SiC肖特基势垒二极管

本文简要地介绍了半导体ＳｉＣ材料的特性，并与Ｓｉ、ＧａＡｓ，ＧａＰ等材料作了比较，同时介绍了ＳｉＣ９肖特基势垒及ＳｉＣ肖特基势垒二极管的伏－安特性。     

用于红外探测的铱硅化物的X射线光电子能谱

用Ｘ射线光电子能谱方法测量了铱硅化物的芯能级谱。得到了与化学键有关的化学多和芯能级对称性变化方面的信息，提出了在ＩｒＳｉ／Ｓｉ肖特基势垒形成机理与界面外ＩｒＳｉ和Ｓｉ原子的化学键密切相关本文结果有益于解用铱硅化物肖特基势垒制备红外探测器。     

PtSi／Si整流接触的研究

本文对是ＰｔＳｉ／Ｓｉ整流特性的接触进行了详细研究，并试制成功ＰｔＳｉ／ｐ－Ｓｉ和ＰｔＳｉ／ｎ－Ｓｉ两种用途不同的肖特基势垒二极管。     

Pt／Si界面反应与肖特基势垒形成的研究

利用俄歇电子能谱，二次离子质谱，深能级瞬态谱（ＤＬＴＳ）和Ｃ－Ｖ法等测量方法，详细研究了Ｐｔ／Ｓｉ和Ｐｔ硅化物／Ｓｉ界面的反应性质，原子结构及杂质／缺陷的分布，讨论了它们对肖特基势垒的形成，势垒特发生和势垒高度的影响。     

硅化物形成条的条件对Pt硅化物／硅势垒的影响

利用俄歇电子能谱，深能化瞬态谱，及Ｉ－Ｖ和Ｃ－Ｖ两种电学测量方法对ＰｔＳｉ－Ｎ－Ｓｉ和ＰｔＳｉ／Ｐ－Ｓｉ两种肖特基势垒的形成条件与势垒度之间的关系进行了详细研究。从理论上分析了在退火过程中引入的影响肖特基势垒特性的各种因素，同时指出了获得理想肖特基势垒的退火条件。     

PtSi／n—Si肖特基势垒二极管的研制

本文利用ＰｔＳｉ／ｎ－Ｓｉ接触试制成一种新的肖特基势垒二极管，其反向击穿电压一般在１５Ｖ以上，最高达到３５Ｖ。测试了它的Ｉ－Ｖ特性，并与理论计算结果进行了比较和分析。     

硅化物／变形Si_（1－x）Ge_x肖特基势垒红外检波器

硅化物／变形Ｓｉ＿（１－ｘ）Ｇｅ＿ｘ肖特基势垒红外检波器＝Ｓｉｌｉｃｉｄｅ／ｓｔｒａｉｎｅｄＳｉ＿（１－ｘ）Ｇｅ＿ｘｓｃｈｏｔｔｋｙ－ｂａｒｒｉｅｒｉｎｆｒａｒｅｄｄｅｔｅｃｔｏｒｓ［刊，英］／Ｘｉａｏ，Ｘ，…／／ＩＥＥＥＥｌｅｃ－ｔｒｏｎＤｅｖｉｃ...     

铂－镍硅化物／硅接触肖特基势垒的形成方法

本工作研究了低温固相反应形成铂－镍硅化物／硅接触肖特基势垒的方法。介绍了用磁控溅射方法淀积金属薄膜和溅射工艺过程应注意的问题及其对肖特基势垒特性的影响。讨论了Ｈ＿２气氛中退火以形成优良肖特基势垒接触的方法与实验结果。     

铂—镍硅化物／硅接触肖特基势垒的形成方法

本工作研究了低温固相反应形成铂－镍硅化物／硅接触肖特基势垒的方法。介绍了用磁控溅射方法淀积金属薄膜和溅射工艺过程应注意的问题及其对肖特基势垒特性的影响。讨论了Ｈ２气氛中退火以形成优良肖特基势垒接触的方法与实验结果。     

VLSI中钛硅化物肖特基接触特性与退火条件

基于 Ti Si2 低电阻率的优点 ,采用 Ti制作肖特基二极管。在 VL SI工艺中实现同时完成钛硅化物欧姆接触和肖特基势垒二极管 (SBD)的制作。文中用 AES等技术研究不同退火工艺形成的 Ti/ Si界面形态和结构 ,寻找完善的工艺设计和退火条件。此外还测量 Al/ Ti N/ Ti/ Si结构的金属硅化物 SBD的有关特性。通过工艺实验确定 VL SI中的钛硅化物最佳的制作工艺条件     

Ni(Pt)Si硅化物温度稳定性的研究

对比研究了夹层结构N i/P t/N i分别与掺杂p型多晶硅和n型单晶硅进行快速热退火形成的硅化物薄膜的电学特性。实验结果表明,在600~800°C范围内,掺P t的N iS i薄膜电阻率低且均匀,比具有低电阻率的镍硅化物的温度范围扩大了100~150°C。依据吉布斯自由能理论,对在N i(P t)S i薄膜中掺有2%和4%的P t样品进行了分析。结果表明,掺少量的P t可以推迟N iS i向N iS i2的转化温度,提高了镍硅化物的热稳定性。最后,制作了I-V特性良好的N i(P t)S i/S i肖特基势垒二极管,更进一步证明了掺少量的P t改善了N iS i肖特基二极管的稳定性。     

