电子辐照下的SiC少子寿命退化模型

从理论上对电子辐照在4H-SiC中引入的缺陷数量和各种缺陷能级进行了分析.结果表明,EH6和EH7缺陷能级在4H-SiC中起着有效复合中心的作用.采用SRH模型来估计电子辐照下4H-SiC的少子寿命,并给出了电子辐照下4H-SiC少子寿命损伤系数的模型.结合具体的测量条件,证明了这个模型是合理的.辐照电子对Si、GaAs和4H-SiC产生的不同影响展示了在高空、高辐照条件下 SiC存在着优势.     

电子辐照高阻NTD硅中缺陷能级和少数载流子寿命

<正>近十几年来,用中子嬗变技术在硅中进行磷掺杂,可获得n型高阻NTD硅单晶,用电子辐照在硅中引入复合中心以降低少子寿命的方法,也引起人们的极大关注.为此,我们将NTD硅制成p~+n结二极管,经电子辐照后,分别从深能级瞬态谱(DLTS)测量中获得相应的缺陷能级、俘获截面和浓度等参数,并用二极管反向恢复时间法,测量了这些样品的少子寿命.对所得结果作出初步的分析讨论.     

MOSFET热载流子退化/寿命模型参数提取

基于 MOSFET热载流子可靠性物理 ,并结合电应力条件下热载流子退化特征量ΔIds/Ids0 、Isub等实测数据的拟合处理 ,发展了可表征退化物理意义的衬底电流与退化 /寿命参数提取模型 ;进而由自动测试 ATE与 CAD技术相结合的监测系统 ,实现了载流子速度饱和临界电场Ecrit、有效导电长度 LC和寿命因子 H、m、n提取 .实验研究结果表明 ,模型及提取参数合理可信 ,并可进一步应用于 MOSFET及其电路的退化 /寿命模拟预测     

MOSFET热载流子退化/寿命模型参数提取

基于MOSFET热载流子可靠性物理,并结合电应力条件下热载流子退化特征量△Ids/Idso、Isub等实测数据的拟合处理,发展了可表征退化物理意义的衬底电流与退化/寿命参数提取模型;进而由自动测试ATE与CAD技术相结合的监测系统,实现了载流子速度饱和临界电场Ecrit、有效导电长度Lc和寿命因子H、m、n提取.实验研究结果表明,模型及提取参数合理可信,并可进一步应用于MOSFET及其电路的退化/寿命模拟预测.     

融合非线性加速退化模型与失效率模型的产品寿命预测方法

针对高可靠性产品寿命数据少、获取成本高的问题,基于充分利用产品在研制、加速试验等不同环境下的退化数据、失效数据等可靠性数据的思想,提出了一种融合非线性加速退化模型和失效率模型的产品寿命预测方法.首先,根据退化数据对非线性退化过程进行分析,估计退化过程的参数;然后,根据加速退化数据及相应的加速退化模型估计加速退化模型的参数,从而得到退化参数与应力之间的关系.进一步,利用比例风险模型融合产品的寿命数据和未失效截尾数据,并基于此计算产品的可靠度函数、预测产品的寿命.实例应用验证了所提方法的有效性,同时说明了所提方法的应用价值.     

电子辐照快速恢复二极管

电子辐照快速恢复二极管莫长涛李钢黑龙江商学院基础部（哈尔滨１５００７６）本试验为ＺＫ５０Ａ快速恢复二极管。芯片厚３２０μｍ，ｎ型衬底电阻率３０～５０Ω·ｃｍ。将二极管芯片置于ＪＪ１．２型电子静电加速器扫描盒下，在大气室温环境下用电子束照射。为试验辐照...     

应用12MeV电子辐照效应制造硅p^＋nn^＋高频整流二极管

介绍了应用１２ＭｅＶ电子辐照效应将ｐ＾＋ｎｎ＾＋普通整流二极管改制成高频流二极管的新技术。多年研究、制造结果表明，该方法与传统掺金工艺相比，少子寿命控制精确，ｔｒｒ、ＶＦ一致性、重复性好，高温性能明显改善，合格率提高３０％以上，工艺简耐 易而易行，经济效益显著。     

基于加速退化模型的加速度开关贮存寿命评估

贮存寿命是长使用周期、高可靠性产品的重要考核指标之一。为评估某型加速度开关的贮存寿命,该文采用温度应力四量级水平恒定应力加速试验方法研究了加速度开关的退化过程,并将阿伦尼斯加速模型与漂移布朗运动相结合,建立了产品的可靠性模型。最后采用极大似然和最小二乘法对试验数据进行了拟合分析。结果表明,某型加速度开关在100℃的加速量级下,其等效贮存年限可达33年,满足产品有效贮存期的要求。     

电子辐照晶体管的研究

本文提供了利用5MeV电子辐照把硅外延晶体管改造成为开关晶体管的一种新方法,经各种例行工艺实验证明这种方法完全可以取代传统的掺金工艺.本文还利用深能级瞬息谱(DLTS)等方法研究了电子辐照引入该晶体管中缺陷的性质,发现了H(0.35)和H(0.41)能级.晶体管的等时退火特性表明这些缺陷在420℃以上的温度才能消失,这足以证明这些缺陷具有很好的热稳定性.     

