组成,圆形图案中·心之间距离是10μm,每个圆中生长了均匀的AAO,孔径大约为60～80nm.     

聚苯乙烯一维纳米阵列的图案化

采用紫外线光刻技术在阳极氧化铝模板(AAO)上生成预设图案,用物理浸润的方法在图案化的模板上生长聚苯乙烯,最后用NaOH和磷铬酸溶液分别溶解模板.采用扫描电子显微镜(SEM)和电子能谱(EDS)分析.结果表明,制备的图案是直径5μm的圆形组成,圆形图案中心之间距离是10μm,每个圆中长满一维纳米阵列,其纳米特性没有变化.     

用AAO模板法制备硅纳米管

先用二步阳极氧化法制备纳米孔平均孔径约为100 nm的Al/Al_2O_3(AAO)模板,再以AAO为模板用溶胶-凝胶法合成管径约为60-80 nm的硅纳米管,并用扫描电镜和透射电镜观察了硅纳米管的形貌。结果表明,AAO模板的孔径分别随着二步阳极氧化法中电解温度、氧化电压、硫酸和草酸混酸浓度的增大而增大,硅纳米管的形成与硅烷溶胶的嵌入方法、凝胶形成时间和温度有较大的关系。     

模板法制备DyCoxZnyOz纳米管阵列及磁性研究

采用减压抽滤法在多孔阳极氧化铝模板（AAM）纳米孔道中构筑DyCo_xZn_yO_z纳米管阵列,采用扫描电镜（SEM）和透射电镜（TEM）观察DyCo_xZn_yO_z纳米管阵列和单根纳米管形貌,用选区电子衍射（SAED）、X-射线衍射（XRD）及能量色散谱（EDS）表征纳米管的结构和元素组成,结果表明,DyCoxZnyOz纳米管为非晶态结构,纳米管元素组成的原子百分比Dy：Co：Zn：O为4.86：1.67：1.70：91.77,质量百分比Dy：Co：Zn：O为32：4.42：4.07：59.51。以振动样品磁强计（VSM）研究了DyCo_xZn_yO_z纳米管阵列磁性能,实验结果表明,DyCo_xZn_yO_z纳米管阵列易磁化方向为垂直于纳米管阵列方向,磁各向异性源于形状各向异性,DyCo_xZn_yO_z纳米管阵列具备软磁体特征。