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介绍鞍形偏转线圈绕线分布的谐波分析式,详细讨论了容线腔几何参数对各种谐波的影响,得到线圈设计参数与谐波之间的关系。对设计新的具有所需谐波的容腔是有用的。 相似文献
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本文介绍国外高分辨率显示器用偏转线圈的有关设计及校正要点,同时揭示了我国目前高分辨率显示器用偏转线圈仅处于初研阶段。 相似文献
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提高彩色CRT性能的需要,导致了偏转线圈设计和制造工艺的长足进步,本文回顾一这方面所取得的成就,并对偏转线圈未来的发展进行展望。 相似文献
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装在彩色显像管外的偏转线圈与显像管型号有严格的对应关系。现将国产彩色显像管所用偏转线圈的性能列表如下,供大家参阅。彩色显悦管用偏转线冈简明特性一览表一管型slSX10lY22slSX102Y2251SX105Y22slSX106Y2254SX50lY2254SX502Y2254SX503Y2254SX504Y2254SX505Y2254SX510Y2254SX513Y2254SX515Y2254SX520Y2254SX506Y2254SX507Y2254SX508Y2254SX509Y2254SX5llY22A5lJSY63XA5lJUI-glX565二10二Y2256*X互05*2264SX501Y2264SX502Y2264SX503Y2264SX504Y227卫*XS门Y2273SX50lY22M68**H互65M68KPH195彩色… 相似文献
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SiGe HBT低噪声放大器的设计与制造 总被引:1,自引:0,他引:1
该文设计和制作了一款单片集成硅锗异质结双极晶体管(SiGe HBT)低噪声放大器(LNA)。由于放大器采用复合型电阻负反馈结构,所以可灵活调整不同反馈电阻,同时获得合适的偏置、良好的端口匹配和低的噪声系数。基于0.35 m Si CMOS平面工艺制定了放大器单芯片集成的工艺流程。为了进一步降低放大器的噪声系数,在制作放大器中SiGe器件时,采用钛硅合金(TiSi2)来减小晶体管基极电阻。由于没有使用占片面积大的螺旋电感,最终研制出的SiGe HBT LNA芯片面积仅为0.282 mm2。测试结果表明,在工作频带0.2-1.2 GHz内,LNA噪声系数低至2.5 dB,增益高达26.7 dB,输入输出端口反射系数分别小于-7.4 dB和-10 dB。 相似文献
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本文根据重庆电视发射台改造30kW分米波电视妆射风冷系统的成功经验,介绍了空气净化和噪声控制等方面的问题。 相似文献
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利用有限元分析软件对离子注入机线包的温度场进行了数值计算,发现4个60匝50 mm高的线圈即可产生所需磁场。同时对处于水冷板与铜线圈之间的绝缘树脂的厚度和导热系数对线圈温度场的影响进行了研究,发现绝缘树脂厚度的增加会使线圈温度急剧升高,而选择高导热系数的绝缘树脂可以显著降低线圈温度。因此需要在制作线包时要严格保证树脂厚度,同时尽量选取导热性能好的绝缘树脂。 相似文献
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采用棱镜的光色散特性建立了棱镜型光热偏转光谱法的理论框架,研究了激励光源对待测样品表面周期性照射情况下的探测光偏转角与光热信号之间的解析关系。得到了棱镜型样品表面周期性变化的偏转角表达式,探讨了调制频率,样品表面和探测光之间的距离对输出信号强度的影响。结果表明,该方法比传统型光谱法具有理论模型简单、试验容易实现、分辨率高、灵敏度高、测量方便快捷等优点。 相似文献
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通过分析骚扰信号在广播电视接收机中产生干扰的原理,并以此为依据提出相关的电路改进的原理与具体措施,使广播电视接收机输入抗扰度性能符合GB/T9383-1999的要求。 相似文献
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本文对彩色显像管偏转线圈用两种六极场彗差校正系统进行了分析讨论,对垂直偏转场参量Vo,Vz的测量结果表明六极场校正系统的引入在偏转线圈颈部形成垂直枕形场有利于彗差的校正。同时,文中还对磁八极场对彗差的校正作用进行了分析。 相似文献
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文献建立了较完善的噪声理论,其显著的优点是使电路或器件的嗓声性能分析及低噪声设计的精度和效率大为提高.本文给出了针对该噪声理论的实验研究,从实测角度证明了该理论的正确性及其相应优点.文中给出的噪声谱测量系统相对已有其它噪声测量仪器具有能对整个低频噪声谱测量,精确度优于4%及自动测量等优点.文中还提出了器件噪声参数测量及优化提取方法.最后,给出了理论与实测结果的对比实例. 相似文献