溶胶-胶水热合成法制备纳米CoAl2O4粉体

以仲丁醇铝和硝酸钴为原料,用溶胶-凝胶水热合成法制备了纳米CoAl2O4粉体,探讨了水热合成中前驱体的制备工艺条件,并用X射线衍射和扫描电镜等手段分析了水热系统中反应温度、反应时间对纳米CoAl2O4粉体的形成以及形貌的影响.结果表明:前驱体在250℃的水热系统中反应24 h,能制备出较纯净、结晶完整、粒度均匀、粒径小、尖晶石结构的纳米CoAl2O4粉体,其平均粒度约为50～60nm.     

低维复合金属氧化物纳米结构合成研究进展

复合金属氧化物在铁电、铁磁、巨磁、半导体、发光材料、光电器件等科技领域有重要应用.低维金属氧化物纳米材料特殊的结构层次使其拥有一系列新颖的物理和化学特性.在纳米尺度上实现对其尺寸、大小和形貌等的可控合成,是该类材料走向应用的关键,近年来这一领域的研究较为活跃.着重对复合金属氧化物零维、一维纳米结构的制备方法进行了综述,评述这些方法的优缺点,并对其合成方法的发展前景及今后的研究趋势进行了展望.     

水热合成制备水化硅酸钙-聚氨酯纳米复合材料的结构分析

本文以生石灰、纳米二氧化硅和聚氨酯为原料,采用水热合成法制备了纯水化硅酸钙和水化硅酸钙-聚氨酯纳米复合材料,并利用扫描电子显微镜、能谱仪、X射线衍射仪、红外光谱仪和热分析仪对其进行表征测试。结果表明:水化硅酸钙和水化硅酸钙-聚氨酯复合材料的微观组织形貌具有明显差异,随着钙硅摩尔比的增大,出现了Tobermorite相,且随着聚氨酯的加入,该相的结晶度增强;聚氨酯可以嵌入水化硅酸钙层间,使其基底层间间距增大1.038 nm;聚氨酯的加入可以提高水化硅酸钙的热稳定性,且对钙硅比较高的水化硅酸钙改性更有效。     

CTAB对溶胶-凝胶法制备纳米ZnO形貌的影响

以醋酸锌、草酸为主要原料,采用溶胶-凝胶法制备纳米ZnO。在反应体系中加入表面活性剂十六烷基三甲基溴化铵(CTAB),成功制得短柱状及棒状结构的纳米ZnO。借助XRD和TEM对产物的结构和形貌进行了表征。结果表明,产物属于纤锌矿结构的六方相ZnO,并且,在棒状结构纳米ZnO的形成过程中CTAB起关键作用,改变反应体系中CTAB的加入量,可以实现纳米ZnO的形貌控制合成。讨论了棒状纳米ZnO可能的形成机理。     

乙二胺对溶胶-凝胶法制纳米ZnO形貌的影响研究

本文采用溶胶-凝胶法,以醋酸锌、草酸为主要原料制备了纳米ZnO。通过在反应体系中加入有机物乙二胺制得棒状的纳米ZnO,并且通过XRD和TEM对产物的形貌进行了表征。结果表明所得产物属于纤锌矿结构的六方相ZnO,乙二胺对棒状纳米ZnO的形成起关键作用,乙二胺的加入量对棒状纳米ZnO的形貌也有一定的影响。并且简单讨论了棒状纳米ZnO的生长机理。     

纳米碳纤维制备方法的研究进展

本文介绍了当前碳纳米纤维制备的研究状况，对各种制备方法的优缺点进行了评述，并讨论了影响气相生长的碳纳米纤维的各种因素。     

CdS纳米微粒的制备及应用

介绍了近年来在纳米CdS合成与制备领域的一些最新研究进展，包括CdS纳米微粒的制备及其应用方面的研究。     

纳米ZnO光催化材料氧化烟气中NO性能研究

用水热合成法制备了纳米Zn O光催化材料,使用SEM和XRD对样品进行了表征,并与商业Zn O作了比较。其光催化性能验证由紫外光下催化氧化模拟烟气中NO得出,并对比了P25型Ti O2和商业Zn O的效果。研究表明:水热法制得的Zn O具有片状晶型,较棒状的商业Zn O有更大的比表面积。实验条件下,光催化氧化NO的效率达到14%,高于商业Zn O。但与P25相比效果较差,说明应用到光催化氧化时还需要一定的改进。     

