氧化铈对堇青石基微晶玻璃介电性能的影响

采用X-射线衍射(XRD)、扫描电镜(SEM)等手段研究了CeO2在堇青石基玻璃烧结中的作用及其添加量对微晶玻璃的烧结和性能的影响。结果表明,CeO2的加入可有效促进微晶玻璃的烧结致密化;随着CeO2加入量的增加,烧结样品的介电常数呈现先增加后降低的趋势,且与密度变化曲线相似;当CeO2添加量达4%(质量分数)时样品的介质损耗因子最低(≈0.2%)。     

铁电性微晶玻璃介电性能的研究

主要对PbO-SrO-BaO-Nb2O5系、SrO-BaO-Nb2O5系铁电性微晶玻璃的介电性能进行了研究。利用X射线衍射图谱确证在一定的热处理温度下,上述两种组成均能析出四方晶系钨青铜结构的晶体。采用LCRMETER4225型仪器测量其电性能,测得的介电性能在测试温度范围内具有弥散性相变的特性,这与四方晶系的晶体结构是相符的。     

钙钛矿型铁电性微晶玻璃介电性能的研究

主要对BaTiO3、BaTiO3-PbTiO3系铁电性微晶玻璃的介电性能进行了研究。研制的微晶玻璃是由70%形成铁电主晶相BaTiO3的氧化物(BaO-TiO2 和PbO-BaO-TiO2)和30%形成玻璃相的氧化物(SiO2-Al2O3-CaO)组成。两种试料经热处理制成BaO-TiO2,PbO-BaO-TiO2系微晶玻璃,对其介电常数和损耗进行了比较,其介电性能与BaTiO3的晶体结构有关。     

微晶玻璃基吸波涂层材料的介电性能研究

吸波涂层大部分是以有机材料为载体,在其中添加导体(如W,Mo)或半导体材料(如SiC,TiC,TiO2),然而,有机载体的高温耐受温度不超过200℃,高温热稳定性很差。一般无机材料的高温耐受性较好,其中研究较多的几种材料包括TiC、TiO2以及通过不同手段制备的SiC等。为了提高吸波涂层的耐热性能,文中实验采用Mg-Al-Si系微晶玻璃作为基体材料,通过向微晶玻璃中加入不同吸波介质材料,包括含量相同的TiC、TiO2以及干法制备的SiC和通过湿法制备的SiC;对比了相同含量,不同吸波材料的介电性能;探究了作为吸波涂层材料吸波能力较强的介质材料。结果表明:TiC在X波段和Ku波段的吸波能力都较为突出,并且比不同制备方式的SiC的吸波能力强。通过显微结构的表征发现,在微晶玻璃中的TiC材料分布均匀,颗粒细小,有利于材料吸波。经过测试,试验制得的样品可在800℃的空气中反复使用,介电性能无明显变化,具有较好的的高温热稳定性和抗氧化性。     

一种新型低温共烧堇青石基微晶玻璃

采用传统的玻璃熔融工艺制备MgO-A12O3-SiO2-Bi2O3（MASB）玻璃粉末，研究了其烧结特性和析晶过程。结果表明，该玻璃粉末可在低于900℃烧结。在烧结中玻璃首先析出μ-堇青石，然后转变为α-堇青石，氧化铋没有参与晶相的形成。该微晶玻璃具有低介电常数（5．23），低介电损耗（约0．2％）和低温烧结特性，可用于超高频片式电感领域。     

印制电路板用铝硼硅酸盐玻璃结构与介电性能

通过在CaO-Al2O3-B2O3-SiO2玻璃系统中,用氧化硼逐渐替代氧化钙,研究了玻璃介电性能的变化,采用红外光谱和差示扫描量热仪分析了玻璃结构的变化。结果表明:随氧化硼含量增大,玻璃转变温度tg先降低后升高,样品的密度值从2.678降低至2.363g/cm3;室温下,1MHz时εr从6.66降低至5.38,而tanδ从1.71×10–3降低至1.25×10–3。     

CBS掺杂对钛酸钡陶瓷介电性能的影响

研究了钙硼硅(CBS)微晶玻璃掺杂BaTiO3(BT)-Nb2O5-ZnO系统的微结构和介电性能,并用掺杂后晶粒壳与晶粒芯体积分数的变化规律分析了其改性机理。对比SEM照片得出,不同含量CBS掺杂BT的室温εr与掺杂后BT陶瓷的晶粒生长情况以及玻璃相的多少和分布密切相关。经优化配方和工艺后,在空气中于1150℃烧成的BaTiO3陶瓷材料的主要性能指标达到:εr25℃>1350,tgδ≤1.0×10-2,ρ≥1011?·cm,最大电容量变化率不超过±10%(-55～+150℃),适于制备中温烧结X8R多层陶瓷电容器。     

硬盘微晶玻璃基板的纳米金刚石抛光

应用经良好分散的纳米金刚石对硬盘微晶玻璃基板进行抛光,获得了亚纳米级表面(0.618nm)。分析了纳米金刚石抛光的行为,展望了纳米金刚石在超精密抛光领域的应用。     

BBS玻璃掺杂对CLST陶瓷介电性能的影响

采用传统陶瓷工艺制备了BaO-B2O3-SiO2(BBS)玻璃掺杂的CaO-Li2O-Sm2O3-TiO2(CLST)介质陶瓷,用X-射线衍射仪,扫描电镜及电感-电容-电阻测试仪等对其烧结特性、相结构及介电性能进行了系统研究.结果表明,BBS掺杂能显著降低CLST陶瓷的烧结温度,由1 300℃降至1 100℃.BBS掺杂量为7%(质量比),烧结温度为1 100℃时,CLST陶瓷具有较好的综合介电性能:介电常数εr=62,介电损耗tan δ=0.007,频率温度系数τf=0.82×10-6/℃.     

