工艺因素对Ba_(6-3x)(Sm_(1-y)Nd_y)_(8+2x)Ti_(18)O_(54)陶瓷微波特性的影响

探讨了研磨时间，黏合剂浓度、用量，压力，保压时间，预烧温度，烧结温度，烧结时间等工艺因素对Ｂａ６－３ｘ（Ｓｍ１－ｙＮｄｙ）８＋２ｘＴｉ１８Ｏ５４陶瓷（ｘ＝０．６，ｙ＝０．２，０．３）微波性能的影响，试验结果表明，在其他工艺因素控制得当时，预烧温度和烧结温度对微波性能的影响最大。在预烧温度１０５０℃，烧结温度１２００℃下，其微波特性参数εｒ＝７６．１９，Ｑ·ｆ＝１０．２ＴＨｚ，（ｆ＝４．５ＧＨｚ）。本系统陶瓷的烧结温度比一般文献低１００℃左右，性能仍不错。进一步研究可为制备低温烧结微波陶瓷提供可能。     

钢包烘烤的温度控制系统

在钢包烘烤工艺中引入了ＭＣＳ－５１单片机系统，并采用ＰＤ调节，实现对煤气流量，钢包温度的自动检测与控制，其温控范围为室温至１１００℃，控温精度为±５℃，文章对系统的硬件组成及软件设计作了介绍。     

高温封装实现光纤光栅的长期稳定

介绍了利用负温度系数材料并在高温环境下（70℃左右）封装光栅的方法，对封装后的光栅作了温度性能和长期稳定性测试。这种封装不仅结构简单小巧，而且对光栅的特性无影响，同时其温度系数降低到0．5pm／℃。更重要的是，该封装的长期稳定性较好，封装1年后反射波长基本不变，并且其温度系数仍保持在0．5pm／℃左右。     

MOS结构低温负偏压温度不稳定性

本文报道了在氧等离子体中暴露过的热生长二氧化硅ＭＯＳ结构，置于－１７０至１００℃的环境中，经受－０．３至－１０ＭＶ／ｃｍ电场作用１ｍｓ至１００ｓ的时效处理后，仍然表现出不稳定性的实验结果．１至１０ｍｓ的时效时间是常规负偏压温度不稳定性试验时间的几百，乃至几十万分之一，用这样短的低温负偏压应力，研究了光照对ＭＯＳ结构负偏压温度不稳定性的影响，实验与预想一致，Ｎ型ＭＯＳ结构应力处理时，若无光照，时效时间短于１０ｍｓ，处理后Ｃ－Ｖ曲线不位移，若有光照，Ｃ－Ｖ曲线向左位移０．１５Ｖ左右．对于Ｐ型ＭＯＳ结构，Ｃ－Ｖ     

高温注入离子的扩散和激活行为的研究

本文应用二次离子质谱（ＳＩＭＳ），微分霍尔效应和透射电镜（ＴＥＭ）研究了硅中高温注入砷离子的扩散和激活行为．将１８０ＫｅＶ，１×１０１５ｃｍ－２砷离子在５００℃至１０００℃的温度范围内注入硅．研究结果表明：在５００℃至８５０℃注入时所发生的异常扩散和载流子浓度及迁移率深度分布与剩余缺陷的分布密切相关；而且随着注入温度的增高，砷的增强扩散亦增强，同时所形成的剩余缺陷减少．在注入温度高于８５０℃时，随着注入温度的增高，砷的增强扩散效应减弱．在５００℃至１０００℃的注入温度，与热扩散相比，砷的增强扩散效应显著；     

MOCVD自动控制电路的设计及其应用

本文设计了ＭＯＣＶＤ自动控制电路,该电路既能手动控制又能采用计算机进行自动控制,将该电路应用于ＭＯＣＶＤ系统,成功制备了ＴｉＯ２纳米级超细粉,在５００℃－１０００℃范围内,超细粉的平均晶粒尺寸为７．４～１５．２ｎｍ。     

低温分子束外延GaAs薄膜的研究

我们利用分子束外延方法生长了低温ＧａＡｓ薄膜，并应用Ｘ射线双晶衍射、ＴＥＭ等手段对其进行了初步研究．发现原生样品和树底之间存在晶格失配．随着退火温度的上升，晶格失配逐渐消失．ＴＥＭ观察到６００，７００，８５０℃退火后的样品中存在大量的砷沉淀物．沉淀物大致呈球形．砷沉淀物的直径随着退火温度的上升而线性地增大，而密度却随退火温度的上升指数地下降．     

