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在有效质量包络函数理论下,利用变分法计算了未加电场以及加入电场后 双量子阱中施主杂质各种情况下的束缚能,讨论了双量子阱中间势垒高度、施主杂质位置对杂质束缚能的影响。给出了加入电场后施主位置不同时的束缚能和波函数,以及量子阱宽度不同时的束缚能,并且计算了未加电场和加入电场后中间势垒高度变化以及宽度不同时的束缚能。当双量子阱中间垒宽一定时,束缚能随着阱宽的变化会出现一个峰值。在阱宽一定时,随着中间垒宽度的增加,束缚能逐渐减小,并在垒宽增加到一定宽度时双量子阱情况与单量子阱情况相似,束缚能不再明显变化。计算结果对设计和研究 量子阱发光和探测器件有一定的参考价值。 相似文献
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利用金属有机化学气相淀积(MOCVD)技术,生长了InGaAs/AlGaAs分别限制压应变双量子阱和单量子阱两种材料结构,通过对不同腔长单管激光器的LIV测试获得内部参数,对单、双阱两种材料结构器件参数进行对比分析,确定了单量子阱结构作为1.06μm大功率半导体激光器的材料结构。通过研究单管激光器的电光转换效率与腔长、注入电流的关系,获得了最高达到57.5%的电光转换效率。对1mm腔长单管激光器进行了大电流高温加速老化测试,结果显示研制出的单管激光器室温下在1.5A工作电流下寿命远大于104h。 相似文献
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研究者们采用金属有机化学汽相淀积(MOCVD)工艺制成了低阈值和高微分量子效率的单量子阱和多量子阱激光器。不久前,用分子束外延法已制成极低阈值电流密度的改进型多量子阱激光器。一种更基本的结构-单量子阱激光器,由于结构简单和内界面数较少,也令人感兴趣。然而,现有资料表明,除了很好简并掺杂和在低温(77K)下使用外,一般单量子阱激光器的阱宽小于80(?)时就不能工作。最近,报导过一种梯度折射率波导单独限制异质结激光器。我们采用这种结构制成了极窄单量子 相似文献
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为能得窄谱宽、高亮度的1064nm-InGaAs/GaAs应变双量子阱激光器,分析了In组份与临界厚度、应变量的变化关系,并给出了In组份的选择范围。采用Kane模型给出了量子阱中第一分立能级分裂宽度与垒宽的关系,明确了应变双量子阱激光器中垒宽的选择。最后,通过金属有机气相沉积(MOCVD)法生长了1064nm应变双量子阱激光器,实验结果与理论计算的辐射波长值基本吻合。 相似文献
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采用数值分析方法进行模拟分析InGaN/GaN混合多量子阱中不同活性层结构对GaN基双蓝光波长发光二极管光谱的影响。结果发现只依靠改变活性层中的In0.12Ga0.88N/GaN量子阱和In0.18Ga0.82N/GaN量子阱的数量或位置,难以有效改善电子空穴在混合多量子阱中的分布和实现双蓝光均衡辐射。但随着p-AlGaN层的移去和n-AlGaN层的引入,或在量子阱引入应力补偿层AlGaN,能有效实现双蓝光平衡辐射。 相似文献
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MBE生长高质量GaAs/AlGaAs量子阱激光器 总被引:6,自引:4,他引:2
我们利用分子束外延方法研制了GaAs/AlGaAs缓交折射率分别限制(GRIN-SCH)单量子阱和双量子阱激光器.对腔长为600μm的端面不镀膜的宽接触条型F-P腔激光器,阈值电流密度(平均值)分别为290A/cm2和240A/cm2.腔长在1200μm的双量子阱激光器的阈电流密度低达190A/cm2.对出光面和背面分别镀以增透膜和高反膜的宽接触条型(80μm).激光器,线性输出功率高达1.82W;出光面的斜率效率达到1.04W/A;利用湿法化学腐蚀所制备的脊形波导结构单量子阱激光器阈值电流最低可达8mA 相似文献
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纤锌矿InxGa1-xN/GaN量子阱中的界面声子模 总被引:5,自引:4,他引:1
采用赝原胞模型计算讨论纤锌矿InxGa1-xN混晶性质;基于宏观介电连续模型的传递矩阵方法研究任意层纤锌矿量子阱中的界面声子,得出任意层纤锌矿量子阱中的界面声子的本征模解和单量子阱的色散关系,并对InxGa1-xN/GaN单量子阱界面声子的色散关系进行了数值计算和讨论。结果表明,纤锌矿InxGa1-xN混晶中的E1声子和A1声子都表现为单模行为;在对称非应变单量子阱GaN/InxGa1-xN/GaN中,界面声子频率随x的变化呈线性关系。 相似文献