硅化铱肖特基势垒红外焦平面阵列技术

本文讨论了硅化铱肖特基势垒红外探测器(IrSi-SBIRD)的典型结构和其制作技术;评述了硅化铱肖特基势垒红外焦平面阵列(IrSi-SBIRFPA)的现状。     

硅化铂红外焦平面探测器性能改进技术分析

硅化铂红外焦平面探测器具有响应光谱宽、规模大、均匀性好、时间稳定性高、制造成本低等优点,在多/宽光谱成像、激光探测、天文观测、医疗检测等领域具有应用潜力,但NETD 100 mK 的灵敏度对其广泛应用有一定的限制。文中从该探测器的量子效率和填充因子两方面总结和分析了国内外的改进技术,重点分析了光腔结构、多孔硅结构、重掺杂P+和合适硅化铂膜厚提高量子效率的机理,并定量比较了提升幅度:多孔硅结构提升幅度最大,在波长4 m 处的量子效率可达27%;相比内线转移CCD,电荷扫描器件、曲流沟道CCD 和混合读出结构均能改善填充因子,其中混合读出结构的填充因子可提高为80%。微透镜列阵能将填充因子提高到85%以上。     

Silicon carbide pinch rectifiers using a dual-metal Ti-Ni/sub 2/Si Schottky barrier

The electrical characterization of dual-metal-planar Schottky diodes on silicon carbide is reported. The devices were fabricated on both 6H- and 4H-SiC by using titanium (Ti) and nickel silicide (Ni/sub 2/Si) as Schottky metals. These rectifiers yielded the same forward voltage drop as the Ti diodes and leakage current densities comparable to those of the Ni/sub 2/Si diodes. The reduction of the reverse leakage current density, with respect to that of the Ti diodes, was about three orders of magnitude in 6H and about a factor of 30 in 4H-SiC. All that results in a consistent reduction of the device power dissipation. Electrical characterization of the devices at different temperatures provided insight into the carrier transport mechanism. In particular, the electrical behavior of the system was explained by an "inhomogeneous" Schottky barrier model, in which the low Ti barrier determines the current flow under forward bias, whereas the high Ni/sub 2/Si barrier dominates the reverse bias conduction by the pinchoff of the low barrier Ti regions.     

2700V4H-SiC结势垒肖特基二极管

在76.2 mm 4H-SiC晶圆上采用厚外延技术和器件制作工艺研制的结势垒肖特基二极管(JBS).在室温下,器件反向耐压达到2700 V.正向开启电压为0.8V,在VF=2V时正向电流密度122 A/cm2,比导通电阻Ron=8.8 mΩ·cm2.得到肖特基接触势垒qφв=1.24 eV,理想因子n=1.     

用弹道电子发射显微术研究超薄金属硅化物/硅肖特基接触

采用弹道电子发射显微术 ( BEEM)技术对超薄 Pt Si/Si、Co Si2 /Si肖特基接触特性进行了研究 ,并与电流 -电压 ( I- V)及电容 -电压 ( C- V)测试结果进行了对比 .研究了 Ar离子轰击对超薄Pt Si/n- Si肖特基接触特性的影响 .BEEM、I- V/C- V技术对多种样品的研究结果表明 ,I- V/C- V测试会由于超薄硅化物层串联电阻的影响而使测试结果产生严重误差 ;BEEM测试则不受影响 .随着离子轰击能量增大 ,肖特基势垒高度降低 ,且其不均匀性也越大 .用 BEEM和变温 I- V对超薄 Co Si2 /n- Si肖特基二极管的研究结果表明 ,变温 I- V测试可在一定程度上获得肖特基势垒     

Pt-Ir silicide Schottky-barrier IR detectors

Schottky-barrier infrared detectors have been fabricated with silicide electrodes formed by sequential vacuum deposition of 5-10-Å-thick Pt and 10-20-Å-thick Ir layers on p-type Si substrates and subsequent thermal annealing. The barrier heights of the Pt-Ir Schottky diodes are 0.16-0.9 eV, compared with 0.22 eV for Pt-only diodes, and the detector cutoff wavelengths extend well beyond 6 μm. Furthermore, the Pt-Ir diodes exhibit higher detector quantum efficiency than either Pt-only or Ir-only diodes over a significant spectral range     

Temperature dependence of Schottky barrier height on Si: Experimental evidence for Fermi energy pinning relative to either valence or conduction band

We investigated the temperature dependence of Schottky barrier heights in epitaxial silicide/silicon diodes, using internal photoemission techniques. Temperature variation of the Fermi level position in the Si band gap shows that the Fermi level at the interface is pinnedeither relative to the Si conduction bandor to the Si valence band. The contribution of the semiconductor to the interface states is restricted to the semiconductor band nearest in energy. We then discuss the effect of the metal on the interface states and propose different models of Schottky barrier formation which may account for these results.     

用于高功率密度功率因素校正的新一代600V砷化镓肖特基二极管

在200W连续导通模式功率因数校正（PFC）系统中，新一代600V砷化镓（GaAs）肖特基二极管与硅和碳化硅（SiC）二级管比较，砷化镓、碳化硅在PFC系统中的损耗减少高达25％。由于砷化镓有较低的结电容，砷化镓相对碳化硅高的通态损耗被较低的MOSFET损耗弥补了。和碳化硅技术相比，砷化镓有成本和可靠性优势。对于高频和高密度应用来说，新一代的砷化镓二级管是很有前景的。