基于MSP430单片机的超低功耗电子温度计的设计

给出了一种超低功耗电子温度计的设计方法,该方法用MSP430单片机作为主控制器．可通过温度传感器测量和显示被测量点的温度,并可进行扩展控制。系统的温度检测范围10～30℃,分辨率为1℃,采用LCD液晶屏显示温度,其整机静态功耗小于5μA。     

干涉法测量压电材料复压电常数e31

简要介绍了采用Ｍｉｃｈｅｌｓｏｎ干涉仪测量压电材料复压电常数ｅ３１的新方法，给出了ＰＺＴ系列ＰＸＥ５型电压陶瓷ｅ’３１，ｅ″３１与温度，频率关系的测量结果，温度的范围为－６０℃～＋９０℃，频率的范围为２．５Ｈｚ～２．５ｋＨｚ。     

DS18B20在大功率激光二极管恒温制冷系统中的应用

本文介绍了利用数字式温度传感器 ＤＳ１８Ｂ２０构造大功率激光二极管恒温制冷系统的方法．该系统利用ＤＳ１８Ｂ２０作为温度传感元件，单片机作为核心控制部件控制半导体制冷器对大功率激光二极管进行制冷和制热．该系统具有体积小、外围电路简单、温控精度高等特点，温控精度可达±０．１℃．     

MBE生长轻掺Si高迁移率GaAs材料的杂质补偿特性研究

本文报道了用ＭＢＥ生长轻掺Ｓｉ高迁移率ＧａＡｓ材料的杂质补偿特性实验研究．已得到７７Ｋ温度下迁移率为１６．２e４ｃｍ２／（Ｖ·ｓ）的ＧａＡｓ材料．样品的Ｈａｌｌ测量结果表明：在较低的杂质浓度范围（１e１３ｃｍ－３＜ｎ＜１e１５ｃｍ－３）内，在大体相同的生长温度（５９０℃左右）下，选择适当的生长速率Ｇｒ会增强对浅受主杂质的抑制作用，同时也会抑制Ｓｉ的自补偿效应，减小杂质的补偿度Ｎａ／Ｎｄ之值，从而提高ＭＢＥ外延ＧａＡｓ材料的迁移率．     

基于继电反馈PID自整定控制算法的 环境温控系统实现

航空发动机相关零组件的精密测量对环境要求十分严苛，对温度环境的掌控，更是提出了高控制精度和快速响应的要求，针对某型航空发动机零件测试测量对温度环境高精准度的需要，设计了一套对于某密闭环境的温度测控系统，利用9216 温度采集卡和9263电压输出控制板卡，应用继电反馈PID自整定算法，构建了LabVIEW RIO温度测控平台。测试结果表明，20℃至45℃之间调温控制，误差小于3％，调节时间约17ｓ左右，继电反馈自整定PID算法控制响应时间优于普通PID温度控制，实现了对密闭环境温度的有效控制，满足了对于环境温度的控制精度。     

CDMA上行链路功率控制函数对系统容量的影响

根据对ＣＤＭＡ蜂窝系统上行链路干扰模型的分析，导出了行链路功率控制函数与系统容量之间的关系式，计算机模拟结果表明，与其它几个常用的功率函数相比，由本提出了使下行链路系统容量最大的最佳功率控制函数不使上行链路系统量最大，而且还比下行时的系统容量大１．４倍左右。     

不同起始原料对BMT微波介质材料烧结及微波介电性能的影响

本工作利用ＢＥＴ，ＳＥＭ，ＴＥＭ等分析测试手段研究了不同起始原料对ＢＭＴ微波介质陶瓷烧结性能及微波介电性能的影响，发现用自制的Ｔａ２Ｏ５·ｘＨ２Ｏ为起始原料合成的ＢＭＴ粉料比用一般Ｔａ２Ｏ５为起始原料合成的ＢＭＴ烧结温度低１００℃左右，而且在同一条件下烧成的样品的体密度和微介电性能也有很大的提高，特别是高得多的Ｑ值。     

单片温度自动记录器

把实时时钟、数字温度计、非易失性存储器、控制逻辑和串行接口等功能集成在单一芯片上就构成测量温度的单片仪器──单片温度自动记录器。Ｄａｌｌａｓ公司的ＤＳ１６１５温度自动记录器就是这种器件。它把实时时钟与温度数据记录和直方图能力结合起来，为管理温度敏感的系统提供价廉和精确的方法、这种器件是设计用于在给定的时间范围内需要温度分布图的应用，其可编程的取样率对短时间或长时间需要温度监控的应用来说是理想的。这种单片温度自动记录器通过数字温度计测量温度（范围从－４０℃到＋８５℃，增量０．５℃，精度±２℃。它的…     

