凹槽深度与槽栅PMOSFET特性

基于能量输运模型对由凹槽深度改变引起的负结深的变化对深亚微米槽栅 PMOSFET性能的影响进行了分析 ,对所得结果从器件内部物理机制上进行了讨论 ,最后与由漏源结深变化导致的负结深的改变对器件特性的影响进行了对比 .研究结果表明随着负结深 (凹槽深度 )的增大 ,槽栅器件的阈值电压升高 ,亚阈斜率退化 ,漏极驱动能力减弱 ,器件短沟道效应的抑制更为有效 ,抗热载流子性能的提高较大 ,且器件的漏极驱动能力的退化要比改变结深小 .因此 ,改变槽深加大负结深更有利于器件性能的提高 .     

凹槽深度与槽栅PMOSFET特性

基于能量输运模型对由凹槽深度改变引起的负结深的变化对深亚微米槽栅PMOSFET性能的影响进行了分析,对所得结果从器件内部物理机制上进行了讨论,最后与由漏源结深变化导致的负结深的改变对器件特性的影响进行了对比.研究结果表明随着负结深(凹槽深度)的增大,槽栅器件的阈值电压升高,亚阈斜率退化,漏极驱动能力减弱,器件短沟道效应的抑制更为有效,抗热载流子性能的提高较大,且器件的漏极驱动能力的退化要比改变结深小.因此,改变槽深加大负结深更有利于器件性能的提高.     

硼扩散引起薄SiO2栅介质的性能退化

采用表沟p+多晶硅栅/PMOSFET代替埋沟n+多晶硅栅/PMOSFET具有易于调节阈值电压、降低短沟效应和提高器件开关特性的优点,因而在深亚微米CMOS工艺中被采纳.但是多晶硅掺杂后的高温工艺过程会使硼杂质扩散到薄栅介质和沟道区内,引起阈值电压不稳定和栅介质击穿性能变差.迄今为止对硼扩散退化薄栅介质可靠性的认识并不是很明朗,为此本文考察了硼扩散对薄栅介质击穿电荷和Fowler-Nordheim (FN)电应力产生SiO2/Si界面态的影响.     

垂直双栅双应变沟道的MOSFETs特性分析

A novel device structure with a vertical double-gate and dual-strained channel is presented.The electrical characteristics of this device with a gate length of 100 nm are simulated.With a Ge content of 20%,the drain currents of the strained-Si NMOSFET and the strained-SiGe PMOSFET compared to the universal SOI MOSFETs are enhanced by 26% and 33%,respectively;the risetime and the falltime of the strained-channel CMOS are greatly decreased by 50% and 25.47% compared to their traditional Si channel counterparts.The simulation results show that the vertical double-gate（DG） dual-strained-channel MOSFETs exhibit better drive capability,a higher transconductance,and a faster circuit speed for CMOS compared to conventional-Si MOSFETs.The new structure can be achieved by today＇s semiconductor manufacturing level.     

双栅双应变沟道全耗尽SOI CMOS的瞬态特性分析

在提出双栅双应变沟道全耗尽SOl MOSFET新结构的基础上,模拟了沟道长度为25nm时基于新结构的CMOS瞬态特性.结果表明,单栅工作模式下,传统应变SiGe(或应变Si)器件的CMOS电路只能实现上升(或下降)时间的改善,而基于新结构的CMOS电路能同时实现上升和下降时间的缩短;双栅模式下,CMOS电路的上升和下降时间较单栅模式有了更进一步的改善,电路性能得以显著提高.     

双栅双应变沟道全耗尽SOI CMOS的瞬态特性分析

在提出双栅双应变沟道全耗尽SOl MOSFET新结构的基础上,模拟了沟道长度为25nm时基于新结构的CMOS瞬态特性.结果表明,单栅工作模式下,传统应变SiGe(或应变Si)器件的CMOS电路只能实现上升(或下降)时间的改善,而基于新结构的CMOS电路能同时实现上升和下降时间的缩短;双栅模式下,CMOS电路的上升和下降时间较单栅模式有了更进一步的改善,电路性能得以显著提高.     

双栅双应变沟道全耗尽SOI MOSFETs的特性分析

提出了一种全新的器件结构--双栅双应变沟道全耗尽SOI MOSFETs,模拟了沟道长度为25nm时器件的电学特性.工作在单栅模式下,应变沟道(Ge=0.3)驱动能力与体Si沟道相比,nMOS提高了43%,pMOS提高了67%;工作在双栅模式下,应变沟道(Ge=0.3)与体Si沟道相比较,驱动电流的提高nMOS为31%,pMOS为60%.仿真结果表明,双栅模式比单栅模式有更为陡直的亚阈值斜率,更高的跨导以及更强的抑制短沟道效应的能力.综合国内外相关报道,该结构可以在现今工艺条件下实现.     

双栅双应变沟道全耗尽SOI MOSFETs的特性分析

提出了一种全新的器件结构--双栅双应变沟道全耗尽SOI MOSFETs,模拟了沟道长度为25nm时器件的电学特性.工作在单栅模式下,应变沟道(Ge=0.3)驱动能力与体Si沟道相比,nMOS提高了43%,pMOS提高了67%;工作在双栅模式下,应变沟道(Ge=0.3)与体Si沟道相比较,驱动电流的提高nMOS为31%,pMOS为60%.仿真结果表明,双栅模式比单栅模式有更为陡直的亚阈值斜率,更高的跨导以及更强的抑制短沟道效应的能力.综合国内外相关报道,该结构可以在现今工艺条件下实现.     