溶胶-凝胶法合成ZnO量子点的研究进展

ZnO量子点(ZnO QDs)由于显著的量子限域效应,而表现出独特的光电性质,并在太阳能电池、发光二极管、生物荧光标记、传感器、抗紫外材料等领域有广泛的应用。溶胶-凝胶法(Sol-gel)合成ZnO QDs具有成本低、简单、可重复性高、反应条件温和,并且容易进行表面改性等优势。为更好地调控ZnO QDs的性质、促进ZnO QDs研究和应用,本文综述了sol-gel法合成ZnO QDs的机理及ZnO QDs生长过程中的各种影响因素,并介绍了常用的表征ZnO QDs的粒径和结构的方法。     

ZnO一维纳米材料的研究进展

ZnO一维纳米材料结合ZnO本体性能和纳米尺度效应而具有独特的电、光、磁、机械等性质,在微电子器件和光电器件等领域有广泛的应用前景。综述和分析了ZnO一维纳米材料的最新研究进展,介绍了材料的制备方法、性质和应用前景。     

纳米材料制备新技术研究进展

对纳米材料制备技术的国内外最新研究进展进行了综述，对有代表性的制备技术如分子自组装、溶胶—凝胶技术、新兴物理技术等在制备纳米材料时的特点进行了评价；并对纳米材料制备技术的发展方向进行展望。     

Persistent Photoconductivity Studies in Nanostructured ZnO UV Sensors

The phenomenon of persistent photoconductivity is elusive and has not been addressed to an extent to attract attention both in micro and nanoscale devices due to unavailability of clear material systems and device configurations capable of providing comprehensive information. In this work, we have employed a nanostructured (nanowire diameter 30–65 nm and 5 μm in length) ZnO-based metal–semiconductor–metal photoconductor device in order to study the origin of persistent photoconductivity. The current–voltage measurements were carried with and without UV illumination under different oxygen levels. The photoresponse measurements indicated a persistent conductivity trend for depleted oxygen conditions. The persistent conductivity phenomenon is explained on the theoretical model that proposes the change of a neutral anion vacancy to a charged state.     

一维纳米结构有序阵列研究进展

一维纳米结构有序阵列的控制合成与组装是纳米器件应用的关键,综述了这一领域的最新研究进展.一维纳米有序阵列的制备主要有模板法、化学气相沉积法、人工组装法,纳米阵列体系优异的性能使其在纳米激光器、平板显示器、磁记录器、纳米晶体管等具有很大的应用潜力,从而为实现纳米器件产业化奠定基础.     

纳米ZnO合成方法的研究现状

Zn O作为优良的半导体材料,其纳米材料(如纳米线、纳米棒等)在光、电、磁等方面因具有独特的性能而被广泛的应用于各个领域,因此,纳米Zn O的制备在近些年得到充分的发展,主要的制备方法分为固相法、液相法和气相法三大类。就气相法和液相法中常用的几种方法进行研究进展分析,指出每类方法的优势和存在问题,并对纳米Zn O制备技术的发展趋势进行展望。     

中红外光参量振荡器用周期极化晶体的研究进展

本文介绍了准相位匹配技术的原理,对基于铌酸锂系列、钽酸锂系列以及磷酸钛氧钾型系列的周期极化晶体发展情况进行了综述,对中红外光参量振荡器用的周期极化晶体发展前景进行了展望.     

噻吩类液晶化合物研究进展

综述了噻吩类液晶化合物的研究进展,包括它们的合成方法、分子结构与液晶性能间的关系及应用前景等方面。     

氧化锌单晶体制备技术的研究进展

ZnO是新型的宽禁带半导体材料,其激子束缚能较大,透明度高,在液晶显示器、隔热玻璃、薄膜晶体管、发光二极管等产品中均有应用.目前,虽然生长ZnO体单晶的方法已有多种,如水热法、助熔剂法、气相法、熔体法等,但大尺寸体单晶的制备仍然十分困难,而且质量也有待提高.本文综述了已有生长技术的优缺点,并提出了未来的研究方向.