PMOSFET's热载流子退化模拟及寿命评估的统一模型

对PMOSFET's几种典型器件参数随应力时间的退化规律进行了深入研究,给出了一个新的器件退化监控量,并建立了不同器件参数退化的统一模型.模拟结果和测量结果的比较表明,新的退化模型具有较高的准确性和较宽的适用范围.新的退化模型不但可以用于器件参数退化量的模拟,也可以用于器件寿命评估.     

中子辐照硅中少子寿命的衰退(英文)

Disordered regions(DR) produced by neutron irradiation are highly effective for the degradation of minority carrier lifetime in silicon. In this paper we analyze the properties of the DR in detail, calculate the occupancies of defect states and the bending height of the energy band by means of the effectively generalizing of Schokly-Read-Hall statistical recombination theory to the DR, and present the self-consistent formulas for calculating degradation of minority carrier lifetime in the region, including the influences of defect concentration, band bending height, quasi -Fermi level as well as excess carrier density on the minority carrier lifetime. Finally, we make a comparision between the calculation results from the disordered region model and the point defect model and experimental results with detailed discussions.     

中子辐照损伤区对硅少数载流子寿命的影响

中子辐照在半导体硅晶体中形成无序区,使其电学性能受到严重影响.本文根据无序区基本特征,系统分析中子辐照对少数载流子寿命影响的过程,给出了一个完整自洽的计算表达式;理论计算了材料掺杂浓度、无序区辐照缺陷分布态,以及载流子注入量等参量对少数载流子寿命的影响.最后,将计算结果与点缺陷模型、及实验测量数量进行比较和讨论.     

提取IGBT外延层载流子寿命的新方法

文章提出了一种基于IGBT等效电路模型及其I-V特性曲线拟合提取IGBT低掺杂外延层载流子寿命的新方法。文中的IGBT模型运用精确的双极输运理论而不是其它文献报到的准静态条件假设,通过压控电阻模型准确描述IGBT高阻厚外延层的电导调制效应,取得了很好的效果。该模型完全与SPICE应用程序兼容,可以精确算出IGBT输出I-V特性及载流子寿命等参数。     

碲镉汞pn结中少数载流子寿命的测量

采用改进的光致开路电压衰退方法测量了不同组分Hg1-xCd,Te光伏探测器中光生少数载流子寿命。激发光源为脉冲YAG激光泵浦的光学参量产生器／放大器形成的可调谐红外脉冲激光器。为了减小结电容和串联电阻的影响,引入稳态背景光照明。用存储示波器记录pn结两端开路状态下的电压变化。从指数衰退的曲线经拟合得到开路电压的衰退时间常数,认为其反映了碲镉汞pn结中光生载流子的寿命。实验结果表明：四种组分的探测器在液氮温度下其少数载流子寿命值范围在18—407ns之间。     

基于加速退化试验的模拟IC寿命评估研究

为解决高可靠性、长寿命模拟集成电路的寿命评估问题,结合半导体器件退化失效的特点,提出了基于加速退化试验的模拟集成电路寿命评估方法。在此基础上,以某型电压基准模拟IC为研究对象,通过对退化数据的分析研究,获得了其在正常工作应力下的寿命数据。     

高温正向栅电流下Ti/Pt/Au栅SiC MESFET的栅退化机理

SiC MESFET器件的性能强烈依赖于栅肖特基结的特性,而栅肖特基接触的稳定性直接影响其可靠性.针对SiC MESFET器件在微波频率的应用中射频过驱动导致高栅电流密度的现象,设计了两种栅极大电流的条件,观察栅肖特基接触和器件特性的变化,并通过对试验数据的分析,确定了栅的寄生并联电阻的缓慢退化是导致栅肖特基结和器件特性退化,甚至器件烧毁失效的主要原因.     

用微波反射法测HgCdTe中少数载流子寿命

介绍了用微波反射法测量ＨｇＣｄＴｅ中的少数载流子寿命,分析了其测量原理,并与接触式的光电导衰减法进行了比较。     

碲镉汞薄膜少子寿命测试研究

碲镉汞(HgCdTe)材料的少子寿命是影响碲镉汞红外探测器性能的重要参数.分别采用微波光电导衰减(Microwave Photoconductivity Decay,μ-PCD)法和微波探测光电导(Microwave Detected Photoconductivity,MDP)法对 HgCdTe 薄膜的少子寿命进行了...