有助于把电弧转变成扩散型的纵向磁场真空灭弧室

一个能产生强径向磁场的真空灭弧在其真空外壳内有一对面对面的触头，它们能在分断电路位置和闭合电路位置之间作相对移动。螺旋臂型或杯槽型触头由管状金属蒸气屏蔽筒围绕着。在触头处于分断电路位置时，该屏蔽筒与至少一个触头是电绝缘的。每个触头是与线圈和载流导电杆相串联的。这个位于触头背面的线圈可由灭弧室的开断电流所激励。导电杆则延到真空外壳之外。线圈中的电流在触头间区域内产生一个径向磁场。该磁场迫使触头间的开     

不均匀纵向磁场中的大电流真空电弧

本文研究了由纵向磁场稳定的大电流真空电弧阴极斑点的分布状态。纵向磁场的结构从传统的“钟型”转变为“磁性隔层”型，而在“磁性隔层”型结构中，强大的纵磁场产生在电极边缘而消失在中心。纵磁场结构对阴极斑点的复杂影响也已经被认识。这一点在斯丁贝克原理的基础上已经得到了满意的解释。“磁性隔层”型结构代表了一种最佳纵磁场。这种纵磁场可提供均匀的电流分布和最小的电弧电压。     

纵向磁场真空灭弧室

真空灭弧室有一个直接围绕灭弧室触头部件的圆柱柱形绝缘外壳、绝缘 触头部件的径向距离小于或至多等于触头行程的长度。此外，触头部件为纵向磁场结构，而触头部件背面授 效横载借助触头导电杆的径向膨胀而变小，或者借助绝缘外壳的径向缩颈而变小。     

纵向磁场真空灭弧室

代表真空灭弧室的各种综合技术系统中，已对有关的内在潜力进行了研究。     

单极纵磁场对真空电弧性能的影响

单级纵磁场对真空电弧的性能的影响已经进行了实验性及理论性的研究，利用高速CCE摄像机对不同的电弧电流下的真空电弧模型进行了研究。尽管施加了单级纵磁场，在相当小的电流时出现了第一个集聚型电弧的迹象。在实验期间发现了三种不同的电弧模式。根据已总结出的欧姆定律。单极纵场影响下的真空电弧中的电流分布密度用三维有限元素方法（FEM）软件程序计算出来。计算出的电流分布证实了用CCD摄像胶片拍出的真空电弧的出现。在这样的实验和理论分析折基础上通常可能得到最佳的纵磁场分布。     

横磁场和纵磁场中真空电弧的离子能量

在真空断路器中，当电流达到几千安时会产生电弧集聚，我们使用两种触头来克服由于这种现象而产生的不良后果。横磁触头产生的横磁场使集聚电弧旋转，电有量均匀地分布在触头表面。纵磁触头可以防止电弧集聚到很高的能量。为了提高这两种真空断路器的开断容量，了解电流零点附近真空电弧等离子体（即真空电弧）的特性和变化过程，如等离子体的密度、等离子体的衰变以及能量就十分重要。在本文中，我们主要是用延迟场分析仪来研究电流过零前最后3ms内电弧电流的有效值达到了7．5kA时真空电弧等离子体中离子能量的分布状况。研究发现：横磁和纵磁触头的电弧离子能量存在着明显的差别。在电流超过5kA时，这两种触头上电弧离子能量的分布接近于麦克期韦（Maxwellian)分布，这是一种由离子碰撞决定的等离子体的特有分布。也就是说，在电流接近零点时，横磁触头中电弧离子的运动具有很强的方向性，而纵磁触头中能量的分布却明显受到离子碰撞的影响。     

磁场中真空电弧液滴喷溅分析

分析了在外加磁场作用下，真空电弧镀膜中阴极靶面液池的受力情况，导出了液滴喷溅特性受磁场影响的关系式。结果表明，纵向磁场将使喷溅方向发生偏转，形成一发射角，液池所在位置不同发射角也不同。一维横向磁场将使液池发生偏心喷溅，加剧了液滴的发射；二维横向磁场则可减轻液池的喷溅。     

纵向磁场高压真空灭弧室

能开断高压回路电流的纵向磁场高压真空灭弧室有一个外壳和两个触头，其外壳能维持管内处于真空状态，而触头则安装于此外壳内。触头能在两位置间作相对运动，第一个位置是两触头互相接触的位置，第二个位置是触头相互分离的一适当开距的位置，在此位置，足以开断流过触头的电流。开关触头中的一个或两个触头包含有一些螺旋缠绕的导电条、一个导电杆部件和一个导电触头部件。导电杆部件能把电耦合的列螺旋缠绕导电条的一端，而导电触     

