一种新的高性能开关电流排序电路

本文首次提出了一种高性能的开关电流型排序电路．它采用开关电流镜跟踪／保持输入信号，通过全对称的ＷＴＡ（Ｗｉｎｎｅｒ－Ｔａｋｅ－Ａｌ）电路网络求最大，最后分时输出排序结果．该电路结构简单、灵活，规模易扩展．ＰＳＰＩＣＥ模拟结果表明，该电路的输出电流相对于输入电流的偏差小，最大偏差为５μＡ；排序电路有较高的分辨精度，在５μＡ以内．由于采用开关电流技术，该电路完全同数字ＣＭＯＳ工艺相兼容，易于ＶＬＳＩ实现     

一种全对称高分辨精度的多端电流型MAX门和MIN门电路

采用Ｐ阱ＣＭＯＳ工艺制作了一种全对称、电流型的多端ＭＡＸ门和ＭＩＮ门电路．实验结果表明，ＭＡＸ门的输出相对最大输入电流的偏差较小，最大偏差为５μＡ；ＭＩＮ门的输出相对最小输入电流的偏差略大于ＭＡＸ门，最大偏差约为１３μＡ．但ＭＡＸ门和ＭＩＮ门都有较高的分辨精度，都在５μＡ以内．因此，这种多端的电流型ＭＡＸ（ＭＩＮ）门电路特别适合于在模糊逻辑系统中应用．提出并制作了一种结构简单、效果很好的非线性Ｉ－Ｖ转换电路，可用于将以电流值方式表示的最大输出信号转变为以数字电平表示．     

一种新的多功能电压型排序电路

提出并成功制作了一种多功能电压型排序电路，它采用开关电容技术来跟踪／保持输入信号，通过全对称的求大网络了大，最后分时输出排序结果，该排序电路不仅可以确定电压输入端的顺序，而且可以将输入电压值按大小的顺序依次输出，这将十分有利于排序结果的后处理，我们采用单层金属，单层多晶的２μｍ－Ｎ阱标准数字ＣＭＯＳ工艺成功制作了该排序电路，实验结果表明，该电路性能较好，有应用前景。     

一种改进的电流型排序电路

本文提出了一种改进的电流型排序电路．该电路排序功能好,电路的结构简单、灵活．我们采用２μｍＮ阱标准数字ＣＭＯＳ工艺成功制作了该排序电路．实验结果表明,该电路具有较高的精度和分辨率,可以广泛地应用于多种领域,具有较高的实用价值     

一种用于模式识别的新型开关电流Hamming神经网络

本文首次提出了一种用于模式识别的新型开关电流Ｈａｍｍｉｎｇ神经网络，它采用电流镜计算待识模式与标准模式的匹配度，然后，通过开关电流型排序电路进行匹配度的比较并输出识别结果，该Ｈａｍｍｉｎｇ神经网络可以按匹配度大小的顺序依次输出匹配度以及相应的标准模式，这将十分有利于改善系统的性能同时，该Ｈａｍｍｉｎｇ网络还可以进行绝对拒识和相对拒识的判断，这大大地提高了系统的可靠性，通过ＰＳＰＩＣＥ模拟，结果表明     

一种高效率可编程力矩电机电流源设计

本文介绍一种基于ＭＡＸ７８７的可编程脉宽调制型电流源电路，该电路与通常的线性电流源电路相比，有数字化１２位程控接口，采用脉宽调制控制模式，大大提高了电原效率；高精度电流反馈设计增强了输出电流的稳定性。电路在８－４０Ｖ电压输入时，能够在０－５Ａ范围内输出稳定的可调电流，无需外接功率管进行电流扩展。     

一种单片12位逐次逼近型A／D转换器研究

本文介绍了一种单片１２位逐次逼近型Ａ／Ｄ转换器。它能在小于６μｓ的转换时间内净０－１０Ｖ或－５－５Ｖ输入的范围的模拟电压转换成相对应的１２位数字输出在码。电路采用ｐ－ｎ结隔离标准３μｍ双极工艺制作，在－４５－＋８５℃温度范围，电路的线性误差和微分线性误差皆小于０．０１２％ＦＳＲ。     

