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采用傅立叶变换红外(FTIR)透射的方法测量了碲镉汞晶片在不同厚度下的透射曲线,运用经验公式确定了其组分及80K时的截止波长,并同实测的响应光谱得到的截止波长进行了比较,结果表明,采用该方法预测的截止波长同实际的截止波长相对偏差为2.5%,从而为碲镉汞器件制备工艺中材料的筛选、提高投片的准确率提供了重要的参考依据. 相似文献
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零偏压电阻-面积乘积(R0A)和反向饱和电流密度J0是决定光电二极管性能的重要参数.提出了一种对碲镉汞(Hg1-xCdxTe)光伏器件的少子扩散特性进行研究的有效方法.利用变磁场下的电流-电压(I-V)测试,得到了组分x在0.5与0.6之间的器件R0A和J0随磁场强度B变化的函数关系.由实验结果估算得到了室温工作的短波红外(SWIR)碲镉汞光伏器件的少子扩散长度.其数值与用激光诱导电流(LBIC)方法得到的相一致. 相似文献
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1引言 碲镉汞(Hg1-xCdxTe)三元合金化合物半导体是一种重要的红外探测器材料.通过调节其组分x值的大小,可以连续改变其禁带宽度(从0eV~1.6eV),从而获得几乎覆盖整个红外区域的响应波长.现在,用碲镉汞制备的红外探测器在军事、民用等领域已经得到了广泛的应用.从20世纪70年代末第一代红外探测器的出现到现在的大规模红外焦平面器件的研制成功,都说明高性能器件的制备需要高质量、大面积、组分均匀的碲镉汞材料.与其他外延技术相比,分子束外延技术在表面型貌的质量、组分厚度均匀性上具有独到的优势[1]. 相似文献
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采用椭圆偏振光谱技术研究了射频磁控溅射生长非晶态碲镉汞(amorphous Hg1-xCdxTe,amorphous MCT,a-MCT)薄膜的光学性质,发现非晶态碲镉汞薄膜的介电函数谱特征与晶态碲镉汞材料的明显不同,表现出与其他非晶态半导体材料类似的"波包"结构特征。基于修正的FB模型在1.0~4.0eV的能量范围内对实验结果进行了拟合分析,得到了不同组分非晶态碲镉汞薄膜的光学带隙随组分关系。通过与单晶碲镉汞光学带隙随组分变化关系的对比研究,结果表明碲镉汞的结构从晶态向非晶态转变过程中,材料的光学待续发生了明显的"蓝移"。 相似文献
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碲镉汞晶片材料参数评价吴人齐(华北光电技术研究所北京100015)本文讨论了HgCdTe晶片材料的几种常规测量方法,认为可用红外透射法测HgCdTe组分x值。该测试方法是非破坏性的,不需要做标准样品,而是根据碲镉汞晶片室温透射谱吸收边微商最大值对应的... 相似文献
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文中报道了碲镉汞的反常高电子迁移率。变磁霍尔测量和小光点扫描红外透射测量结果表明,反常高电子迁移率碲镉汞样品中存在导电非均匀性,这种导电非均匀性是横向组分严重偏析形成的负径向电子浓度梯度(电子浓度从晶片中心向周边减小)造成的。负径向电子浓度梯度的导电非均匀性使HgCdTe电子迁移率的测量值反常地高。 相似文献
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从理论上完成对MOCVD工艺生长的HgCdTe/CdTe/GaAs材料的透过率、吸收边和相干行为的计算.结果表明光的干涉条纹与外延层HgCdTe和缓冲层CdTe的总厚度相关,其透过率不能直接反映材料的内在质量.计算结果还表明,外延材料组份的均匀性对红外光谱的吸收边有很大的影响.运用理论计算对实验中测得的光谱曲线进行了分析,发现MOCVD工艺存在着一种部分过饱和态的生长机制,并发现负禁带HgTe薄膜也具有一定的透光特性. 相似文献
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报道了用液相外延技术生长Hg1-xCdxTe薄膜的工艺及分析薄膜特性的方法.结果表明Hg气压、过冷度、降温速率及退人条件等因素对波相外延薄膜的性能有很大影响.由X射线双晶回摆曲线可定量分析点阵失配度及外延层的组份,由红外透射光谱确定外延层组份的纵向分布. 相似文献
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