带纵向磁场灭弧机构的真空灭弧室

真空灭弧室包括一个带端盖板１６、１８的真空绝缘壳１２和一对可分离的触头２６、３２，该电极在分闸时能产生电弧。一种能在两个电极触头间产生径向扩散电弧的电磁结构，相对每个触头分别包括：（１）各一个环形传导触头３４、４１，其分别位于各个 电极触头的四周；（２）各一个纵向磁场线圈３６、４３；（３）各一个圆柱形导体３８、４５，它们分别围绕着纵向相对可动电极２４、２８，并且相对可动电极又     

真空灭弧室向高电压大容量发展的关键问题

讨论大开距下纵向磁场与真空电弧的相互作用，测试了高电压真空灭弧室的耐压特性，分析了长行程高速运动波纹管的运动特性，指出国内高电压大容量真空灭弧室生产工艺中的关键问题。     

真空灭弧室横向磁场触头间磁吹力的计算分析

对螺旋槽型和杯状型两种横磁触头进行了研究,仿真分析了不同电弧位置和触头结构参数下触头间磁场的分布,同时计算分析了触头间电弧所受的磁吹力,可为横向磁场触头的研究与应用提供参考。     

提高真空灭弧室分断性能的研究

真空灭弧室的分断特性与触头结构、间隙纵向磁场及触头材料有密切的关系，本文对此进行了分析和研究。     

新型真空电弧控制技术及其实现

本文介绍了ＳＡＤＥ真空电弧控制技术及其电极结构、实验结果和应用情况。     

均匀轴向磁场自由电子激光的量子理论

本文在文献［１］的基础上，进一步给出了均匀轴向磁场自由电子激光器的量子力学增益。     

磁性液体场致界面不稳定性的实验研究

利用自行研制的磁性液体,搭建磁性液体界面不稳定性的实验装置,通过调控电磁铁的励磁电流产生不同的磁场,研究处于磁场中磁性液体界面不稳定性的现象,观察、检测磁性液体突起三维尖峰的数目、间距、高度随磁场的变化规律.实验结果表明,磁性液体处于磁场条件下,界面出现的三维尖峰的数目与磁场强度成正比,三维尖峰的间距与磁场强度成反比,...     

CCD数字图像处理电弧温度场测量系统的研究

研究电弧等离子温度场的主要理论是光谱法.光谱仪采用线阵CCD接收物体表面的光辐射能量存在着采集频率与采集点数的矛盾,无法保证采集的实时性、测量误差大等不足.为了克服这些不足,修正了传统的比色法和三色法公式,研究了一种用面阵CCD作为主要光接收器件的测量电弧温度场的系统,并开发了一套针对该系统的面阵CCD数字图像处理软件.它具有成本低,操作简单和数据采集速度快等一系列优点.     

光纤陀螺保偏光纤环几何轴向磁敏感性理论研究

在光纤陀螺中,磁场会造成法拉第相位误差。实验结果表明,轴向磁敏感性较径向更为明显。在轴向磁场作用下,在保编光纤中传播的正反两束光会产生一个与磁场有关的非互易相位差。研究了由光纤在光纤环上螺旋缠绕引起的几何轴向磁敏感性,利用耦合模方程和有限元分析法,从理论上推导出了保偏光纤陀螺在轴向磁场作用下,产生的几何法拉第非互易相位差的具体表达式,并对理论结果进行了仿真分析。研究表明,光纤环中光纤几何扭转引起的圆双折射是产生几何法拉第相位误差的主要原因。另外,轴向磁敏感性会随着半径的减小而增大。     

有轴向磁场的平面摆动器自由电子激光

研究了电子在有同向磁场的平面摆动器中的自发辐射和谐波相干辐射，得到了一个较普遍的自发辐射谱表达式和谐波自由电子激光的增益。当电子的能量较高或者沿摆动器轴线观察时，辐射是椭圆极化的，适当附加轴向磁场，可以提高激光增益，对于较低次谐波，增益提高更明显。     

纵磁结构触头涡流的仿真分析

电弧熄灭后,真空触头间隙中的剩磁是由触头结构中各部分的涡流所产生的,其中主要是触头片中的涡流。本文利用有限元法对1/2匝和1/3匝纵磁结构触头在大开距下的涡流特性进行了仿真研究,对比分析了触头结构、开距以及触头片开槽方式等对涡流、纵向磁场滞后时间的影响。