一种CMOS电流型运算放大器

本文描述一种全差动输入、差动输出的电流型运算放大器（ＣＯＡ）。该放大器采用三个第二代电流转换器（ＣＣＩＩ）作为基本单元部件。在全对称电流型反馈放大器中能提供恒定的增益－带宽乘积或者在互阻抗反馈放大器中提供恒定带宽。该放大器的增益－带宽乘积为３ＭＨｚ，失调电流为０．８μＡ（信号范围±７００μＡ），理论上转换速率极大。此放大器采用２．４μｍ标准ＣＭＯＳ工艺实现。     

低噪声掺Pr^3＋氟化物光纤放大器

研制了用Ｎｄ－ＹＬＦ激光器泵浦的掺Ｐｒ＾３＋氟化物光纤放大器（ＰＤＦＡ）组件，其最大信号增益和噪声指数分别是２０ｄＢ和５ｄＢ。在输入信号功率１１．０ｄＢｍ时，得到１９．２ｄＢｍ的输出功率，试验结果证明：该ＰＤＦＡ组件用于副载波复用多信道ＡＭ－ＶＳＢ视频信号传输时，具有低噪声特性。     

一种结构简单的低压CMOS四象限模拟乘法器

提出了一种结构简单、采用有源衰减器的低压ＣＭＯＳ四象限模拟乘法器。详细分析了电路的结构和设计原理,给出了电路的ＰＳＰＩＣＥ模拟结果。模拟结果表明,当电源电压为±１．５Ｖ时,功耗小于８０μＷ,线性输入电压范围约为±０．５Ｖ;当输入电压范围限于±０．３Ｖ时,非线性误差小于１．３％;－３ｄＢ带宽约为３．２ＭＨｚ。该乘法器电路可应用于低压模拟信号处理电路中。     

开/关控制低压降稳压器

ＭＣ３３３７５系列是做功率低压降稳压器,备有不同的输出电压和封装形式,如ＳＯＴ－２２３、ＳＯＰ－８表面贴装封装。这些器件具有非常低的静态电流（ＯＦＦ模式时为０．３μＡ,ＯＮ模式时为１２５μＡ）和低的输入输出电压差（１０ｍＡＩｏ时为２５ｍＶ,３００ｍＡＩｏ时为２６０ｍＶ）。内部保护特性包括电流和热限制。ＭＣ３３３７５有－ＯＮ／ＯＦＦ控制引脚,利用一逻辑电平信号可接通或关闭稳压器输出。其简化框图示于图１。ＭＣ３３３７５的典型应用电路示于图２。为稳定２．５Ｖ、３．０Ｖ、３．３Ｖ的输出电压,只需在稳压器…     

大功率无衬底N—GaAlAs／P—GaAs：Si单异质结红外发光二极管

报道了一种大功率无衬底Ｎ－ＧａＡｌＡｓ／Ｐ－ＧａＡｓ：Ｓｉ单异质结红光二极管的制造工艺和主要光电特性。该器在５０ｍＡ工作电流下，输出功率典型值７．５ｍＷ，最大功率１１ｍＷ。     

大功率无衬底N－GaAlAs／P－GaAs：Si单异质结红外发光二极管

报道了一种大功率无衬底Ｎ－ＧａＡｌＡｓ／Ｐ－ＧａＡｓ：Ｓｉ单异质结红外发光二极管的制造工艺和主要光电特性。该器件在５０ｍＡ工作电流下，输出功率典型值７．５ｍＷ，最大功率１１ｍＷ。     

电流补偿型CMOS四象限模拟乘法器

本文提出一种电流补偿型四象限模拟乘法器，该电路有两部分组成，第一部分是产生与输入电压Ｖｘ平方成正比的电流发生器。第二部分是迭式Ｇｉｌｂｅｒｔ单元。ＳＰＩＣＥ模拟结果表明在±５Ｖ电源下，两路输入信号在±３Ｖ范围内，其输出非线性小于０．９％。     

硅新型摄像器集锦(续)

