深亚微米集成电路的快速时域仿真技术

随着深亚微米集成电路技术的发展，集成电路的规模越来越大，工作频率越来越高，并正朝着系统集成的方向发展，因而在模拟速度，模拟精度和可模拟的电路规模等各个方面对电路仿真技术提出了新的要求。近年来，各种新的电路仿真方法和仿真系统用相继脱颖百出，并将取代那些传统的，已经无法适应深亚微米技术发展的电路仿真器。     

模拟电路的振荡测试技术

集成电路设计和制造技术的发展给电路测试带来了巨大的挑战,其中模拟电路的测试是电路测试的难点.目前在这一领域有许多致力于降低测试难度,节约测试成本的研究.介绍了一种称为"振荡测试"的模拟电路测试技术,从振荡电路的构造、测试响应的测量和分析等方面综述了振荡测试技术的研究现状,同时总结了振荡测试技术的优点,分析了当前存在的局限性,并对将来的发展进行了展望.     

低压低功耗模拟集成电路设计技术及展望

低压、低功耗模拟集成电路设计受到多种因素的制约。围绕这些制约因素,回顾了国内外在模拟集成电路低压、低功耗设计领域的方法和技术的发展现状,主要涉及:轨对轨设计技术、亚阈值工作区技术、阈值电压降低技术、组合晶体管技术、横向BJT技术、SOI技术等。分析并比较了各种设计方法的优劣;并对模拟电路低压低功耗设计技术的发展趋势进行了展望。     

NBTI效应及其对集成电路设计的影响

可靠性设计是现代集成电路设计需要考虑的一个重要问题.对影响电路可靠性的一个最主要效应——P-MOSFET的NBTI效应进行了系统的介绍.给出了不同电压、温度下器件性能随时间变化趋势的最新研究成果.最后介绍了SPICE考虑器件器件退化的电路模拟流程.在器件尺寸日益缩小的今天,这些将成为集成电路设计关注的焦点.     

高压功率集成电路的混合模拟

提出了高压功率器件统一网络模型 ,并在 SPICE3和 PISCES2 B的基础上 ,利用两级牛顿迭代法 ,开发了高压功率集成电路的电路——器件混合模拟软件 .利用该软件对一个高压 LD-MOS开关电路进行了混合模拟 .通过该种模式的模拟 ,能直接分析器件参数对电路性能的影响 ,为高压功率集成电路的设计提供了方便 .     

高压功率集成电路的混合模拟

提出了高压功率器件统一网络模型,并在SPICE3和PISCES2B的基础上,利用两级牛顿迭代法,开发了高压功率集成电路的电路——器件混合模拟软件.利用该软件对一个高压LDMOS开关电路进行了混合模拟.通过该种模式的模拟,能直接分析器件参数对电路性能的影响,为高压功率集成电路的设计提供了方便.     

集成电路技术发展动态

近年来，许多文献对微电子技术或集成电路的发展动态进行了报道，对集成电路的市场需求、技术要求及应用前景进行了论述。主要侧重于技术层面，对硅集成电路技术（包括数字集成电路和模拟集成电路）涉及到的材料、器件、工艺、电路等的发展动态进行综述。     

模拟专用集成电路的封装技术

本文介绍了在模拟专用集成电路封装设计中的封装可靠性、技术可行性及其电性能和热性能等,概述了ASIC的主要封装形式:无引线陶瓷芯片载体、阵列式封装、多层封装和大腔体封装以及采用的主要封装技术。最后,简要介绍了我所模拟专用集成电路封装方面的工作。     

基于gm/Id参数的CMOS运算放大器设计重用方法

模拟电路的设计重用是提高模拟与混合信号集成电路设计效率的重要途径.本文提出了一种基于g_m/I_d参数的不同工艺之间同一结构电路的设计移植方法.方法的基本思想是保持移植前后电路中部分关键MOS管的g_m/I_d参数,从而使移植后电路的性能也基本保持不变.介绍了基于BSIM等模型的g_m/I_d匹配及移植电路参数确定方法.给出了一个Miller补偿两级运放及一个折叠共源共栅运放从0.35μm工艺到0.18μm、0.13μm、90nm工艺的移植仿真结果.与现有方法相比,本文方法可以更小的计算代价,得到性能基本相同、但功耗与面积缩减的电路.     

双极模拟集成电路抗辐射加固技术跟踪

介绍了国外硅双极模拟集成电路抗辐射加固技术的发展动态和γ射线、中子、高能重离子对双极模拟集成电路的辐射效应及其电路结构器件结构、工艺控制等关键加固技术。以极模拟集成电路的辐射损伤阈值。