BaO—TiO2—Sm2O3系陶瓷结构与介电性能研究

研究了BaO-TiO2-Sm2O3(BTS）系材料的结构和介电性能。实验结果证明：在富TiO2区的BTS系中,随着BaO/Sm2O摩尔比的增加,材料的介电常数ε和介电常数的温度系数αε发生变化,XRD分析证明这是因为材料的主晶相发生变化所致。当BaO/Sm2O3＝1．33时,可获得具有超低损耗的热稳定微波陶瓷材料,其主晶相为BaSm2Ti4O12。     

微波陶瓷介电性能自动测试系统设计

开路型微波陶瓷材料介电性能自动测试系统的设计包括系统的测试原理、系统硬件和软件组成。利用操作界面友好的自动测试程序,可在程序面板上控制网络分析仪,实现测试数据的实时采集、分析计算与显示存储,从而提高测试效率与精度。实测表明,利用该系统能对高介电常数、低损耗的微波陶瓷材料复介电常数进行快速、准确、无损的自动测试。     

MgO-TiO_2-CaO系统介电性能的研究

首先研究了不同组成的MgO-TiO2-CaO(MTC)系统的介电性能。偏钛酸镁(MgTiO3)具有正温度系数。钛酸钙具有较大的负温度系数,用它来调整钛酸镁系统的温度系数以使其趋近于零。同时向系统中加入玻璃,玻璃在烧结中形成液相,加速MTC系统的烧结并改善其介电性能。获得了一种性能良好的零温度系数陶瓷材料。     

Au/Si基片上沉积Bi_(1.5)Zn_(1.0)Nb_(1.5)O_7薄膜介电性能的研究

采用磁控溅射法在Au/Si基片上制备了铌酸锌铋BZN(Bi1.5Zn1.0Nb1.5O7)薄膜。在基片温度200℃、本底真空1×10-3Pa条件下,BZN靶溅射0.5h,作为自缓冲层;然后在400℃下溅射1.5h,薄膜总厚度为200nm,650℃原位真空退火1h。XRD分析显示该薄膜为〈222〉单一取向,结晶良好;AFM扫描显示表面平整;测试表明不同频率下薄膜的性能没有大的改变。实验证明,选用电阻率较小的Au电极材料有利于器件性能的提高,实验得到介电常数可调率约20%、损耗为0.002~0.004。     

Bao—Tio2—Sio2玻璃陶瓷的介电压电和热电性

用在温度梯度场中析晶的方法制备了BaO—TiO_2—SiO_2系统的极性玻璃陶瓷。研究了它们的介电常数,热电系数,厚度伸缩振动机电耦合系数及其温度依赖性。研究表明,这些陶瓷可望成为一类重要的压电和热电材料。     

低温烧结0.5CaTiO3-0.5CaTiSiO5高频介质陶瓷

对添加2ZnO-B2O3玻璃实现0.5CaTiO3-0.5CaTiSiO5 高频介质材料900℃下低温烧结进行了系统研究。实验结果表明:添加质量分数为5%~10% 2ZnO-B2O3玻璃可使体积密度达到0.5CaTiO3-0.5CaTiSiO5理论密度的97%以上,且介电性能优异,r = 58~76,tg? 3.3?04,= (329~472)?06/℃,? 1012 cm。利用XRD、SEM和介电测量技术分析材料的晶相组成、显微结构和介电特性发现:材料由三种晶相组成,分别是单斜型CaTiSiO5、正交型CaTiO3以及一个新相,新相的生成可能是在液相烧结后期2ZnO-B2O3 玻璃在晶界处结晶而形成,低温烧结0.5CaTiO3-0.5CaTiSiO5 介质材料的介电性能很好地遵循李氏对数混合法则。     

微波介质陶瓷材料介电性能间的制约关系

微波介质陶瓷材料的三个主要参数相对介电常数εr、品质因数Q和谐振频率温度系数之间存在一定的关系。采用一维双原子线性振动模型,分析了微波介质陶瓷材料的εr、Q影响因素和它们之间的相互制约关系;采用Clausius-Mosotti方程,分析了谐振频率温度系数的影响因素以及它和εr之间的相互制约关系。讨论了提高高介微波介质陶瓷材料性能的途径,发现采用同电价质量较轻的离子取代,在基本不影响介电常数的情况下具有提高材料的Q·f值的可能性。     

Sol-Gel法制备CBS微晶玻璃材料的研究

以正硅酸乙酯、硝酸钙、硼酸为原料,用溶胶-凝胶(Sol-Gel)法制备了CaO-B2O3-SiO2微晶玻璃材料,研究了水硅比对凝胶时间的影响。利用热重-差热(TG-DSC),X-射线衍射(XRD)及扫描电子显微镜(SEM)测试手段表征材料的烧结性能、微观结构。测试表明,该材料具有良好的介电性能(介电常数rε=5.112,介电损耗tanδ=1.0×10-3,1 MHz),微观结构由大量的CaSiO3(硅灰石),CaB2O4,SiO2微晶和玻璃相组成,晶相被玻璃相包裹着,外加少量的气孔,晶粒大小为100~200 nm,该材料适用于高频电子元器件等领域。     

液晶聚合物薄膜的介电性能

研究了两种液晶聚合物薄膜的介电性能。结果表明,液晶聚合物的介电常数随频率的增加而缓慢变小,高温下的介电常数较大。介电损耗在一定的温度范围内（室温至３５０℃）出现峰值,峰值位置随频率的增加向高温方向移动。