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随着深亚微米集成电路技术的发展,集成电路的规模越来越大,工作频率越来越高,并正朝着系统集成的方向发展,因而在模拟速度,模拟精度和可模拟的电路规模等各个方面对电路仿真技术提出了新的要求。近年来,各种新的电路仿真方法和仿真系统用相继脱颖百出,并将取代那些传统的,已经无法适应深亚微米技术发展的电路仿真器。 相似文献
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近年来,许多文献对微电子技术或集成电路的发展动态进行了报道,对集成电路的市场需求、技术要求及应用前景进行了论述。主要侧重于技术层面,对硅集成电路技术(包括数字集成电路和模拟集成电路)涉及到的材料、器件、工艺、电路等的发展动态进行综述。 相似文献
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本文介绍了在模拟专用集成电路封装设计中的封装可靠性、技术可行性及其电性能和热性能等,概述了ASIC的主要封装形式:无引线陶瓷芯片载体、阵列式封装、多层封装和大腔体封装以及采用的主要封装技术。最后,简要介绍了我所模拟专用集成电路封装方面的工作。 相似文献
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模拟电路的设计重用是提高模拟与混合信号集成电路设计效率的重要途径.本文提出了一种基于gm/Id参数的不同工艺之间同一结构电路的设计移植方法.方法的基本思想是保持移植前后电路中部分关键MOS管的gm/Id参数,从而使移植后电路的性能也基本保持不变.介绍了基于BSIM等模型的gm/Id匹配及移植电路参数确定方法.给出了一个Miller补偿两级运放及一个折叠共源共栅运放从0.35μm工艺到0.18μm、0.13μm、90nm工艺的移植仿真结果.与现有方法相比,本文方法可以更小的计算代价,得到性能基本相同、但功耗与面积缩减的电路. 相似文献
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介绍了国外硅双极模拟集成电路抗辐射加固技术的发展动态和γ射线、中子、高能重离子对双极模拟集成电路的辐射效应及其电路结构器件结构、工艺控制等关键加固技术。以极模拟集成电路的辐射损伤阈值。 相似文献