（6）电流模式有源摄像器这种有源摄像器，用电流模式（而不是电压模式）来处理信号，并且有开关电流电路（SI），模拟取样数据处理，抑制FPN电路和ADC（模拟数据变换器）。抑制FPN电路，主要采用了所谓的“拷贝器”。抑制FPN电路的输出电流是两个电流“拷贝器”的电流之差，这就把固定模式噪声（FPN）对消了。ADC是采用特殊的二级增量ADC，也可写成△－εADC。这种△－εADC具有极高的性能，噪声很低，而且积分时间仅1．92μs，变换时间177μS，分辨率达到12bit。（7）双极性摄像器双极性摄像器的最大特征是它的像素具有双极性…     

短沟道CMOS／SIMOX器件与电路的制造

本文简要介绍短沟道ＣＭＯＳ／ＳＩＭＯＸ器件与电路的研制。在自制的ＳＩＭＯＸ材料上成功地制出了沟道长度为１．０μｍ的高性能全耗尽ＳＩＭＯＸ器件和１９级ＣＭＯＳ环形振荡器。Ｎ管和Ｐ管的泄漏电流均小于１×１０－１２Ａ／μｍ，在电源电压为５Ｖ时环振电路的门延迟时间为２８０ｐｓ。     

一种12位开关电流型Σ-△调制器

开关电流电路（ＳＩ）是近年兴起的一种模拟电路。文中引用了新型的两步采样开关电流技术（Ｓ＾２Ｉ）,对该电路中减小时钟馈漏效应的几种方法进行了分析。利用差分平衡结构的Ｓ＾２Ｉ存储单元设计了平衡Ｓ＾２Ｉ积分器,并在此基础上设计出一种平衡差分结构的二阶∑－△调制器。该调制器能够完全与标准ＣＭＯＳ数字工艺兼容。利用标准１．２μｍ数字ＣＯＭＳ工艺的ＨＳＰＩＣＥ模型参数进行了分析,该电路信噪比达到７３．３ｄＢ,     

一种新的可编程、可扩展的Hamming神经网络

提出了一种新的可编程、可扩展Ｈａｍｍｉｎｇ神经网络．它采用电流镜计算待识模式与标准模式的匹配度．然后,通过电流型排序电路进行匹配度的排序操作并输出识别结果．该Ｈａｍ－ｍｉｎｇ神经网络中的标准模式模板是可编程的,以满足不同场合的应用要求．另外,该网络芯片在规模上可以很容易地进行扩展,这较大地提高了该处理芯片应用的灵活性．由于网络电路中模拟部分完全采用电流型电路,使其可完全直接采用标准数字ＣＭＯＳ工艺进行制作,并易于模／数混合集成．已经采用单层金属、单层多晶的２μｍＮ阱标准数字ＣＭＯＳ工艺成功地制作了该Ｈａｍ     

CS7107GP 3 1/2位A/D转换电路

ＣＳ710 7ＧＰ是一块 3位半数字Ａ Ｄ转换器集成电路 ,主要用于袖珍式数字电压表、万用表、温度计、数字压力计、数字式水平仪等各种体积小、重量轻、便携式数字仪表。该电路版图采用 3μｍ双多晶单铝高压Ｓｉ栅Ｐ 阱ＣＭＯＳ工艺设计规则设计 ,芯片面积 (2 985× 2 70 0 )ｍｍ2 ,集成度 160 0Ｔｒ 芯片。该电路主要性能指标 :·电源电压 9Ｖ　　　　　　　　　　·电源电流 0 8ｍＡ (典型值 ,不含ＬＥＤ驱动电流 )·段输出漏电流 8 0ｍＡ (典型值 )　　　·内含自动调零电路·低噪声ＬＥＤ输出　　　·高输入阻抗、差分输入采样·ＤＩＰ…     

1.52μm红外光电探测器

利用ＰｔＳｉ与Ｐ－Ｓｉ接触，研制成功肖特基势垒红对光电探测器（简称ＰｔＳｉ／Ｐ－ＳｉＩＲ－ＳＢＤ）。在液氮温度（７７Ｋ）下，对１．５２μｍ红外光，它的灵敏度为２．６９×１０－２Ａ／Ｗ，量子效率为２．４％，反偏４Ｖ时的漏电流为５×１０－５μＡ。此外，对ＰｔＳｉ／Ｐ－ＳｉＩＲ－ＳＢＤ的量子效率进行了计算机模拟计算。