砷化镓场效应晶体管半绝缘单晶衬底的制备

用水平三温区炉生长掺铬、氧、碲的砷化镓,在纯氢气流中,经780℃和800℃热处理一小时,制得了保持热稳定的半绝缘砷化镓单晶。在未掺氧的晶体中,达到半绝缘砷化镓的最低铬浓度是3.60×10~(15)厘米~(-3)。热稳定材料中的铬浓度在3.6×10~(16)厘米~(-3)以上,硅含量低于分析灵敏度(0.2ppm)。材料的热稳定性用方块电阻(欧姆/□)和漏电流进行检验。     

高压液封原位合成直拉半绝缘砷化镓单晶的研制

本文主要叙述采用高压液封原位合成直拉法生长半绝缘GaAs单晶的合成原理、工艺概述和实验结果。以该材料为衬底,经汽相外延试制的10千兆赫低噪声场效应管,得到了夹断电压3.5伏、增益7.4分贝、最低噪声系数1.4分贝的良好结果。最后对该方法的优缺点加以讨论。此方法是获得大直径、圆断面、高质量半绝缘GaAs单晶的好方法。     

半绝缘砷化镓(SI-GaAs)单晶中的微缺陷的研究

砷化镓(GaAs)为第二代半导体材料，GaAs衬底质量直接影响器件性能。利用JEM-2002透射电子显微镜(TEM)及其主要附件X射线能量散射谱仪(EDXA)，对半绝缘砷化镓(SI-GaAa)单晶中微缺陷进行了研究。发现SI-GaAa单晶中的微缺陷包含有富镓沉淀、富砷沉淀、砷沉淀、GaAa多晶颗粒和小位错回线等。还分析了微缺陷的形成机制。     

LEC法生长不掺杂半绝缘GaAs晶体的研究进展

本文综合近年 LEC 法生长不掺杂的半绝缘 GaAs 晶体的研究结果,对晶体生长工艺及晶体特性的研究概况作一评述。在晶体生长方面,详细论述了坩埚材料、B_2O_3的水份及熔体化学计量比对晶体性质的影响,以及影响晶体纯度和完整性的一些因素。在晶体特性方面,阐述了剩余杂质,以及本征结构缺陷引起的深、浅载流子陷阱的性质;进而论述了这些本征缺陷,特别是深能级电子陷阱 EL2,所起的补偿作用,以及对晶体热稳定性和均匀性的影响。     

Al2O3的掺杂浓度对Ce0．8Y0．2O1．9电解质的性能影响研究

利用低温燃烧合成法制备了Al2O3掺杂浓度为0.5%～10%(摩尔分数,以下同)的Al2O3/Ce0.8Y0.2O1.9固体电解质复合材料。研究了Al2O3掺杂浓度对Ce0.8Y0.2O1.9固体电解质烧结及电性能的影响。试验结果表明,添加少量的Al2O3可以改善Ce0.8Y0.2O1.9固体电解质的烧结性能,当Al2O3的添加量为0.5%时,电解质粉体具有最佳的烧结性能,1350℃时的相对密度达到99%以上。当Al2O3的掺杂浓度超过其在Ce0.8Y0.2O1.9中的溶解极限时,随Al2O3掺杂量的继续增加,烧结体的相对密度开始下降。阻抗谱结果表明,在溶解极限范围内,Al2O3使Ce0.8Y0.2O1.9的电导率减小,电导活化能增加。Al2O3的掺杂浓度超过溶解极限时,Ce0.8Y0.2O1.9的晶粒电阻不变,由于Al2O3对晶界的"清洁"作用,晶界电阻减小;当Al2O3的掺杂浓度超过5%时,由于Al2O3颗粒对晶界的"阻塞"作用,晶界电阻增加。