铍注入锑化铟快速热退火的研究

借助ＳＩＭＳ、ＡＥＳ、ＲＢＳ和ＴＥＭ对Ｂｅ注入ＩｎＳｂ的快速热退火特性进行了深入的研究．Ｂｅ注入能量为１００ｋｅＶ，注人剂量为５×１０１４ｃｍ－２．快速热退火温度范围为３００—５００℃，退火时间为３０—６０秒．结果表明，快速退火后，Ｂｅ注入分布剖面的内侧不存在再分布，但峰值浓度有不同程度的降低，表面存在Ｂｅ的外扩散．３５０℃退火，Ｂｅ注入ＩｎＳｂ的晶体损伤基本消除，ＩｎＳｂ表层不存在化学配比的偏离．退火温度超过３５０℃，ＩｎＳｂ表层发生热分解，产生Ｓｂ的耗尽，形成由Ｉｎ、Ｓｂ及其氧化物组成的复杂结构．     

CdTe光敏薄膜的制备及性能研究

本文采用高温烧结和真空蒸发制备了ＣｄＴｅ光敏薄膜，探讨了制备工艺对ＣｄＴｅ薄膜性能和结构的影响，得到在基片温度为１３０℃左右制备的ＣｄＴｅ薄膜具有明显的光敏特性，并得到ＣｄＴｅ材料的禁带宽度为１．６３ｅＶ。利用Ｘ衍射对不同基片温度下制备的ＣｄＴｅ薄膜材料进行了结构分析，发现基片温度为１３０℃左右制备的ＣｄＴｅ薄膜具有明显的衍射峰。     

Ti：Mg：LiNbO_3晶体的折射率温度系数表示式

基于在５３９．７５ｎｍ，６３２．８ｎｍ，１０７９．５ｎｍ，１３４１．４ｎｍ波长上和２８８Ｋ，３３８Ｋ，３８３Ｋ，４２３Ｋ温度条件下，对掺５ｍｏｌ％ＭｇＯ和０．２ｍｏｌ％Ｔｉ的ＬｉＮｂＯ＿３晶体的主折射率的精密测量￣［１］，根据对ＬｉＮｂＯ＿３晶体适用的修正的Ｓｅｌｌｍｅｉｅｒ’ｓ方程，以解出参数Ｃ＿ｉ表达式的方法，求出上述温度时Ｓｅｌｌ－ｍｅｉｅｒ’ｓ方程的参数Ａ＿ｉ，Ｂ＿ｉ，Ｃ＿ｉ，Ｄ＿ｉ，以最小二乘法精确地拟合上述参数对温度Ｔ的线性关系，进而推导出这种晶体的折射率温度系数的表示式。利用此表示式可以计算波长在５３９．７５ｎｍ～１３４１．４ｎｍ区间附近，温度在２８８Ｋ～４２３Ｋ范围左右Ｔｉ：Ｍｇ　：ＬｉＮｂＯ＿３晶体的折射率温度系数。为检验该折射率温度系数表示式的实用性，利用此表示式计算１０７９．５ｎｍ为基波的该晶体的二倍频非临界相位匹配温度，与实验值之差在１Ｋ以内，从而证明这个折射率温度系数表示式对于采用Ｔｉ：Ｍｇ：ＬｉＮｂ＿Ｏ，晶体设计非线性光学器件是适用的。     

竞赛试题

竞赛试题１．长飞公司采用工艺生产光纤。ａ．ＯＶＤｂ．ＶＡＤｃ．ＭＣＶＤｄ．ＰＣＶＤ２．在沉积过程中，等离子体反应温度相当于，反应充分。ａ．６Ｏ０００℃ｂ．１００００℃ｃ．２２００℃ｄ．１８００℃３．长飞公司生产的多模光纤沉积可高达层，沉积细腻。ａ．几...     

一种提高扩散氧化炉温度控制精度的方法

针对半导体制造流程中氧化、扩散、退火炉的Profile温度控制方法存在温度过冲大的问题,提出了Profile控制+前馈方式控制管内温度的新方法.将该方法应用于Thermco 9000扩散炉,使温度过冲由5℃左右减小到0.5℃以下,且恒温时间从25 min减小到20 min.