非掺杂对称双栅的基于完整表面电势的核心模型

通过求解Poisson方程自洽地得到了表面电势随沟道电压的变化关系,从而推出了非掺杂对称双栅MOSFET的一个基于表面势的模型.通过Pao-Sah积分得到了漏电流的表达式.该模型由一组表面势方程组成,解析形式的漏电流可以通过源端和漏端的电势得到.结果标明该模型在双栅MOSFET的所有工作区域都成立,而且不需要任何简化(如应用薄层电荷近似)和辅助拟合函数.对不同工作条件和不同尺寸器件的二维数值模拟与模型的比较进一步验证了提出模型的精度.     

非掺杂对称双栅的基于完整表面电势的核心模型

通过求解Poisson方程自洽地得到了表面电势随沟道电压的变化关系,从而推出了非掺杂对称双栅MOSFET的一个基于表面势的模型. 通过Pao-Sah积分得到了漏电流的表达式. 该模型由一组表面势方程组成,解析形式的漏电流可以通过源端和漏端的电势得到. 结果标明该模型在双栅MOSFET的所有工作区域都成立,而且不需要任何简化(如应用薄层电荷近似)和辅助拟合函数. 对不同工作条件和不同尺寸器件的二维数值模拟与模型的比较进一步验证了提出模型的精度.     

基于隐马尔可夫模型的网络状态分析方法

针对数据过滤问题提出了一种网络状态分析方法,该方法从恶意数据流中提取二维特征,经过数值加权把这二维特征整合为观测数据,建立了一个对恶意数据流敏感的隐马尔可夫模型,最后以各种网络数据集为例对其应用情况进行了分析。     

一种基于移动Agent的穿越防火墙模型

基于UDP的穿越模型可有效地穿越防火墙和NAT（Network Address Translation）服务器，但是在该穿越模型中仍存在一些缺点．文中分析了基于UDP的穿越模型并提出了一种基于移动Agent的穿越防火墙模型。文中提出的算法模型可有效的分散网络负载，具有灵活性更强、稳定性更高和安全性更高的优点．     

应变SiGe沟道PMOSFET阈值电压模型

首先建立了应变SiGe沟道PMOSFET的一维阈值电压模型,在此基础上,通过考虑沟道横向电场的影响,将其扩展到适用于短沟道的准二维阈值电压模型,与二维数值模拟结果呈现出好的符合。利用此模型,模拟分析了各结构参数对器件阈值电压的影响,并简要讨论了无Sicap层器件的阈值电压。     

A Simplified Microwave Model of the GaAs Dual-Gate MESFET

A simplified wide-band model of the GaAs dual-gate MESFET based upon the familiar cascode representation is presented, which is valid over the frequency range of 2-11 GHz. The equivalent circuit contains 14 elements and the parameter values are directly determined from 3-port S-parameters over the frequency range of 4-6 GHz, and dc data. Separate microwave measurements of each FET part are not required, thus greatly reducing the number of measurements required to fully characterize the device. The method has been used to model a GaAs dual-gate MESFET in which both FET parts were in the saturation region, and good agreement has been obtained between measured and calculated results without the need for computer optimization.     

基于Matlab的侵彻数据处理方法研究

主要研究弹丸侵彻中的加减速度数据的处理方法,运用Simulink等一系列Matalb仿真软件,对数据进行仿真处理,并且构建数据处理流程图,最终确保能够清晰的确定侵彻数据信息中包含的空穴信息,完成计层/计空穴任务。     

基于时间-空间相关特性分析功能MRI数据的方法

如何从低信噪比的序列图像中准确、可靠地检测功能激发信号成为功能磁共振(fMRI)数据分析的关键问题。当受检者接受同样的刺激或执行同样的任务时，激发体素具有相似的血流动力学响应时间过程，且激发体素常以空间聚类的形式出现。本文给出一种联合体素的时间自相关特性及空间相关特性分析fMRI数据的方法。该方法计算每个体素时间过程的最大时间自相关系数以及与其邻域体素时间过程的最大空间相关系数，利用主成分分析法得到一个时间—空间联合相关测度，并通过检验该测度的统计显著性检测功能激发信号。仿真实验及实际的。fMRI数据分析结果表明了提出的方法具有较高的准确性及可靠性。     

基于斜向探测的短波广播覆盖区分析方法

提出了基于斜向探测数据进行短波广播覆盖区分析的一种实用方法。该方法以斜向探测的MUF及其时延数据为基础,利用基于射线理论的反演方法和等比加权的重构方法进行电离层参数分析,最后利用短波传播预测方法实现了短波广播链路的场强预测和覆盖区分析。通过仿真实例验证了方法的可行性,这对短波广播系统的规划设计、性能分析有重要参考意义。     

基于云模型的SaaS决策方法

用户评分的模糊性、随机性表现出服务质量（QoS ）的不确定性是软件即服务（SaaS ）最优服务选择研究的难题之一。提出一种基于云模型的SaaS服务决策方法（SDM－CM ）以解决上述难题。该方法首先使用逆向QoS云发生器将评分描述的QoS指标转换为云模型描述的QoS指标;接着借鉴多属性决策分析中常用、有效的多属性决策算法-优劣解距离法（TOPSIS ）,提出基于云模型的SaaS最优服务决策算法。最后,在真实的服务质量数据基础上,验证了该方法的优越性和有效性。     

Large-Signal Equivalent-Circuit Model of a GaAs Dual-Gate MESFET Mixer (Short Papers)

A large-signal equivalent-circuit model of a GaAs MESFET mixer containing twelve elements, of which eight are voltage-dependent, is solved in the time domain for Iocal oscillator and frequencies of 9.5 GHz and 10.0 GHz, respectively. The results variation of conversion gain with local oscillator and signal power and are in good agreement with measured values. The model is formulated in such a way that material/device/circuit interactions can be yielding information on the preferred device structures and biasing conditions.